光罩護(hù)膜/薄膜是極紫外 (EUV) 光刻工藝中的關(guān)鍵部件，指的是在光罩上展開的一層薄膜，然后機(jī)器在上面繪制要在晶圓上壓印的電路，以免光罩受空氣中微塵或揮發(fā)性氣體的污染，同時減少光掩模的損壞。目前該領(lǐng)域的主要供應(yīng)商是荷蘭ASML、日本三井化學(xué)和韓國S&S Tech。

三星在Foundry Forum 2021上就宣布自研EUV薄膜，今年初已自主開發(fā)出透光率達(dá)88%的EUV薄膜。按照三星的說法，該款EUV薄膜應(yīng)該已量產(chǎn)，這有助于其實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈的多元化和穩(wěn)定。三星當(dāng)然也不會滿足于此，畢竟88%透光率并不是市場上最好的同類產(chǎn)品。

據(jù)Business Korea報(bào)道，三星半導(dǎo)體研究生近期發(fā)布的一份招聘通知顯示，正推動開發(fā)透光率為92%的EUV薄膜。目前市場上也有透光率達(dá)到90%或以上的EUV薄膜，一家是ASML，另外一家是S&S Tech，后者在2021年成功開發(fā)出透光率為90%的EUV薄膜。

據(jù)了解，三星已開始了對下一代High-NA EUV薄膜的研究，新一代EUV薄膜將基于新材料，同時三星也將與外部機(jī)構(gòu)合作，開發(fā)和評估由碳納米管和石墨烯制成的EUV薄膜。此外，三星也將推動自行開發(fā)的納米石墨薄膜批量生產(chǎn)設(shè)施的設(shè)計(jì)。

三星在晶圓代工領(lǐng)域的頭號競爭對手臺積電（TSMC）從2019年開始，就使用了自己開發(fā)的EUV薄膜，并且在2021年時宣布，其EUV薄膜的產(chǎn)能相比2019年將提高20倍。有業(yè)內(nèi)人士表示，三星推動EUV薄膜的開發(fā)，是為了更快地趕上臺積電。