書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅片各向異性化學(xué)刻蝕

編號(hào)：JFKJ-21-142

作者：炬豐科技

關(guān)鍵詞:KOH腐蝕劑，各向異性腐蝕，表面形貌。 ?

摘要

? ?綜述了p型硅晶片各向異性刻蝕的表面化學(xué)研究進(jìn)展，研究了硅在堿性溶液中使用潤(rùn)濕劑的各向異性化學(xué)腐蝕進(jìn)行了討論。?影響晶體上二氧化硅層生產(chǎn)的主要因素，硅由于受到濕堿各向異性化學(xué)蝕刻的濃縮，溶液(KOH)和潤(rùn)濕劑(正丙醇)，溫度(80℃)和蝕刻時(shí)間(4人力資源)的過(guò)程。?二氧化硅層在許多先進(jìn)領(lǐng)域文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁得到了應(yīng)用。?采用XRD、SEM和FTIR對(duì)合成的二氧化硅層進(jìn)行了系統(tǒng)表征。 ?XRD結(jié)果表明，硅層具有非晶態(tài)性質(zhì)。?紅外光譜證實(shí)了在生產(chǎn)的樣品中硅氧的存在。?SEM證實(shí)了正丙醇的加入 ?KOH溶液改善了光滑的Si的腐蝕各向異性表面。

????????????????????????????????????介紹 ?

? 開(kāi)發(fā)效率最高、成本最低的太陽(yáng)能電池需要進(jìn)行表面處理采取措施，最大限度地提高光捕獲特性和減少?gòu)?fù)合損失結(jié)構(gòu)化的接口。 Si表面的織構(gòu)化也導(dǎo)致了表面的增加重量，導(dǎo)致重組損失增加的不規(guī)則現(xiàn)象。 至關(guān)重要的是去除損壞的表面層以降低微粗糙度。?濕化學(xué)處理仍然是在太陽(yáng)能生產(chǎn)線(xiàn)中用于晶圓表面紋理化的標(biāo)準(zhǔn)方法。用于微細(xì)加工的基本蝕刻技術(shù)是干蝕刻(等離子體)和濕法蝕刻(液相)。 干式蝕刻的缺點(diǎn)如下，所使用的氣體干蝕刻是很有毒性和腐蝕性的。 它需要非揮發(fā)性化合物的再沉積，而且它需要專(zhuān)門(mén)的和昂貴的設(shè)備。 ?濕法蝕刻是廉價(jià)的，它已經(jīng)被廣泛地用于制造許多應(yīng)用程序。 它是一種用液體化學(xué)物質(zhì)或蝕刻劑去除材料的過(guò)程晶片。 特定的圖案由晶圓片上的掩模定義。 材料不是被液體化學(xué)物質(zhì)腐蝕掉的面具。 對(duì)于各向同性濕法蝕刻，氫氟酸、硝酸和醋酸的混合物是最常見(jiàn)的蝕刻溶劑硅。 當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，物料以與反應(yīng)速度相似的速率側(cè)向移出向下腐蝕。 即使有掩模，濕化學(xué)蝕刻通常也是各向同性的因?yàn)橐后w腐蝕劑可以穿透掩膜下面。

本文講述了芯片踢球機(jī)制設(shè)計(jì)，機(jī)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)，試驗(yàn)結(jié)果等問(wèn)題。