CCP全稱是Capacitively Coupled Plasma，即電容耦合等離子。是一種廣泛用于芯片制造刻蝕的工藝，能夠以極高的精度和對(duì)材料的最小損傷來刻蝕晶圓材料。

CCP工作原理：電容耦合等離子體刻蝕由兩塊平行金屬板組成，兩個(gè)金屬電極相隔一小段距離。反應(yīng)器中的氣體壓力可以小于或等于大氣壓。典型的 CCP 系統(tǒng)由單個(gè)射頻(RF) 電源驅(qū)動(dòng)，通常頻率為 13.56 MHz。兩個(gè)電極之一連接到電源，另一個(gè)接地。由于這種結(jié)構(gòu)在原理上類似于電路中的電容器，因此在這種結(jié)構(gòu)中形成的等離子體稱為電容耦合等離子體。?

當(dāng)電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)時(shí)，氣體中的電子響應(yīng)電場(chǎng)并獲得能量。??離子越重，獲得的能量就越少。高能電子可以直接或間接地通過碰撞使氣體電離，產(chǎn)生二次電子。當(dāng)電場(chǎng)足夠強(qiáng)時(shí)，它會(huì)導(dǎo)致所謂的電子雪崩。雪崩擊穿后，由于有大量的自由電子，氣體變得導(dǎo)電。它通常伴隨著氣體中激發(fā)的原子或分子的光發(fā)射，當(dāng)產(chǎn)生可見光時(shí)，用肉眼也可以間接觀察到?等離子體的產(chǎn)生，。

之后等離子體中的離子受到電場(chǎng)的吸引，以高速?zèng)_向其中一個(gè)電極，這個(gè)電極通常是覆蓋有要刻蝕材料的晶圓。?離子以高速撞擊材料表面，與表面的原子或分子發(fā)生物理和化學(xué)反應(yīng)，從而達(dá)到刻蝕的效果。CCP的優(yōu)勢(shì)刻蝕速度更快：因?yàn)镃CP刻蝕系統(tǒng)能夠產(chǎn)生高密度的等離子體，RF（射頻）電源產(chǎn)生的電場(chǎng)可以加速離子，使它們以更高的能量撞擊待刻蝕的材料，從而提高刻蝕速度。

刻蝕精度高：在CCP刻蝕過程中，由于射頻電場(chǎng)的存在，離子的轟擊方向性較好，這意味著離子主要是垂直于待刻蝕表面的方向移動(dòng)。這種方向性轟擊有助于實(shí)現(xiàn)高精度的刻蝕，因?yàn)樗梢詼p少側(cè)向刻蝕，從而提高刻蝕的深寬比。

均勻性好：由于電容耦合的特點(diǎn)，CCP刻蝕通常能夠在較低的氣壓下產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體。等離子體的能量分布均勻，有利于實(shí)現(xiàn)均勻的刻蝕過程。

ccp應(yīng)用領(lǐng)域：
微電機(jī)系統(tǒng)（MEMS）光電子器件納米材料研究等
CCP的常見刻蝕材料：半導(dǎo)體材料，如硅、鍺、砷化鎵、氮化鎵等。絕緣材料，如氧化硅、氮化硅、氧化鋁等。金屬材料，如鋁、銅、鈦、鎢、金、銀等。光學(xué)材料，如玻璃、石英等。

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