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MP40N120-ASEMI高頻變換器IGBT

型號(hào)：MP40N120

品牌：ASEMI

封裝：TO-247

電流：40A

電壓：1200V

正向電壓：1.10V

恢復(fù)時(shí)間：

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

芯片尺寸：

漏電流：

特性：IGBT管

工作溫度：-55~+150℃

MP40N120溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT

IGBT定義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

ASEMI全系列封裝圖