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AMD 7000系(ZEN4、AM5)64G 內(nèi)存超頻作業(yè)

2023-08-08 19:00 作者:stoneEEE  | 我要投稿

一般來說,32G*2的超頻表現(xiàn)是不如16G*2的,所以我們以穩(wěn)定為主,達(dá)到一個(gè)平衡的狀態(tài)。

理論上,16G*2內(nèi)存的也可以參考我的設(shè)置,而且更容易達(dá)到。

內(nèi)存及其他配置:

內(nèi)存:我用的是海力士A-Die,6400的32G*2,金百達(dá)套裝,本身也是性價(jià)比之選。其他品牌的A-Die顆粒內(nèi)存也完全可以照搬參考。

CPU:7950X,算是頂配,但是內(nèi)存超頻只和CPU的體質(zhì)有關(guān),7600X等CPU也是可以達(dá)到同樣配置的,只不過讀寫性能上面有差距。

主板:華碩B650吹雪,中規(guī)中矩的板子,沒什么特別的功能,也不算是拖后腿。


超頻操作及方式:

首先嘗試開啟EXPO,看能不能6400頻率下開機(jī),如果能開機(jī),那么可以肯定100%能成功。我這套方案基本沒有壓榨時(shí)序和小參。

如果無法開機(jī),那么嘗試交換插槽等操作,如果還是不行的話,建議還是抄其他6000MHZ的方案吧。

首先注意的是,F(xiàn)CLK=2133,MCLK=UCLK,這兩個(gè)設(shè)置一定要做,每個(gè)品牌板子BIOS設(shè)置的地方不同,自己搜索完成即可。

時(shí)序和小參可以參考我的,我只壓了一小部分參數(shù),大部分選的AUTO。

另外內(nèi)存的電壓設(shè)置也需要注意一下,EXPO的電壓是1.4V,我這里略微提高了一些。


超頻后效果:

最終的結(jié)果如下,內(nèi)存的讀寫性能和延遲達(dá)到了一個(gè)不錯(cuò)的平衡。最重要的是,小參和時(shí)序很容易達(dá)成。最終內(nèi)存延時(shí)為56ns。

完整的TM5測試需要3個(gè)小時(shí),時(shí)間太久了,這一套方案是能過完整測試的,且R23和游戲也不會(huì)報(bào)錯(cuò)。我這里就放上了快速測試的結(jié)果做參考。

超頻效果及小參


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