報(bào)告出品方：東莞證券

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1.存儲(chǔ)概述：重要的集成電路品類，下游 AI、汽車電子驅(qū)動(dòng)成長

1.1 存儲(chǔ)概述：數(shù)字信息的載體，集成電路的重要分支

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是數(shù)字信息的載體，是集成電路的重要分支。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也叫存儲(chǔ)芯片，是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件，其存儲(chǔ)與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。它是電子系統(tǒng)中存儲(chǔ)和計(jì)算數(shù)據(jù)的載體，是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。從市場(chǎng)規(guī)模占比來看，全球半導(dǎo)體可分為集成電路（82.7%）、光學(xué)光電子（7.5%）、分立器件（5.9%）和傳感器（3.8%）四類，而集成電路又可分為邏輯芯片（32.78%）、存儲(chǔ)芯片（32.52%）、微處理器（19.29%）和模擬芯片（15.41%）。據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)顯示，2022 年，全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為 1,392億美元，占半導(dǎo)體行業(yè)比重約為 20%，僅次于邏輯芯片，是占比第二大的半導(dǎo)體品類。

存儲(chǔ)器分類：易失性存儲(chǔ)、非易失性存儲(chǔ)。按照是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)。其中易失存儲(chǔ)芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）；非易失性存儲(chǔ)器主要包括可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM），閃存存儲(chǔ)器（Flash）和可擦除可編程只讀寄存器（EPROM/EEPROM）等。
易失性存儲(chǔ)：主要指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），需要維持通電以臨時(shí)保存數(shù)據(jù)供主系統(tǒng)CPU 讀寫和處理。由于 RAM 可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的高速讀寫，因此通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
RAM 根據(jù)是否需要周期性刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)，進(jìn)一步分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）需要在維持通電的同時(shí)，通過周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)，故稱“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。DRAM 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，因此單位面積的存儲(chǔ)密度顯著高于 SRAM，但訪問速度慢于 SRAM；此外，由于 DRAM 需要周期性刷新以維持正確的數(shù)據(jù)，因此功耗較 SRAM 更高。DRAM 作為一種高密度的易失性存儲(chǔ)器，主要用作CPU 處理數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)裝置，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器等主流應(yīng)用市場(chǎng)。
非易失性存儲(chǔ)：主要指只讀存儲(chǔ)器（ROM），無需持續(xù)通電亦能長久保存數(shù)據(jù)。早期的ROM 產(chǎn)品信息首次寫入后即固定下來，以非破壞性讀出方式工作，只能讀出而無法修改或再次寫入信息，故稱“只讀”存儲(chǔ)器。ROM 經(jīng)過不斷演變發(fā)展，經(jīng)過掩膜只讀存儲(chǔ)器（MaskROM）、可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器（EPROM）、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和快閃存儲(chǔ)器（Flash）等階段，已經(jīng)突破原有的“只讀”限制。Flash 則主要包括 NAND Flash 和 NOR Flash。

存儲(chǔ)器市場(chǎng)結(jié)構(gòu)：DRAM、Nand Flash 是最核心的存儲(chǔ)品類。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要包括 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三種產(chǎn)品。根據(jù) IC insights，DRAM 和 NAND Flash 構(gòu)成存儲(chǔ)芯片最主要的組成部分，其中 DRAM 是存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域最大細(xì)分市場(chǎng)，占存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模的比例高達(dá) 61%，NAND Flash 約占 36%左右的市場(chǎng)份額，二者構(gòu)成影響行業(yè)景氣度的主要品類；NOR Flash 占據(jù) 2%的整體市場(chǎng)份額。（IC Insights，2021 年數(shù)據(jù)）

1.2 下游應(yīng)用：關(guān)注汽車電子滲透與 AI 拉動(dòng)存儲(chǔ)需求增長

1.2.1 智能手機(jī)：已進(jìn)入存量市場(chǎng)，關(guān)注單機(jī)存儲(chǔ)規(guī)格升級(jí)

存儲(chǔ)器下游應(yīng)用：以移動(dòng)端、服務(wù)器和個(gè)人 PC 為主。目前存儲(chǔ)器下游應(yīng)用領(lǐng)域以智能手機(jī)、服務(wù)器和個(gè)人 PC 為主，根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2021 年 DRAM 下游應(yīng)用主要為移動(dòng)端、服務(wù)器、PC 和其他，分別占比 35%、33%、16%和 16%，NAND 下游市場(chǎng)應(yīng)用包括移動(dòng)端、cSSD、eSSD、存儲(chǔ)卡/UFD 和其他，分別占比 34%、22%、26%、9%、9%。展望存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展歷史，下游創(chuàng)新是推動(dòng)行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)張的主要驅(qū)動(dòng)力，大型計(jì)算機(jī)、臺(tái)式機(jī)及個(gè)人筆記本電腦、液晶電視、智能手機(jī)與可穿戴設(shè)備、云計(jì)算等行業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)張。

智能手機(jī)：進(jìn)入存量市場(chǎng)，總出貨量陷入停滯。作為存儲(chǔ)行業(yè)最大的下游領(lǐng)域，近年來受創(chuàng)新放緩、換機(jī)周期延長、行業(yè)滲透率趨于飽和等因素影響，全球智能手機(jī)出貨保持平穩(wěn)，年出貨量約為 12 億-14 億臺(tái)。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2023 年一季度全球智能手機(jī)出貨量為 2.65 億臺(tái)，同比下降 7.24%，環(huán)比下降 1.23%，同比降幅有所收窄；國內(nèi)方面，根據(jù)工信部數(shù)據(jù)，2023 年 1-5 月國內(nèi)智能手機(jī)合計(jì)出貨量為 1.04 億臺(tái)，同比下降 2.49%，智能手機(jī)已進(jìn)入存量市場(chǎng)，出貨量持續(xù)萎縮。

單機(jī)存儲(chǔ)規(guī)格升級(jí)成為手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。隨著攝像頭、應(yīng)用處理器和屏幕的不斷提升，視頻、圖片及其他多媒體應(yīng)用的需求激增，智能手機(jī)的 DRAM、NAND 閃存容量已成為消費(fèi)者換機(jī)時(shí)最重要的考量因素之一，疊加摩爾定律下單位空間的存儲(chǔ)芯片制造成本不斷下降，智能手機(jī)的平均單機(jī)存儲(chǔ)規(guī)格也在迅速增加。根據(jù) Counterpoint 研究顯示，2014—2020 年，全球智能手機(jī) NAND 閃存空間約以 35%左右的復(fù)合增速增長，并在 2020 年智能手機(jī) NAND 閃存平均容量首次超過 100GB，其中蘋果 NAND 閃存平均容量為 140.9GB，安卓手機(jī)為 95.7GB。DRAM 方面，2014—2020 年智能手機(jī)平均 DRAM 容量從1.4GB 提升至 4.3GB（Trendforce 數(shù)據(jù)），2014—2020 年復(fù)合增長率達(dá) 34.5%。在手機(jī)進(jìn)入存量市場(chǎng)，出貨停滯的背景下，智能手機(jī)的單機(jī)存儲(chǔ)規(guī)格升級(jí)有望成為存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)張的重要驅(qū)動(dòng)力。

1.2.2 智能汽車：新能源汽車快速滲透，汽車“三化”提升需求

新能源汽車：出貨量同比高速增長，滲透率持續(xù)提升。近年來新能源汽車出貨量實(shí)現(xiàn)高速增長，據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，國內(nèi)新能源汽車出貨量從 2017 年的 76.8 萬輛增長至 2022 年的 705.8 萬輛，2017—2022 年 CAGR 達(dá) 55.8%，滲透率從 2.65%提升至 25.6%。2023 年上半年，國內(nèi)汽車總銷量為 1,323.9 萬輛，同比+9.89%，新能源汽車總銷量為 374.5 萬輛，同比+44.54%，2023 年上半年新能源汽車滲透率高達(dá) 28.29%。

電動(dòng)化：汽車電動(dòng)化持續(xù)滲透，帶來汽車電子規(guī)模擴(kuò)張。汽車電子由半導(dǎo)體器件組成，用以感知、計(jì)算、執(zhí)行汽車的各個(gè)狀態(tài)和功能。根汽車電子按應(yīng)用領(lǐng)域可分為動(dòng)力系統(tǒng)、主被動(dòng)安全系統(tǒng)、座艙電子系統(tǒng)和照明系統(tǒng)。作為汽車行業(yè)的配套行業(yè)，當(dāng)前世界汽車工業(yè) 60%以上的技術(shù)創(chuàng)新均來源于汽車電子技術(shù)的應(yīng)用，汽車電子技術(shù)的應(yīng)用程度已經(jīng)成為衡量整車水平的主要標(biāo)志。
隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，汽車電子在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用日益深入，汽車電子占汽車總成本的比重日益加大，尤其中高端汽車與新能源汽車中汽車電子附加值更高。據(jù)蓋世汽車研究院數(shù)據(jù)，國內(nèi)緊湊型乘用車中汽車電子占成本的比重約為 15%，中高端乘用車中汽車電子占成本的比重約為 28%，而新能源汽車中汽車電子占成本的比重高達(dá)約 47%—65%。預(yù)計(jì)未來高端配置逐步向低端車滲透將是趨勢(shì)，將帶來汽車電子在乘用車成本中的比重持續(xù)提升，汽車行業(yè)仍處于“電子化”趨勢(shì)中。

自動(dòng)駕駛滲透率不斷提高，增加 ADAS 裝配率需求。汽車電動(dòng)化、智能化是全球汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略方向，自動(dòng)駕駛滲透率有望快速提高。根據(jù)華為在《智能世界 2030》中的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)到 2030 年，電動(dòng)汽車占所銷售汽車的總量達(dá)到 50%，智能汽車網(wǎng)聯(lián)化（C-V2X）達(dá)到 60%，其中中國自動(dòng)駕駛新車滲透率將達(dá)到 20%。而根據(jù) Strategy Analytics 指出，2020 年全球 L2 及以上的智能汽車滲透率，預(yù)計(jì)到 2025 年將達(dá)到 73%，其中 L4 在 2030年實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。

另據(jù)佐思汽研數(shù)據(jù)，2022 年 1-9 月國內(nèi)乘用車 L2 及 L2+級(jí) ADAS 裝配率達(dá) 33.5%，其中L2 級(jí)為 28.4%；L2+級(jí)（高階輔助駕駛）為 5.1%；同期我國高速領(lǐng)航功能（NOA）裝配量13.9 萬輛，同比增長 387%。預(yù)計(jì)未來 1-2 年內(nèi)，將有更多智能化車型搭載高速、城市NOA 功能，預(yù)計(jì)到 2025 年 L2 及 L2+級(jí) ADAS 裝配率將超過 50%。

汽車電動(dòng)化、智能化不斷推進(jìn)，車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體潛力巨大。隨著汽車電動(dòng)化、智能化的不斷推進(jìn)，汽車下游應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量、處理速度及算力需求提升，驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器加速更新迭代，銷售有望實(shí)現(xiàn)較大幅度增長。地平線聯(lián)合創(chuàng)始人 2022 年接受采訪時(shí)表示，自動(dòng)駕駛等級(jí)每提升一級(jí)，所需要的芯片算力實(shí)現(xiàn)數(shù)十倍的上升：目前自動(dòng)/智能駕駛領(lǐng)域行業(yè)的基礎(chǔ)算力需求是：L2 級(jí)需 10TOPS 左右；L2+則需要幾十 TOPS；L3 需要 100TOPS 以上；L4 需要 1,000TOPS。隨著高級(jí)別自動(dòng)駕駛滲透率不斷提升，將推動(dòng)全球車用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模不斷增長。根據(jù)集微網(wǎng)預(yù)測(cè)，2025 年全球車用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 735.2億美元，2020—2025 年 CAGR 達(dá) 13.23%。

智能座艙、自動(dòng)駕駛拉動(dòng)車載存儲(chǔ)器需求。高等級(jí)自動(dòng)駕駛汽車，對(duì)車載存儲(chǔ)容量、密度和帶寬需求大幅提升，汽車電動(dòng)化、智能化與網(wǎng)聯(lián)化推動(dòng)車載存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長，從 GB 幾倍提升至 TB 級(jí)別。傳統(tǒng)燃油車中所需用到的存儲(chǔ)并不多，主要包括車載音樂播放設(shè)備、車內(nèi) GPS 地圖數(shù)據(jù)，以及 MP3 播放器存儲(chǔ)音樂文件，再到后來行車記錄儀需要存儲(chǔ)攝像頭錄制的視頻等，這些所有的車內(nèi)存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景基本以 SD 卡為主，容量在 1GB 到十幾 GB 為主。隨著汽車被賦予各種功能，電動(dòng)化、智能化的不斷發(fā)展，包括基于高帶寬視頻流數(shù)據(jù)的 ADAS 環(huán)視輔助系統(tǒng)、基于互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的智能座艙信息娛樂系統(tǒng)、基于 5G 熱點(diǎn)連接的云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、車聯(lián)網(wǎng)端邊云的車載網(wǎng)管系統(tǒng)等等，這些新的應(yīng)用對(duì)車載存儲(chǔ)提出了更高的要求，相應(yīng)的存儲(chǔ)容量需求也提升到了更高的要求，可能需要接近 TB 級(jí)的存儲(chǔ)需求。
以 NAND Flash 為例，其在汽車中主要用于 ADAS 系統(tǒng)、IVI 系統(tǒng)、汽車中控等，主要作用在于存儲(chǔ)連續(xù)數(shù)據(jù)。隨著自動(dòng)駕駛等級(jí)提升，ADAS 系統(tǒng)中 NAND 容量需求增長顯著，L1/L2 級(jí) ADAS 一般只需主流的 8GB e-MMC，L3 級(jí)則提升至 128/256GB，L5 級(jí)最高可能超過 2TB。未來，高級(jí)自動(dòng)駕駛汽車的數(shù)據(jù)生產(chǎn)、傳輸和記錄將需要非常大的密度和高速性，可能進(jìn)一步采用 PCIe SSD。而自動(dòng)駕駛汽車內(nèi)外感知設(shè)備不斷增加，包括前置攝像頭、內(nèi)視攝像頭、高分辨率成像雷達(dá)、LiDAR 等，也將大量使用高密度 NOR Flash（QSPI、xSPI 等，用于芯片啟動(dòng)）、DRAM(LPDDR3/4、LPDDR5、GDDR 等)。

Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，未來十年，單車存儲(chǔ)容量將達(dá)到 2TB-11 TB，以滿足不同自動(dòng)駕駛等級(jí)的車載存儲(chǔ)需求。目前 L1-L2 級(jí)自動(dòng)駕駛汽車主要采用 LPDDR3 或 LPDDR4，帶寬需求 25-50GB/s，而對(duì)于 L3 級(jí)自動(dòng)駕駛，帶寬要求提升至 200GB/s，L4 級(jí)自動(dòng)駕駛，帶寬要求進(jìn)一步上升到 300GB/s，L5 級(jí)自動(dòng)駕駛，帶寬要求達(dá)到 500GB/s 以上。因此對(duì)于高等級(jí)自動(dòng)駕駛汽車，將選用帶寬更高的 LPDDR5、GDDR6，以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。據(jù) IHS數(shù)據(jù)，2021 年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約為 46 億美元，約占整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模的9%，預(yù)計(jì)到 2023 年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 59 億美元。

車載存儲(chǔ)具有更高門檻，市場(chǎng)寡頭壟斷特征明顯。相較消費(fèi)電子產(chǎn)品，車規(guī)存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)周期長、驗(yàn)證周期長、認(rèn)證流程繁瑣，需滿足 IATF16949 合規(guī)認(rèn)證、ASPCIE 認(rèn)證、ISO 26262 功能安全認(rèn)證，此外還需滿足部分車廠的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，如通用汽車的 GMW3172標(biāo)準(zhǔn)、大眾 VW80000 標(biāo)準(zhǔn)等，整套認(rèn)證流程時(shí)間可達(dá) 4—5 年，具有更高的行業(yè)門檻。
車載存儲(chǔ)行業(yè)較高的行業(yè)門檻導(dǎo)致市場(chǎng)進(jìn)入壁壘高、市場(chǎng)寡頭壟斷特征明顯。目前美光、三星、海力士和微芯等存儲(chǔ)大廠仍引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，占據(jù)壟斷地位。其中，在汽車存儲(chǔ)器領(lǐng)域，美光全球市場(chǎng)份額超過 45%，2021 年率先推出業(yè)界首款滿足 ASIL-D 等級(jí)的 LPDDR5，容量最高達(dá) 128GB。

從行業(yè)市場(chǎng)份額看，以 DRAM 為例，美光為全球汽車 DRAM 龍頭，2021 年占據(jù)全球約 45%市場(chǎng)份額，2021 年度進(jìn)行了 LPDDR5 采樣測(cè)試，2022 年推出的 LPDDR5 和 UFS 3.1 已被應(yīng)用于理想 L9，為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先；國內(nèi)方面，北京君正 2020 年收購矽成后進(jìn)入車載存儲(chǔ)領(lǐng)域，已與博世汽車、大陸集團(tuán)等下游車企達(dá)成緊密合作關(guān)系，2021 年汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)份額為 15%，位列全球第二。

1.2.3 人工智能：AI 服務(wù)器需求井噴，對(duì) DRAM、NAND 需求實(shí)現(xiàn)數(shù)倍提升

多模態(tài)大模型有望成為 AI 主流，參數(shù)量井噴式提升。生成式 AI 主要依賴于 AI 大模型，如 GPT 系列、BERT、Transformer 等，這些模型通常包含數(shù)十億甚至數(shù)萬億參數(shù)，需要龐大的數(shù)據(jù)集進(jìn)行訓(xùn)練。大模型的訓(xùn)練成本通常包括 GPU 等算力芯片成本、服務(wù)器成本、標(biāo)準(zhǔn)機(jī)柜成本、電力成本、人力投入費(fèi)用等。以 GPT-3 為例，訓(xùn)練參數(shù)量達(dá)到 1,750 億、預(yù)訓(xùn)練數(shù)據(jù)量達(dá)到 45TB，訓(xùn)練總成本高達(dá) 1,200 萬美元。高昂的訓(xùn)練成本也提高了行業(yè)的準(zhǔn)入門檻，因此多模態(tài)大模型的產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程通常由科技巨頭所主導(dǎo)。

AI 大模型參數(shù)量呈指數(shù)式增長，極大拉動(dòng)算力需求。從 2015 年 AI 大模型問世至今，每年大模型的參數(shù)量呈現(xiàn)指數(shù)式增長，所需要的算力相較常規(guī)模型也實(shí)現(xiàn)極大幅度提升。
2019 年 2 月發(fā)布的 GPT-2 模型參數(shù)量約為 15 億，而 2020 年 5 月發(fā)布的 GPT-3 模型參數(shù)量達(dá)到 1,750 億，參數(shù)量提升超過 100 倍；據(jù) ARK Invest 預(yù)測(cè)，GPT-4 參數(shù)量最高可達(dá)15,000 億個(gè)，對(duì)應(yīng)算力需求最高可達(dá) 31271PFlop/s-day；此外，國內(nèi)外科技巨頭加速布局多模態(tài)大模型，對(duì)應(yīng)參數(shù)量均達(dá)到千億級(jí)別，也將帶動(dòng)算力需求爆發(fā)式增長。

Chatgpt 催生 AI 服務(wù)器需求增長，各大廠商爭(zhēng)相采購。從服務(wù)器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局看，據(jù)IDC，浪潮、新華三、超聚變、寧暢和中興位居 2022 年中國服務(wù)器市場(chǎng)營收前五位，市場(chǎng)份額占比分別為 28.1%、17.2%、10.1%、6.2%和 5.3%，行業(yè) CR5 份額合計(jì) 66.9%。以Chatgpt為代表的多模態(tài)大模型帶來計(jì)算資源需求爆發(fā)式增長，催生AI服務(wù)器需求增長，各大廠商爭(zhēng)相采購。據(jù) Trendforce，2022 年北美四大云服務(wù)廠商微軟、谷歌、Meta 和亞馬遜合計(jì)采購全球約 66%的 AI 服務(wù)器，而騰訊、阿里巴巴和百度等國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)大廠的采購量也位列全球前十。隨著國內(nèi) AI 大模型商業(yè)化的持續(xù)落地，有望拉動(dòng)更多 AI 服務(wù)器需求，我國 AI 服務(wù)器市場(chǎng)空間有望進(jìn)一步提升。

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