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IT 之家 6 月 2 日消息，據(jù)外媒 Hardwaretimes 報(bào)道，下一代英偉達(dá)旗艦顯卡 RTX 5090 將使用臺(tái)積電的 3nm 工藝，預(yù)計(jì)將在明年年底推出。

英偉達(dá)在去年推出的 RTX 40 系顯卡代號(hào)為 Ada Lovelace，而外媒 Hardwaretimes 稱下一代英偉達(dá) RTX 顯卡的代號(hào)為 Balckwell，并表示這些 GPU 將在臺(tái)積電的 3nm（N3）節(jié)點(diǎn)上制造，晶體管數(shù)量將超過 150 億，密度接近 3 億 / mm2，核心時(shí)鐘將超過 3 Ghz，總線密度將達(dá)到 512 bits。

根據(jù)早前外媒 Club 386 泄露的消息，基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 組 SM 單元，也就是 18432 個(gè) CUDA（假設(shè)每組 SM 還是 128 個(gè) CUDA），比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二級(jí)緩存，匹配 GDDR7 顯存（384bit 位寬），支持 PCIe 5.0 x16。

而近日在臺(tái)北 Computex 電腦展上，微星也一并展示了下一代英偉達(dá) RTX 旗艦顯卡的散熱設(shè)計(jì)。據(jù)介紹，微星使用了動(dòng)態(tài)雙金屬鰭片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六條貫穿式純銅熱管、大面積鋁質(zhì)鰭片中也嵌入了銅片，進(jìn)一步增強(qiáng)散熱，而顯存區(qū)域也有對(duì)應(yīng)的銅片。

IT之家認(rèn)為，結(jié)合當(dāng)下所曝光的信息，結(jié)合如此散熱條件，RTX 5090 的原始功耗和發(fā)熱應(yīng)該會(huì)給人留下深刻的印象。