? 硅片經(jīng)過(guò)線切割機(jī)的切割加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，要達(dá)到工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，就必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的清洗工序。由于切割帶來(lái)的嚴(yán)重污染，其表面的清洗工序也必然需要比較復(fù)雜和精細(xì)的工藝流程。

一、硅片污染分類

具體來(lái)說(shuō)硅片表面沾污大致可分為三類∶

? 1、有機(jī)雜質(zhì)沾污∶ 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合兆聲波清洗技術(shù)來(lái)去除。

? 2、顆粒沾污∶運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或兆聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥0.4 μm 顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μum 顆粒。

? 3、金屬離子沾污∶ 該污染必須采用化學(xué)的方法才能將其清洗掉。硅片表面金屬雜質(zhì)沾污又可分為兩大

類∶

（1）、沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。

（2）、帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如"電鍍"）到硅片表面。

硅片表面污染的清洗技術(shù)與方法

? 硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于去除這種沾污，使得硅片達(dá)到工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。自 1970 年美國(guó) RCA 實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式 RCA 化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年 RCA 實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來(lái)以 RCA 清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)。

? 目前在實(shí)際的硅片切割清洗過(guò)程中，一般按按下述辦法進(jìn)行清洗以去除沾污。

? 1、用 H2O2 作強(qiáng)氧化劑，使"電鍍"附著到硅表面的金屬離子氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。

? 2、用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子（如 H+），一般用 HCL 作為 H+的來(lái)源，替代吸附在硅片表面的金屬離子，使其溶解于清洗液中，從而清除金屬離子。

? 3、用大量去離子水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。

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? 由于SC-1 是 H2O2 和 NH4OH的堿性溶液，通過(guò) H2O2 的強(qiáng)氧化和 NH4OH 的溶解作用，使有機(jī)物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除;同時(shí)溶液具有強(qiáng)氧化性和絡(luò)合性，能氧化 Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg 等，使其變成高價(jià)離子，然后進(jìn)一步與堿作用，生成可溶性絡(luò)合物而隨去離子水的沖洗而被去除。因此用 SC-1 液清洗拋光片既能去除有機(jī)沾污，亦能去除某些金屬沾污。在使用 SC-1液時(shí)結(jié)合使用兆聲波來(lái)清洗可獲得更好的清洗效果。

? 另外 SC-2 是 H2O2 和 HCL 的酸性溶液，具有極強(qiáng)的氧化性和絡(luò)合性，能與氧化以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與 CL-作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除。

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? 華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國(guó)內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來(lái)與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開(kāi)發(fā)出適合于4時(shí)-8時(shí)的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備

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設(shè)備用途∶

? 清洗槽用于6/8時(shí)兼容，集成電路制造工藝的最終清洗。配合LOAD and UNLOAD的上下料，實(shí)現(xiàn)干追干出，每批次50枚Cassette Type的高效清洗。共有三種工藝槽，三水槽+一個(gè)干燥單元∶

? 1個(gè)DHF清洗槽、1個(gè)OF槽、1個(gè)SC-1槽、1個(gè)QDR槽、1個(gè)SC-2槽、1個(gè)QDR槽、1個(gè)干燥槽。設(shè)備功能∶

●Chemical BATH∶ 自勤換酸，自勤洗槽，自勤槽內(nèi)配比?！馜IW BATH: Pre Flow and After Change Function?！馭/D∶ 6/8 Inch 自勤換位，旋干。

●機(jī)械手臂∶Chuck Open/Close Type，Speed ‰可控夔勤;

●Scheduler∶ 排程計(jì)算，實(shí)現(xiàn)多批次同峙清洗，不登生Process Over Time。●Safety∶ Door，TEMP，LEVEL，Exhaust...等等INTERLOCK Safety。設(shè)備工藝流程∶

●進(jìn)貨區(qū)（LOAD）→DHF（100∶1）→OF 槽→SC-1 槽→QDR 槽→SC-2 槽→QDR槽→S/D 槽→→出貨區(qū)（UNLOAD）

●High WPH Type∶ AWB200-T。雙Cassette 50 枚/槽?！?/8 inch 兼容Cassette Type。

●前面式機(jī)械手臂∶ ARM-1、ARM-2、ARM-3 共三套?！駲C(jī)臺(tái)上部設(shè)有高效過(guò)濾器（FFU）。

工藝技術(shù)指標(biāo)∶

1.該設(shè)備應(yīng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)作業(yè)，可自動(dòng)過(guò)程控制工藝、沖水及干燥全套作業(yè)，并具備自動(dòng)供液、自勤洗槽、SC1-1槽帶有兆聲; 可編程選擇工藝槽及工藝時(shí)間進(jìn)行清洗。

2.通過(guò)DHF/SC-1/SC-2完成最終清洗工藝，對(duì)圓片表面沾污及顆粒實(shí)現(xiàn)有效清洗。顆粒要求0.2um，0.16um作為參考，金屬1E10。 3. N2過(guò)濾精度∶ 0.01μm。

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