書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：刻蝕均勻性技術(shù)研究

編號(hào)：JFKJ-21-120

作者：炬豐科技

摘要

? 介紹了硅濕法刻蝕的工作原理，分析了影響硅刻蝕均勻的主要因素，重點(diǎn)闡述了在濕法腐蝕設(shè)備中提高硅刻蝕均勻性的方法。

關(guān)鍵詞：?濕法刻蝕???各向同性刻蝕??各向異性刻蝕???刻蝕均勻性

介紹

? 刻蝕是把進(jìn)行光刻前所淀積的薄膜中未被光刻膠覆蓋的部分用化學(xué)或物理的方式去除，用以完成掩模圖像的轉(zhuǎn)移?？涛g是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 濕法刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的方法；干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。

? 雖然濕法刻蝕在保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性方面不如干法刻蝕，但由于生產(chǎn)成本低、產(chǎn)能高、適應(yīng)性強(qiáng)、表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少、其優(yōu)良的選擇比在去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕等方面有著廣泛的應(yīng)用。

? 濕法刻蝕的特點(diǎn)是：反應(yīng)生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質(zhì)，否則會(huì)造成反應(yīng)物沉淀，影響刻蝕的正常進(jìn)行；濕法刻蝕一般為各向同性，即水平方向和垂直方向的速率是相同的， 這樣會(huì)導(dǎo)致側(cè)向出現(xiàn)腐蝕。因此，刻蝕后得到的圖形結(jié)構(gòu)不是理想的垂直墻；濕法刻蝕過(guò)程常伴有放熱和放氣現(xiàn)象，影響刻蝕速率，使得刻蝕效果變差。

? 硅濕法刻蝕是常用的刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中。除濕法刻蝕工藝外，濕法刻蝕設(shè)備性 能及工藝槽結(jié)構(gòu)，是影響硅濕法刻蝕均勻性的重 要因素，提高濕法刻蝕設(shè)備性能指標(biāo)、優(yōu)化工藝槽 結(jié)構(gòu)，是改善刻蝕均勻性的重要途徑。

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? 本文所講述硅的濕法刻蝕原理，提高濕法設(shè)備刻蝕均勻性的方法，提高刻蝕均勻性的措施，質(zhì)的穩(wěn)定性，抖動(dòng)頻率、抖動(dòng)行程、旋轉(zhuǎn) 轉(zhuǎn)速等問題.