一、導(dǎo)師及課題組簡介

孫健博士，教授，IEEE高級會員，日本國立理化研究所客座科學(xué)家，入選湖南省委高層次青年人才項目。2013年獲沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）電子工程博士學(xué)位。2013-2018年先后在日本國立北陸先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)、國立理化學(xué)研究所從事研究工作。在Science Advances, AM, AFM, Nano Letters，ACS?Nano，APL, IEEE?EDL 等國際學(xué)術(shù)期刊發(fā)表通訊作者論文40余篇。

課題組主要研究方向為面向后摩爾的新原理電子信息功能器件。具體內(nèi)容包括：

1.?二維半導(dǎo)體電子器件輸運(yùn)特性的缺陷工程調(diào)控；

2.?二維半導(dǎo)體電子器件輸運(yùn)特性的鐵電調(diào)控及鐵電晶體管器件開發(fā)；

3.?新原理電子信息功能器件，以及低功耗、神經(jīng)形態(tài)、存儲等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

二、應(yīng)聘條件

1. 具有微納電子、材料物理及相關(guān)領(lǐng)域的博士學(xué)位（或近期能順利完成博士論文答辯并達(dá)到博士學(xué)位申請條件可用“學(xué)位證明”暫代“博士學(xué)位證”，但需要入站后6個月內(nèi)提交博士學(xué)位證書。）；

2. 具有獨立開展科研的能力、扎實的專業(yè)積累、良好的職業(yè)操守以及團(tuán)隊合作精神；

3. 符合中南大學(xué)博士后的基本條件；

4. 將優(yōu)先考慮如有以下研究背景的申請者：

1）微納器件的加工、制成技術(shù)；

2）微納電子器件的電學(xué)測量；

3）熟悉半導(dǎo)體材料與器件物理相關(guān)知識背景。

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三、薪資待遇

1. 實行“基礎(chǔ)年薪+科研績效”的薪酬模式。按中南大學(xué)博士后管理規(guī)定，博士后人員基礎(chǔ)年薪實行分類資助。

特別資助類：“博新計劃”、“博士后國際交流計劃”(引進(jìn)項目)入選者，年薪30-35萬。

重點資助類：年薪20-25 萬。

一般資助類：年薪15-20 萬。

按中南大學(xué)博士后管理辦法規(guī)定繳納社會保險及住房公積金，享受相應(yīng)職工福利待遇?！翱蒲锌冃А备鶕?jù)個人文章產(chǎn)出情況按課題組標(biāo)準(zhǔn)發(fā)放。

2. 符合條件者支持申請“博新計劃”和“博士后國際交流計劃引進(jìn)項目”，以及“湖南省優(yōu)秀博士后創(chuàng)新人才”等人才計劃（待遇見中南大學(xué)博士后管理辦公室主頁）。

3. 學(xué)校提供2-10萬元的科研啟動費(fèi)，獲得國家博士后或者學(xué)校相應(yīng)人才項目的按政策給與額外的科研經(jīng)費(fèi)支持。在聘期內(nèi)支持以項目負(fù)責(zé)人身份申請國家自然科學(xué)基金、中國博士后科學(xué)基金、湖南省自然科學(xué)基金等各級科研基金課題。凡獲得博士后基金資助人員，均可申請學(xué)校提供的博后課題資助，用于配套資助。

4.優(yōu)秀者將派送到韓國成均館大學(xué)等國外知名高校和研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行博士后聯(lián)合培養(yǎng)。

5.優(yōu)先提供博士后公寓住房；未安排博士后公寓的，按1800元/月標(biāo)準(zhǔn)提供租房補(bǔ)貼。

6.博士后人員在站期間，其子女入托、入學(xué)等有關(guān)事宜，享受我校教師同等待遇。

7.?特別優(yōu)秀者在站期間可申報研究系列副研究員；符合學(xué)校新進(jìn)教師遴選標(biāo)準(zhǔn)的博士后，可在出站前六個月內(nèi)提出留校申請。其中，入選“博新計劃”者，申請留校不受學(xué)院進(jìn)人指標(biāo)限制，入選“升華博士后”稱號者，申請留校不受本校來源限制。

更多詳情可查閱中南大學(xué)博管辦http://bsh.csu.edu.cn/。

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四、應(yīng)聘材料
1、個人簡歷（含學(xué)習(xí)、工作和科研經(jīng)歷）；2、相關(guān)學(xué)術(shù)成果清單及證明材料。

應(yīng)聘者把資料發(fā)送至郵箱：?jian.sun@csu.edu.cn