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文章來源：《?機(jī)車電傳動》編輯部

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功率半導(dǎo)體器件被譽為電能轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)摹癈PU”，是實現(xiàn)“綠色、高效、智能”電力電子裝置的核心器件，廣泛應(yīng)用于能源、交通、工業(yè)、通信、醫(yī)療等領(lǐng)域，為加速能源革命和數(shù)字電力行業(yè)發(fā)展提供源動力。

一代器件，一代應(yīng)用。功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了以晶閘管為代表的第一代半控型器件，以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）為代表的第二代全控型器件，以SiC、GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程，不斷推動著電力電子裝置和系統(tǒng)朝著更低損耗、更高結(jié)溫、更高頻率、更高可靠性的方向發(fā)展，為我國交通強國與能源轉(zhuǎn)型國家戰(zhàn)略以及“碳達(dá)峰，碳中和”宏偉目標(biāo)的實現(xiàn)提供了堅實基礎(chǔ)。

近年來，以SiC為主的第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體發(fā)展的主要驅(qū)動力，在《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中也明確了SiC為我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重點攻關(guān)方向之一。SiC芯片技術(shù)及其對功率半導(dǎo)體器件性能的影響，現(xiàn)代先進(jìn)封裝技術(shù)及其對功率半導(dǎo)體器件性能的提升，高效、準(zhǔn)確的測試技術(shù)，先進(jìn)的可靠性提升技術(shù)以及不同行業(yè)的應(yīng)用技術(shù)均是功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要技術(shù)研究及創(chuàng)新方向。為更好地探討功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，圍繞功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片材料、設(shè)計、制造、封裝、測試、應(yīng)用以及可靠性等技術(shù)的最新研究進(jìn)展，功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國重點實驗室、功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合策劃了本期功率半導(dǎo)體技術(shù)?？?。

此次，非常感謝為本?？冻雠Φ淖髡吲c專家，感謝支持和推動功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的各界人士。希望能夠借此機(jī)會為讀者提供深入了解和探討功率半導(dǎo)體技術(shù)的交流平臺，促進(jìn)這一領(lǐng)域的科技創(chuàng)新和發(fā)展，為社會的可持續(xù)發(fā)展和更加繁榮的未來提供助力。

我們對功率半導(dǎo)體的未來充滿信心，相信不斷涌現(xiàn)的新技術(shù)必將支持功率半導(dǎo)體器件的持續(xù)發(fā)展，推動以功率半導(dǎo)體為核心驅(qū)動力的綠色能源革命。