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SBT30100VDC肖特基二極管：是一種低功耗、超高速的半導體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導的，所以它的反向飽和電流比由少數(shù)載流子傳導的PN結(jié)大得多。SBT30100VDC最顯著的特點是反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向壓降僅為0.4V左右。SBT30100VDC多見于通信電源、變頻器等，因此是高頻、快速開關(guān)的理想器件。

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SBT30100VDC參數(shù)描述

型號：SBT30100VDC

封裝：TO-263

特性：低壓降肖特基二極管

電性參數(shù)：30A，100V

芯片材質(zhì)：金屬硅芯片

正向電流(Io)：30A

芯片個數(shù)：2

正向電壓(VF)：0.52V

芯片尺寸：94MIL

浪涌電流Ifsm：250A

漏電流(Ir)：8uA

工作溫度：-65~+150℃

恢復時間(Trr)：<5nS

引線數(shù)量：3

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肖特基二極管SBT30100VDC的特點有哪些：

1、正向壓降：肖特基二極管的正向壓降遠低于快恢復二極管，因此自身功耗小，效率高。

2、反向恢復時間短：其反向恢復時間極短（可小至幾納秒），適合工作在高頻條件下。

3、抗大電流：能承受大浪涌電流。反向耐壓低：一般肖特基管的反向耐壓一般在200V以下，一般在100V左右。

4、耐高溫：市面上常見的肖特基管的最高結(jié)溫為100℃、125℃、150%、175℃（結(jié)溫越高，產(chǎn)品的耐高溫性越好）。

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肖特基二極管SBT30100VDC在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大不同，其內(nèi)部由陽極金屬（由鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料和N外延層（砷材料）、N型硅襯底、N陰極層和陰極金屬等組成。

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在N型襯底和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當肖特基勢壘兩端（陽極金屬接電源正極，N型襯底接電源負極）施加正向偏壓時，肖特基勢壘層變窄，內(nèi)阻變小；相反，如果在肖特基勢壘的兩端施加反向偏壓，則肖特基勢壘層變寬，其內(nèi)阻變大。