????對(duì)于主芯片沒(méi)什么特別需要說(shuō)明的，可能讓有的同學(xué)好奇的是為啥主芯片周?chē)鷽](méi)有晶振電路呢？這是因?yàn)椴捎玫男酒瑑?nèi)部時(shí)鐘，一是為了節(jié)省面積，二由于板子體積較小，對(duì)于晶振干擾較大。如果自己想加的話(huà)，在晶振周?chē)σ粔K地銅進(jìn)行隔離。但內(nèi)部時(shí)鐘也能用，雖然沒(méi)那么精準(zhǔn)。對(duì)于下載，可以引出四個(gè)焊點(diǎn)，用燒錄探針進(jìn)行燒錄(USB轉(zhuǎn)TTL)，或者直接焊導(dǎo)線(xiàn)引出也可以。對(duì)于下載部分常見(jiàn)的出問(wèn)題地方：1.設(shè)定單片機(jī)的運(yùn)行時(shí)鐘頻率(硬件選項(xiàng)下面)

2.波特率是否設(shè)置? 3.接線(xiàn)是否一致(TX接RX)? 從PWM輸入那一部分引出的5V，可以起一個(gè)檢測(cè)作用(是否工作)，是否去帶動(dòng)外部設(shè)備，取決于你的電源部分 3.接地是必須的，只有在一個(gè)地平面，才能下載。

????對(duì)于FD6288Q(也可以用EG2132或EG2113)，這一款芯片性?xún)r(jià)比高，體積也小巧。

有同學(xué)可能好奇，假設(shè)MOS管的Vgs是8v，那對(duì)于高臂橋的NMOS，它的源極是有接近電源電壓的，那G極應(yīng)該是要8+電源電壓的，而這一管腳輸出電壓卻是最高只有電源電壓，會(huì)不會(huì)根本導(dǎo)通不了呢？這就要提到自舉二極管和自舉電容的作用了，若第一幅圖的下橋臂導(dǎo)通，則電源->二極管->電容(雖說(shuō)電容隔直流，但在導(dǎo)通的一瞬間不是直流狀態(tài))->下橋臂->地，在電容充滿(mǎn)后截止，而二極管起到了防止充滿(mǎn)后電容的放電路徑。

對(duì)于二極管，不僅需要選壓降低的(降低功耗，減少壓差消耗)還要自恢復(fù)時(shí)間短(防止電容的電荷放完)，我個(gè)人推薦選1N5819W，比較合適。

對(duì)自舉電容，可以用 C = Qg/(VCC-Vf)，Vf為二極管壓降，Qg為MOS管導(dǎo)通柵極所需電荷量。(計(jì)算完后可以選用臨近的常用容值)，濾波電容一般選擇大于10倍自舉電容，可以再并一個(gè)104電容，加強(qiáng)濾波。

柵極電阻一般選用5-10Ω(減少振鈴現(xiàn)象)，也有精準(zhǔn)的計(jì)算公式，但是比較麻煩，若有需要，下一期可以解釋解釋。

對(duì)于雙向TVS，加入可以吸收浪涌電壓。

對(duì)于NMOS管的選型，主要在于兩個(gè)參數(shù) Vgs(要求在±20V)以及Qg(影響自舉電容的選取)，對(duì)于Rds能小自然更好，對(duì)于逐飛的那一款MOS，性?xún)r(jià)比不高，這里我推薦一款場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)/N溝道 40V 68A WSD4070DN價(jià)格不貴，一塊多一點(diǎn)。

對(duì)于ADC的采集，STC單片機(jī)的最大的電壓是5v，可以加一個(gè)TVS管，防止接入電壓過(guò)高或器件損壞導(dǎo)致ADC口燒壞，我推薦的型號(hào)是 SMF5.0A

對(duì)于電路的供電，可以選用同步BUCK降壓(可以選用優(yōu)信的SY系列)加LDO的方式，效率高。對(duì)于LDO的選型，一般LDO的效率在40%-50%左右，50%都算高的，選輸出150mA的差不多，可以選用封裝小的，減小體積。

對(duì)于電調(diào)外加的220uF的點(diǎn)解電容，盡量加上，減少電流過(guò)大的過(guò)載過(guò)流現(xiàn)象，抑制干擾。

對(duì)于布板地平面的分割，空間夠可以分割。

以上便是對(duì)于硬件電路的分析，歡迎留言，PCB將在后續(xù)推出！