8 月 18 日消息，據(jù)最新報道，臺積電的 3nm 工藝產(chǎn)能已基本被蘋果全部承包，高通爭取到的產(chǎn)能份額僅占臺積電3nm總產(chǎn)能的15%。

面對臺積電方面的產(chǎn)能限制，高通選擇與三星展開合作，推出部分三星工藝版本的驍龍8Gen4。

——兩個版本將分別采用臺積電N3E工藝，以及三星3nm工藝（使用相對領(lǐng)先的GAA 架構(gòu)）。

此前，國外科技媒體 Android Headlines，也曾爆料，三星自用的高通驍龍 8 Gen 4“for Galaxy”處理器，將采用三星3nm工藝（使用相對領(lǐng)先的GAA 架構(gòu)）。

——高通驍龍 8 Gen 4“for Galaxy”，后期或?qū)⒁则旪?Gen2領(lǐng)先版的方式，流向國內(nèi)。

此外，年底的 驍龍 8 Gen 3，核心規(guī)格也均已公布：

◇ 制成工藝：臺積電N4P

◇ CPU：采用1×3.3GHz±*X4 超大核(樣片主頻最高3.7Ghz）+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（驍龍 8 Gen 2：1+4+3）

——單核提升約 11.4%，多核提升約 26.3%。

◇ GPU：Adreno 750

◇ 三級緩存：10MB（驍龍 8 Gen 2：8MB）

——具體規(guī)格配置基于，Geekbench 6平臺，三星 Galaxy S24 Plus現(xiàn)有跑分，如下圖所示：

對比，此前收錄的三星 Galaxy S23 Plus，驍龍 8 Gen 2，跑分可以看出，驍龍 8 Gen 3，單核提升約 11.4%，多核提升約 26.3%。

◇ CPU跑分：GB5（單核1700±/多核6600±）／GB6 （單核2200±/多核7000±）

◇ GPU跑分：GFX ES3.1?280FPS±（驍龍 8 Gen 2：220FPS±）

◇ 發(fā)布日期：高通已經(jīng)宣布了 2023 年 Snapdragon 峰會，將于 10 月 24 日至 26 日舉行，預計將發(fā)布全新的驍龍 8 Gen 3 芯片。

據(jù)數(shù)碼博主，數(shù)碼閑聊站 爆料，驍龍8Gen3首批量產(chǎn)機，將于11月推出，首發(fā)機型包含，小米 14 系列、vivo X100 系列、iQOO12系列、Redmi K70 系列、一加 12、真我 GT5 期待一下。

5 月 29 日消息，Arm 公司今天發(fā)布了 2023 年的移動處理器核心設計：Cortex-X4、A720 和 A520。

——以上核心基于 Arm v9.2 架構(gòu)，僅支持 64 位指令集，不再兼容 32 位應用。

【Cortex-X4超大核】

◇ 定位旗艦，相較前代的 X3 核心性能平均提高了 15%，同頻功耗降低了 40% ！

◇ 物理尺寸?進一步增加，但不足10%。?

◇ L2 緩存大小來到2MB，進一步提高實際性能收益。

◇ IPC 改進平均為 +13%。

◇ 算術(shù)邏輯單元 (ALU) 從 6 個增加到 8 個，添加了一個額外的分支單元（總共 3 個），添加了一個額外的乘法累加器單元，以及流水線浮點和平方根運算。

【Cortex-A720性能核】

◇ 相較前代?A715 相同的功率下，核心的效率提高 20%。

◇ 同屏性能提高15%，極限性能提升4.5%。

◇ 縮短流水線長度，優(yōu)化分支預測，以及流水化了浮點除法和平方根運算。

【Cortex-A520能效核】

◇ 相較前代?A510 核心在相同性能下，運行效率提升?22%。

◇ 極限性能提高8%

◇ A520 核心采用合并核架構(gòu)，可以在一個復合體中共享 L2 緩存、L2 轉(zhuǎn)換后備緩沖區(qū)和向量數(shù)據(jù)通路。A520 核心在前端也優(yōu)化了分支預測，并移除或縮減了一些性能特性。

Arm 公司表示，這些新的 CPU 核心設計是為了應對移動設備市場的需求變化，不僅要追求更高的性能，還要考慮更好的效率、安全性和可擴展性。隨著 Android 系統(tǒng)對 64 位應用的要求越來越嚴格，Arm 公司認為 64 位過渡已經(jīng)“完成任務”，不再需要支持 32 位應用。

聯(lián)發(fā)科也正式官宣，將采用arm全新架構(gòu)，預計到 2023 底，上市旗艦機中 Arm 的 IP 架構(gòu)將只支持 64 位應用運行，為用戶帶來多達 20% 的潛在性能提升！