以下內(nèi)容由盛世清北搜集整理，主要針對北大微電子學與固體電子學考研進行說明。

微電子學與固體電子學，專業(yè)代碼為080903，所屬院系為深圳研究生院和信息科學技術學院。

【研究方向及初試內(nèi)容】

深圳研究生院

方向：00. 不區(qū)分研究方向

科目：① 101 思想政治理論 ② 201 英語一 ③ 301 數(shù)學一 ④ 838 電子線路 或 855 半導體物理

信息科學技術學院

方向：01. 微納電子器件及集成技術( ULSI) ?02. 系統(tǒng)集成芯片(SOC)設計及設計方法學 ?03. 微電子機械系統(tǒng)(MEMS) ?04. 寬禁帶半導體器件及集成技術

科目：① 101 思想政治理論 ② 201 英語一 ③ 301 數(shù)學一 ④ 838 電子線路 或 855 半導體物理

【考研分數(shù)線】

北大838 電子線路和855 半導體物理沒有官方公布的考試大綱，可參考盛世清北考研復習規(guī)劃指導。

參考書目

838 電子線路

《電路分析原理》，胡薇薇，清華大學出版社，2014年;

《模擬電子技術基礎》第4版，童詩白、華成英，高等教育出版社，2006年;

《數(shù)字設計:原理與實踐》，J.F.Wakerly，英文原版/中譯本，高等教育/機械工業(yè)出版社。

855 半導體物理

《半導體物理學》（第7版），劉恩科、朱秉升、羅晉生，電子工業(yè)出版社，2011-03。

PS：以上參考書為盛世清北推薦，僅供參考。

【考研真題】

838 電子線路

第一部分 電路分析和模電部分

簡答題16分

1.求一個對稱，互異的網(wǎng)絡的z參量。第二問利用阻抗匹配原理求負載。信號源內(nèi)阻多大時。有最大輸出功率。

2.求一個電容網(wǎng)絡的輸出電壓。利用三要素法或者laplace變換。

3rc.lc振蕩電路各自優(yōu)缺點。

4.三極管放大電路，差分輸入型。第二級是共射，

第一問求靜態(tài)工作點。第二問求電壓比，Kv

5.模電部分未完待續(xù)

第二部分 數(shù)電

第七題 選擇填空20分

一共26個左右空格，選20個空。

1，ADC轉換精度。

2.10進制轉化成二進制， 8進制。

3.ram

4.d觸發(fā)器的vhdl判斷。選擇題

5.vhdl基本語法題

6.實物圖的建立時間什么的判斷，讓你判斷t是什么

大題部分。

八，74160異步清0，10進制計數(shù)器構成一個好像是6進制的計數(shù)器，題目是讓你判斷是多少進制計數(shù)器。

九，原題。數(shù)電期末，還是真題上，課本習題

兩個sr鎖存器，輸入X1.X2 .求輸出 畫狀態(tài)轉換圖。給你一個X1.X2的幾個輸入。讓你寫輸出

十。同步時序電路設計

ATM機器取錢。最多進三個人。輸入是x.分別表示進人出人。輸出是y指示燈。，沒人時自動關，有人時自動開。我設了4個狀態(tài)。 S0.表示沒人， s1一個人。s3三個人。。。。。然后狀態(tài)編碼。順序編碼00.01.10.11 說到此處強烈吐槽，我是寫00.01.11.10，，，后來才改過來。。。然后用指定的d.觸發(fā)器實現(xiàn)

855 半導體物理

一、名詞解釋

受主、雪崩擊穿、異質結、費米釘扎(還有兩個記不清了，歷年真題中可以找到)

二、半導體A、B的電導率-溫度曲線如下

1.說明A、B半導體的類型，并說明原因

2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機制是什么

三、題干給出了兩種材料(n型Eg較窄，p型Eg較寬)的能帶圖，畫出這兩種材料形成異質結后在如下情形的能帶圖

1.無外加偏壓

2.施加反向偏壓Va

四、p-mos管(n型襯底)中，Wm<WS，SIO2層厚度及介電常數(shù)已知，< p>

SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布

1.寫出平帶電壓表達式

2.畫出平帶時的能帶圖

五、PN結P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd

1.算出施加正向偏壓Va時p區(qū)邊界少子濃度

2.畫出正偏時I-V曲線

3. Na，Nd很小時，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別

六、同時在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd

1.寫出電荷守恒表達式

2.寫出低溫區(qū)Ef與T的關系

3.示意在能帶圖中畫出Ef隨T的變化曲線

2022考研復試進入備考期，盛世清北建議考生們多多搜集考研信息、考研參考書、考研分數(shù)線、考試大綱、考研真題、考研復試信息、考研經(jīng)驗等。在考研初復試中做到知己知彼，才能增加自身競爭實力。