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據(jù)韓媒報道，知情人士表示，預計三星電子將在下周宣布采用 Gate - Al - Around ( GAA ）技術的3nm制程工藝量產。

三星表示，與現(xiàn)有 FinFET 相比，該技術可將面積減少45%，同時提供30％的性能提升和50％的功耗降低過程。另外，三星表示，其2nm工藝節(jié)點處于早期開發(fā)階段，計劃于2025年實現(xiàn)量產。