書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅片超聲清洗方法及配置

編號：JFKJ-21-316

作者：炬豐科技

摘要

? 通過增強(qiáng)微觀蝕刻劑濃度均勻性和減少氫氣泡粘附來形成亞微米級基本無缺陷硅結(jié)構(gòu)的方法。蝕刻劑混合物經(jīng)受超聲波的應(yīng)用。超聲波促進(jìn)在微觀水平上混合蝕刻劑混合物的空化，并且還有助于促進(jìn)氣泡脫離。將潤濕劑添加到蝕刻劑混合物中以增強(qiáng)硅表面的親水性，從而減少氣泡粘附。還公開了執(zhí)行形成硅結(jié)構(gòu)的方法的裝置。

發(fā)明背景

? 隨著對更小硅器件的需求不斷增加，并且分辨率持續(xù)低于亞微米水平，對均勻和精確的微加工的需求也在增加。半導(dǎo)體器件和掃描探針顯微鏡中使用的微器件和微結(jié)構(gòu)需要光滑的 2Q 表面和亞微米級的精確蝕刻。此外，在微器件的形成過程中，需要無缺陷的表面將微加工零件粘合在一起。發(fā)明內(nèi)容

? 本發(fā)明提供了一種在通過使含有潤濕劑的濕蝕刻溶液經(jīng)受超聲波來蝕刻硅微結(jié)構(gòu)時提高蝕刻均勻性和圖案清晰度的方法。潤濕劑使氣泡粘附最小化，而超聲波用于在微觀水平上混合溶液，以提高濃度的均勻性，并從待蝕刻的表面去除氣泡。還提供了一種進(jìn)行超聲波輔助濕蝕刻的裝置。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將從以下詳細(xì)說明和圖示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖中變得明顯。