書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：光刻膠的氧化去除

編號(hào)：JFKJ-21-143

作者：炬豐科技

摘要 ?

? 含氧化劑的化學(xué)體系廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體的各個(gè)階段加工，特別是濕式清潔和拋光應(yīng)用。?本論文提出了一個(gè)一系列與前線末端材料的氧化去除相關(guān)的研究集成電路制造過(guò)程中的化學(xué)機(jī)械平化過(guò)程。在本研究的第一部分，剝離光阻暴露于高劑量離子在活化的過(guò)氧化氫體系中進(jìn)行了研究。?剝離的光刻膠暴露于高劑量離子束是最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)之一。?這是由于在抗蝕劑表面形成的不反應(yīng)的地殼層在離子注入。?利用金屬離子文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁或紫外線激活的過(guò)氧化氫體系光，以破壞形成的外殼深UV抗蝕劑，使外殼完全清除作為底層光刻膠進(jìn)行了研究。?對(duì)變量的系統(tǒng)評(píng)估，如過(guò)氧化氫和金屬離子濃度、紫外線強(qiáng)度、溫度和時(shí)間進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，并研制出了一種能夠攻擊外殼的最佳配方。工藝是用活性氧溶液進(jìn)行預(yù)處理，然后采用硫酸-雙氧水混合液進(jìn)行處理去除結(jié)痂的抗蝕膜。?這種方法被稱為電輔助化學(xué)機(jī)械平面化在集成電路制造中引起了廣泛的興趣。???略

?????????????????????????????????介紹

? 在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝流程中，p型和n型MOS晶體管的源極和漏極定義為III族和V族元素離子的注入。光致抗蝕劑通常是用于CMOS器件離子注入時(shí)的塊掩模處理。這些電阻必須在每次植入過(guò)程后被移除，因?yàn)樗鼈儾皇亲罱KIC器件的一部分。高劑量離子束損壞的上層光刻膠形成了一層堅(jiān)硬的“外殼”，很難去除。消除抗拒在處理過(guò)程中暴露于離子，目前采用氧等離子灰法接下來(lái)是濕式清洗步驟。這種灰條法有許多缺點(diǎn)，它是一個(gè)高能量過(guò)程中，由于氧化和摻雜劑損失導(dǎo)致硅損失，并產(chǎn)生微粒污染。用于去除電阻器暴露于離子時(shí)的某些敏感淺植入(用于減少源極/漏極和通道區(qū)域之間的電阻)步驟，用“全部”濕化學(xué)方法來(lái)替代灰分/帶鋼工藝已經(jīng)引起了人們極大的興趣集成電路制造商。這種更換可以潛在地減少抗蝕劑去除周期時(shí)間和整體材料消耗，并可消除灰化所造成的損害。

本文講述了集成電路制造，FEOL處理的挑戰(zhàn)，光阻等問(wèn)題。