書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅垂直濕蝕刻中的作用

編號(hào)：JFKJ-21-125

作者：炬豐科技

摘要

? 在本文中，我們首次對(duì)表面張力在硅各向異性濕蝕刻中的作用進(jìn)行了系統(tǒng)研究，重點(diǎn)是側(cè)壁角度。我們表明，在具有高表面張力的 KOH 和 NaOH 溶液中，可以可靠地制造垂直側(cè)壁。Si 的蝕刻實(shí)驗(yàn)和通過(guò)氣泡壓力張力測(cè)量法測(cè)量的表面張力是使用無(wú)機(jī)蝕刻劑在廣泛的范圍內(nèi)進(jìn)行的濃度。最后，蝕刻溶液的文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁表面張力被確定為決定蝕刻行為的重要量，同時(shí)通過(guò)使用溫度控制表面張力來(lái)消除濃度依賴性。

介紹

? 硅的各向異性濕法蝕刻是制造 MEMS 或 CMOS 器件的重要工藝步驟。它基于與取向相關(guān)的硅晶體蝕刻。使用合適的蝕刻溶液、掩模方向和圖案，可以生產(chǎn)具有垂直側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。盡管可以使用干法蝕刻方法實(shí)現(xiàn)垂直蝕刻，例如深度反應(yīng)離子蝕刻 (DRIE)，但由于諸如更適合大批量生產(chǎn)、工藝吞吐量和成本等優(yōu)點(diǎn)，濕法蝕刻正變得越來(lái)越流行。在濕蝕刻批量工藝中生產(chǎn)垂直側(cè)壁的能力對(duì)許多應(yīng)用和技術(shù)具有很高的潛力。在文獻(xiàn)中結(jié)果表明，硅的各向異性蝕刻可以產(chǎn)生垂直的側(cè)壁或傾斜的側(cè)壁，分別以 45°或 54.7°傾斜。沒(méi)有給出有關(guān)溶液、濃度和制造過(guò)程溫度的特定依賴性和限制的詳細(xì)信息。

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結(jié)果......