最新消息，國(guó)內(nèi)廠商蘇州科美宣布推出備受期待的第二代全國(guó)產(chǎn)SODIMM內(nèi)存條，在實(shí)現(xiàn)了全國(guó)產(chǎn)的同時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了防硫化和30邁金手指鍍金，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，為工業(yè)級(jí)計(jì)算機(jī)、信創(chuàng)等系統(tǒng)應(yīng)用帶來高可靠的進(jìn)口替代產(chǎn)品。讓小編帶大家一起，深入探索這項(xiàng)突破性的產(chǎn)品特色，揭示此系列內(nèi)存條的創(chuàng)新之處。

據(jù)了解，科美第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，搭載高品質(zhì)長(zhǎng)鑫A die晶片，頻率為2666，可選容量為8GB和16GB。經(jīng)科美嚴(yán)苛性能與可靠性測(cè)試，可在常溫（0℃~ +70℃）、寬溫（-40℃~+85℃）的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

據(jù)悉，第二代全國(guó)產(chǎn)SODIMM內(nèi)存條是科美砥礪前行的成果。此系列內(nèi)存條相比于科美第一代內(nèi)存條產(chǎn)品，第二代SODIMM內(nèi)存條引入了兩項(xiàng)重要的創(chuàng)新技術(shù)。

首先，第二代SODIMM內(nèi)存條新增了金手指30μ鍍金技術(shù)，此技術(shù)不僅加強(qiáng)了內(nèi)存條的導(dǎo)電性能，還在信號(hào)傳輸中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，為內(nèi)存條的信號(hào)傳輸保駕護(hù)航，穩(wěn)定性和效率顯著提升。

其次，科美還引入的防硫化技術(shù)，此技術(shù)為內(nèi)存條的穩(wěn)定性提供了堅(jiān)實(shí)保障，使其在惡劣環(huán)境下依然能夠持續(xù)高效運(yùn)行，為內(nèi)存條提供了額外的保護(hù)層，有效抵御了硫化物帶來的潛在損害。

這兩種技術(shù)的研發(fā)，使得科美內(nèi)存條兼具高效導(dǎo)電與長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠的雙重優(yōu)勢(shì)。

相關(guān)消息稱，科美第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條不僅新增了上述兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，還具有下述特點(diǎn)：

穿透100%全國(guó)產(chǎn)

科美第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條實(shí)現(xiàn)了穿透全國(guó)產(chǎn)，此產(chǎn)品搭載國(guó)產(chǎn)自主可控的長(zhǎng)鑫（CMXT）最新DDR4內(nèi)存芯片，存儲(chǔ)器頻率為3200MT/s， 具有高速數(shù)據(jù)傳輸、性能穩(wěn)定、功耗低等特點(diǎn)，可適用于多領(lǐng)域應(yīng)用，為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)騰飛貢獻(xiàn)一份力量。

可達(dá)寬溫

科美一直以來對(duì)產(chǎn)品性能和可靠性的要求極高。第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條經(jīng)過嚴(yán)苛的性能與可靠性測(cè)試，可在常溫（0℃~ +70℃）和寬溫（-40℃~+85℃）的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適用于各類工業(yè)計(jì)算機(jī)、監(jiān)控設(shè)備、自動(dòng)化與嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。無論是嚴(yán)寒的北方還是酷熱的南方，它都能夠始終如一地可靠工作。

金手指30μ鍍金厚度

工業(yè)應(yīng)用可能會(huì)遇到各種挑戰(zhàn)，如長(zhǎng)期運(yùn)行、空氣污染、濕度和溫度變化、灰塵、震動(dòng)、化學(xué)腐蝕和其他外部干擾。這些都將影響內(nèi)存條的可靠性。

科美第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條采用金手指連接器，連接PCB到主板，確保信號(hào)或命令可靠地傳輸。除了連接性，合金還保護(hù)電路板的邊緣不受損壞。最重要的是，此系列內(nèi)存條金手指融入了30μ鍍金厚度，為工控設(shè)備的提供更大的導(dǎo)電性，并防止氧化，磨損和化學(xué)反應(yīng)，確保工控設(shè)備在不利條件下穩(wěn)定可靠地運(yùn)行，特別適用于軍事、監(jiān)視系統(tǒng)、工廠自動(dòng)化和運(yùn)輸領(lǐng)域。

防硫化技術(shù)

硫化(這里指金屬硫化)，是硫與空氣或水份反應(yīng)而形成硫化氫。當(dāng)硫化氫被吸附于金屬表面，逐漸與金屬結(jié)合產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，而形成硫化物。當(dāng)硫化氫自內(nèi)存的邊緣擴(kuò)散至電阻層時(shí)，引發(fā)化學(xué)反應(yīng)，使得原先作為導(dǎo)體的氯化銀電極轉(zhuǎn)變?yōu)榻^緣體的硫化銀，導(dǎo)致電阻無法正常發(fā)揮功能，甚至形成開路。

針對(duì)工控設(shè)備有可能應(yīng)用在高溫、高濕、高污染等硫氣濃度高之環(huán)境，例如曝露于廢氣排放濃度高區(qū)域，或礦區(qū)的電子設(shè)備上，內(nèi)存模塊上有可能會(huì)發(fā)生硫化并影響功能，為了避免電阻硫化，則需對(duì)電阻進(jìn)行抗硫化的處理?？泼赖诙I(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條引入的防硫化技術(shù)，為內(nèi)存條提供了額外的保護(hù)層，有效抵御硫化物對(duì)內(nèi)存條的腐蝕影響，延長(zhǎng)了其使用壽命，確保在惡劣環(huán)境中也能長(zhǎng)壽命、可靠運(yùn)行。

惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行

工控設(shè)備常應(yīng)用在潮濕、振動(dòng)、污染、腐蝕等惡劣環(huán)境中，科美第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條在嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境下依然能夠可靠運(yùn)行，進(jìn)一步賦能工控設(shè)備的耐久性，以適應(yīng)工業(yè)應(yīng)用設(shè)備較長(zhǎng)的生命周期。

廣泛兼容國(guó)產(chǎn)平臺(tái)和操作系統(tǒng)

在科技生態(tài)中，無縫兼容是創(chuàng)新的基礎(chǔ)?？泼纼?nèi)存條已在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行多重兼容性測(cè)試，與飛騰、龍芯等國(guó)產(chǎn)CPU平臺(tái)，以及麒麟、銀河、統(tǒng)信等國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)進(jìn)行了緊密適配。無論您的系統(tǒng)配置如何，科美內(nèi)存條都能為您提供穩(wěn)定、高效的支持。

科美官方透露，第二代工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存條的發(fā)布，標(biāo)志著科美在自主可控領(lǐng)域持續(xù)的突破與創(chuàng)新?？泼郎钚?，創(chuàng)新是引領(lǐng)未來的鑰匙，也是科美前進(jìn)的動(dòng)力。這款內(nèi)存條的問世，將為國(guó)產(chǎn)科技注入新的生命力，為國(guó)內(nèi)工業(yè)界帶來新的發(fā)展機(jī)遇。

基于此，相信在科美的努力下，未來會(huì)有更多的工業(yè)級(jí)全國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條呈現(xiàn)給我們。這些內(nèi)存條將為工業(yè)應(yīng)用提供更加穩(wěn)定、可靠的保障，推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域的不斷發(fā)展。同時(shí)，也為國(guó)產(chǎn)科技產(chǎn)業(yè)注入新的活力，提升我國(guó)科技產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力和創(chuàng)新能力。讓我們一起期待科美發(fā)布更多優(yōu)秀的科技成果！