上篇文章我們介紹了半導(dǎo)體材料中的基體材料，本文開始我們將介紹半導(dǎo)體材料中的工藝材料，由于工藝材料細分種類繁多，且每一個細分種類都需要比較大的篇幅，因此如果放在一篇文章中將會顯得太過繁雜，也不利于閱讀，因此我們將分開介紹。

半導(dǎo)體工藝材料在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的細分種類主要包括：電子特氣、光刻膠、掩膜版、濕電子化學(xué)品、拋光材料、靶材、薄膜工藝前驅(qū)體，以及其他材料等。接下來我們將按順序?qū)@些細分種類的工藝材料進行簡單梳理。

1、電子特氣

電子特氣，即電子特種氣體，是電子工業(yè)的關(guān)鍵原料，屬于工業(yè)氣體的重要分支。工業(yè)氣體是工業(yè)中對常溫常壓下呈氣態(tài)的產(chǎn)品的統(tǒng)稱， 電子特氣則是工業(yè)氣體中附加值較高的品種。工業(yè)氣體是現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)原材料，在國民經(jīng)濟中有著重要地位和作用，廣泛應(yīng)用于冶金、化工、醫(yī)療、食品、機械、軍工等傳統(tǒng)行業(yè)，以及半導(dǎo)體、液晶面板、LED、光伏、新能源、生物醫(yī)藥、新材料等新興產(chǎn)業(yè)，對國民經(jīng)濟的發(fā)展有著戰(zhàn)略性的支持作用，因此被喻為“工業(yè)的血液”。

工業(yè)氣體產(chǎn)品種類繁多，分類方式多樣。按化學(xué)性質(zhì)不同可分為劇毒氣體（如氯氣、氨氣等）、易燃氣體（如氫氣、乙炔等）、不燃氣體（如氧氣、氮氣和氬氣等）。按組分不同可以分為工業(yè)純氣和工業(yè)混合氣。按制備方式和應(yīng)用領(lǐng)域的不同，可分為大宗氣體和特種氣體。大宗氣體產(chǎn)銷量較大，但一般對氣體純度要求不高，又分為空分氣體與合成氣體，主要用于冶金、化工、機械、電力、造船等傳統(tǒng)領(lǐng)域；特種氣體指在部分特定領(lǐng)域應(yīng)用的氣體產(chǎn)品，根據(jù)純度和用途又可以細分為標準氣體、高純氣體和電子特種氣體。特種氣體雖然產(chǎn)銷量小，但是種類繁多，對氣體純度、雜質(zhì)含量等指標有較高要求，屬于高技術(shù)、高附加值的產(chǎn)品，下游主要應(yīng)用于集成電路、液晶面板、LED、光伏、生物醫(yī)藥、新能源等新興產(chǎn)業(yè)。從整個工業(yè)氣體市場的產(chǎn)銷量來看，空分氣體應(yīng)用領(lǐng)域最廣泛、使用量最大，占工業(yè)氣體的約90%，其余為合成氣體和特種氣體。

大宗氣體中，空分氣體主要通過分離空氣制取，主要有氧氣、氮氣、氬氣等，是空氣的主要成分，在空氣中的體積占比一般為20.95%、78.08%、0.93%；合成氣體主要有乙炔、氨氣等，這些氣體的制備方法與空分氣體截然不同，應(yīng)用領(lǐng)域也有較大差別。大宗氣體純度要求≤4N（N 為 Nine 簡寫，4N表示4個9，即99.99%）。特種氣體中，標準氣體主要有單元/二元/三元/多元標氣；高純氣體主要有氧氣、氮氣、氫氣、氬氣、二氧化碳等；電子特氣主要有氫化物、氟化物、鹵素氣體以及其他特種氣體等，現(xiàn)有單元特種氣體已超過260種。特種氣體純度要求≥5N（99.999%），電子特氣純度要求一般>6N（99.9999%）。

廣義的“電子氣體”指電子工業(yè)生產(chǎn)中使用的氣體，是最重要原材料之一， 狹義的“電子氣體”特指電子半導(dǎo)體行業(yè)用的特種氣體，主要應(yīng)用于前端晶圓制造中的外延、摻雜、化學(xué)氣相沉積、光刻、刻蝕、摻雜、清洗等諸多環(huán)節(jié)。電子特種氣體的純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質(zhì)量、集成度、特定技術(shù)指標和成品率，并從根本上制約著電路和器件的精確性和準確性，對于半導(dǎo)體集成電路芯片的質(zhì)量和性能具有重要意義。根據(jù)德國普爾茨海姆應(yīng)用技術(shù)大學(xué)工業(yè)生態(tài)研究所（INEC）的 Mario Schmidt 教授等人共同撰寫的論文《用于微電子芯片和太陽能電池硅片加工的生命周期評估》測算，每平方米邏輯電路晶圓加工所需要的電子特氣約為37.3kg，每平方米存儲電路晶圓加工需要約12.0kg的電子特氣。在所有特種氣體中，電子特氣的市場規(guī)模最大，在特種氣體市場規(guī)模占比超過60%。隨著未來 5G 和汽車電子化的趨勢以及集成電路技術(shù)與制造工藝的提升，電子特氣的用量也會得到大幅度的提升。

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為了做一個更全面的了解，本文我們以電子氣體的方式和范圍進行介紹，這樣也方便大家對電子特氣和電子大宗氣體做比較研究。電子氣體品類繁多，根據(jù)不同的標準，電子氣體有不同的分類方式。按照用途可分為電子大宗氣體和電子特種氣體；按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為集成電路、顯示面板、發(fā)光二極管、光伏等；按照氣體組分的性質(zhì)可分為氮氧化合物、氫化物、氟碳類、碳氧化合物、氨化物、混合氣等。

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（1）按用途：電子大宗氣體和電子特氣。

電子大宗氣體（Bulk Gas）主要用于環(huán)境氣、保護氣、載氣等；電子特氣用于生產(chǎn)半導(dǎo)體、液晶、太陽能電池等各種電子產(chǎn)品的生產(chǎn)制造過程。在生產(chǎn)工藝方面，電子特氣(Special Gas)參與到離子注入、刻蝕、氣相沉積、摻雜等流程中。

下游應(yīng)用方面，電子大宗氣體在半導(dǎo)體制造過程中用量大且覆蓋85%以上的環(huán)節(jié)，可被用作環(huán)境氣、保護氣，載氣。擁有大規(guī)模用氣需求的制造工廠通常與氣體供應(yīng)商合作建設(shè)大宗氣體氣站，氣體供應(yīng)商可通過現(xiàn)場制氣裝置制取電子大宗氣體并通過管道供應(yīng)，制取過程中電力成本占80%，主要原材料為空氣。常見的大宗氣體應(yīng)用場景主要有：

相比之下，電子特氣的下游應(yīng)用涵蓋半導(dǎo)體、化工、醫(yī)療、環(huán)保和高端裝備制造等領(lǐng)域。 截止至2020年，特種氣體中的單一氣體（不包含混合氣體）共有260種，種類頗為豐富。常見的電子特氣應(yīng)用場景主要有：

（2）按應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路、顯示面板、LED、光伏等。

不同種類的電子氣體在各個應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮不同的作用。在集成電路制造中，根據(jù)不同工藝， 可分為摻雜用氣體、離子注入氣、 清洗用氣、刻蝕用氣體和光刻氣。在顯示面板生產(chǎn)中，主要應(yīng)用工藝分為清洗、刻蝕和薄膜沉積；在LED中，主要應(yīng)用工藝為外延；在太陽能電池生產(chǎn)中，主要應(yīng)用工藝為擴散、薄膜沉積和刻蝕等。

下游細分領(lǐng)域的成本占比方面，在液晶面板領(lǐng)域，電子特氣占電子氣體總成本遠小于電子大宗氣體；集成電路方面，二者的成本占比基本持平；從LED和光伏來看，電子大宗氣體略低于電子特氣的成本占比；在光纖通信領(lǐng)域，電子特氣的成本占比相對更高，約為60%。

（3）按組分：氣體組分可劃分多個種類。

按照氣體組分的性質(zhì)分類，電子特種氣體可分為氮氧化合物、氫化物、氟碳類、碳氧化合物、氨化物、混合氣等；普通工業(yè)氣體可分為氧、氮、氬、工業(yè)氨等。

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從工業(yè)氣體產(chǎn)業(yè)鏈來看，上游包括原料及設(shè)備，空分氣體的原料主要為空氣或者工業(yè)廢氣，成本較低，合成氣體的原料主要為化學(xué)產(chǎn)品，成本較高；特種氣體的原料主要為外購的工業(yè)氣體和化學(xué)原材料，成本高。設(shè)備分為氣體生產(chǎn)設(shè)備、氣體儲存設(shè)備和氣體運輸設(shè)備，氣體生產(chǎn)設(shè)備主要有空分設(shè)備和氣體提純設(shè)備，氣體儲存設(shè)備主要有鋼瓶和儲槽，氣體運輸設(shè)備主要有用液化氣槽車和管道。中游為大宗氣體和特種氣體的制造、運輸和儲存，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括傳統(tǒng)行業(yè)與新興行業(yè)。

具體到集成電路生產(chǎn)工藝方面，制造過程需使用上百種電子特種氣體， 工藝極為復(fù)雜，對于純度、穩(wěn)定性、包裝容器等方面有較高的要求。 以單晶硅片的生產(chǎn)為例，主要含硅烷、二氯二氫硅、乙硅烷等。在晶圓制造中，主要涉及的氣體類別有摻雜氣體、蝕刻清洗氣體、反應(yīng)氣體、沉積氣體等。

特種氣體的主要生產(chǎn)工序包括氣體合成、氣體純化、氣體混配、氣瓶處理、氣體充裝、氣體分析檢測。氣體合成是指原料在特定壓力、溫度、催化劑等條件下， 發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的氣體粗產(chǎn)品的步驟。氣體純化是通過精餾、吸附等方式將粗產(chǎn)品精制成更高純度的過程。氣體混配的定義是將兩種或兩種以上有效組分氣體按照特定比例混合，得到多組分均勻分布的混合氣體。氣瓶處理是根據(jù)載氣性質(zhì)及需求的不同，對氣瓶內(nèi)部、內(nèi)壁表面及外觀進行處理，以保證氣體存儲、運輸過程中產(chǎn)品穩(wěn)定的過程。氣體充裝是指通過壓力差將氣體充入氣瓶等壓力容器的工藝。氣體分析檢測即為對氣體的成分進行分析、檢測的過程。

從經(jīng)營模式來看，氣體行業(yè)的經(jīng)營模式可以分為零售供氣和現(xiàn)場供氣。其中，現(xiàn)場供氣包括現(xiàn)場制氣和管道供氣，零售供氣包括瓶裝供氣和液態(tài)供氣（又稱儲槽供氣）。

瓶裝氣體模式指采用工業(yè)氣瓶供應(yīng)氣體的模式，主要針對需求量較小或者有機動性要求的用戶。瓶裝氣體模式由于受運輸成本制約，銷售半徑一般不超過100公里，使得其區(qū)域性特征較為明顯。液態(tài)氣體模式指以自有的液態(tài)生產(chǎn)基地生產(chǎn)液態(tài)氣體，通過槽車和低溫儲罐向客戶提供液態(tài)氣體的模式，適用于距離稍遠，用氣量較大，或不具備管道供氣、現(xiàn)場制氣條件的客戶，銷售半徑一般不超過300公里，具有一定的區(qū)域性特征。

現(xiàn)場制氣指針對客戶需求變化而打造的中小型現(xiàn)場制氣裝置，或超大規(guī)?？蛻舻娜f噸級的大型高度集成化系統(tǒng)，不受運輸?shù)闹萍s，無明確的銷售半徑。管道供氣指針對用氣量較大的工業(yè)區(qū)群體客戶，通過管道把附近所生產(chǎn)的氣體輸送至有相關(guān)需求的工業(yè)園區(qū)，以滿足多個客戶同時使用的供氣模式。管道輸送的銷售半徑取決于園區(qū)的地理位置，而生產(chǎn)基地與工業(yè)園區(qū)的距離一般來說不超過20公里。

集成電路工廠對電子特種氣體的需求有多品類、小批量和高頻次的特點，基本采用高壓鋼瓶供應(yīng)，電子特氣供應(yīng)商的銷售網(wǎng)絡(luò)可覆蓋至全國及海外。鋼瓶分為氣態(tài)與液態(tài)鋼瓶，其中高壓氣體以氣態(tài)方式儲存，低壓氣體則以液態(tài)方式儲存。常用的鋼瓶容量分為47L（立式）和400L（臥式），需求量較大時會采用長管拖車進行運輸。對于具有腐蝕性、毒性、氧化性、可燃性的氣體，通常將鋼瓶安裝在氣瓶柜中，再通過管道將氣體供應(yīng)至生產(chǎn)設(shè)備附近的閥門箱，然后進入工藝設(shè)備的使用點。

電子大宗氣體供應(yīng)商通常采用現(xiàn)場制氣、液態(tài)儲罐和壓力儲罐的供應(yīng)方式。根據(jù)項目所在地各氣體生產(chǎn)、儲存狀況，集成電路工廠可單獨采用一種供氣方式或兩種供氣方式組合，例如氮氣可采用現(xiàn)場制氣加上液氮儲罐備用方式供氣，氫氣可采用電解制氫加上鋼瓶組備用方式供氣。在集成電路、顯示器等工廠集中的地區(qū)，普遍采用由一家氣體供應(yīng)商集中建設(shè)大宗氣站，通過管道向多家工廠供氣的方式，從而降低建設(shè)和運行大宗氣站的成本。選擇現(xiàn)場制氣供應(yīng)方式的客戶與氣體供應(yīng)商的業(yè)務(wù)關(guān)系相對穩(wěn)定，通常簽訂15-20年的長約，客戶按月付費。

電子氣體對于氣源及其供應(yīng)系統(tǒng)有著苛刻的要求，屬于典型的技術(shù)密集型行業(yè)，最難的壁壘體現(xiàn)在三方面：技術(shù)壁壘、認證壁壘、資質(zhì)壁壘。技術(shù)壁壘主要體現(xiàn)在其生產(chǎn)過程中涉及合成、純化、混合氣配制、充裝、分析檢測、氣瓶處理等多項工藝技術(shù)，每項技術(shù)要求都非?？量獭ＵJ證壁壘主要體現(xiàn)在認證時間長，當集成電路、顯示面板、光伏能源、光纖光纜等高端領(lǐng)域客戶對氣體供應(yīng)商的選擇時，一般會有廠商審核、多輪產(chǎn)品認證等嚴格審核流程；光伏能源、光纖光纜領(lǐng)域的審核認證周期通常為0.5-1年，顯示面板通常為1-2年，集成電路領(lǐng)域的審核認證周期長達2-3年。資質(zhì)壁壘體現(xiàn)在工業(yè)氣體屬于危險化學(xué)品，在其生產(chǎn)、儲存、運輸、銷售等環(huán)節(jié)均需通過嚴格的資質(zhì)認證。

從市場規(guī)模來看，根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2022年全球電子特氣市場規(guī)模預(yù)計為49億美元，2023和2024年分別達到52和54億美元。從增速來看，全球電子特氣行業(yè)增速將趨于平緩，預(yù)計2022-2024年全球電子特氣市場規(guī)模的CAGR為4.98%。

從競爭格局來看，當前全球電子氣體呈現(xiàn)外資寡頭壟斷的格局。 根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2020年全球電子氣體市場的CR4超75%，以海外龍頭林德集團(含普萊克斯)、空氣化工、液化空氣和日本酸素為首的氣體寡頭占據(jù)了全球七成以上的電子氣體市場份額。相比之下，中國的電子特氣產(chǎn)業(yè)起步較晚。根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，2020年海外寡頭占據(jù)了我國86%的電子特氣市場份額，國產(chǎn)化率有較大的提升空間。國內(nèi)氣體公司包括以杭氧、盈德、寶鋼氣體為代表的空分企業(yè)， 主要是以管道氣為主的現(xiàn)場制氣項目。特氣企業(yè)錯位競爭，各具優(yōu)勢，主要包括華特氣體、凱美特氣、雅克科技、金宏氣體、南大光電、昊華科技等。

2020年全球電子特氣競爭格局（左）與中國電子特氣競爭格局（右）

2、光刻膠

光刻膠(Photoresist，簡稱 PR)，又名“光致抗蝕劑”，是一種通過特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料，廣泛應(yīng)用于微納器件的光刻工藝中。光刻技術(shù)的原理起源于印刷技術(shù)中的照相制版，廣泛應(yīng)用于印刷電路板(Printed Circuit Board，簡稱PCB)、顯示面板(Flat Panel Display，簡稱FPD)、集成電路(Integrated Circuit，簡稱IC)等領(lǐng)域的光刻工藝中。

以集成電路制造為例，在光刻工藝中，掩膜上印有預(yù)先設(shè)計好的電路圖案，在硅片上的光刻膠經(jīng)過旋涂、前烘、曝光、后烘、顯影等工序后，可以將光掩模板上的微納圖形借助光刻膠曝光后發(fā)生的化學(xué)變化轉(zhuǎn)移到光刻膠上。而后再結(jié)合后續(xù)工藝，完成電路圖案信息的轉(zhuǎn)移信息的轉(zhuǎn)移，實現(xiàn)目標材料的圖案化和陣列化。作為光刻工藝的核心材料，光刻膠的品質(zhì)至關(guān)重要。2019年臺積電因使用的一批光刻膠與過去的規(guī)格有誤差，出現(xiàn)了不該有的聚合物成分，造成Fab14生產(chǎn)線上多達10萬片的晶圓報廢，公司一季度營收減少5.5億美元，毛利率降低2.6%，損失較大。

光刻膠主要由成膜樹脂（聚合劑）、光引發(fā)劑、溶劑及添加劑等混合構(gòu)成。成膜樹脂用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，是光刻膠最核心的成分，構(gòu)成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。光引發(fā)劑又稱為光敏劑或者光固化劑，它會對光輻射的能量發(fā)生反應(yīng)，包括光增感劑和光致酸產(chǎn)生劑（Photo Acid Generator，PAG），是光刻膠的關(guān)鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。其中，光增感劑即光引發(fā)助劑。PAG主要起到化學(xué)放大作用。溶劑是光刻膠中最大成分，主要成分通常為丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA，亦簡稱PMA)。溶劑主要作用是溶解或者分散光刻膠主體成分，使光刻膠具有一定的流動性，實現(xiàn)光刻膠的均勻涂覆，對光刻膠化學(xué)性質(zhì)幾乎無影響。添加劑包括單體和其他助劑等，單體對光引發(fā)劑的光化學(xué)反應(yīng)有調(diào)節(jié)作用，助劑主要用來改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì)。

?從光刻膠成分的含量來看，通常溶劑占50%-90%， 光引發(fā)劑占1%-6%， 成膜樹脂占比10%-40%，添加劑占比小于1%。此外不同波長的半導(dǎo)體光刻膠組分存在較大差異，波長越短的光刻膠樹脂含量越低，溶劑的含量越高。如接下來將會介紹到的g/i線光刻膠中樹脂的含量通常在10-20%，KrF光刻膠中為7-10%，ArF、EUV光刻膠中樹脂含量通常在5%以下。

光刻膠的種類同樣很多，按照不同的方式分類也不同。按照顯示效果可分為正性和負性；按照光引發(fā)劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)可分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型和化學(xué)放大型；按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠，每一應(yīng)用領(lǐng)域的光刻膠又有不同的分類，我們將分類方法先總結(jié)為如下思維導(dǎo)圖，而后再一一介紹：

根據(jù)顯示效果劃分，正膠和負膠的不同在于：如果光刻膠是正性的，在特定光線照射下光刻膠會發(fā)生反應(yīng)并變成溶劑，曝光部分的光刻膠可以被清除。如果為負性光刻膠，曝光的光刻膠反應(yīng)不再是溶劑，未曝光的光刻膠被清除。

根據(jù)化學(xué)結(jié)構(gòu)劃分的四種光刻膠的區(qū)別主要在于：光聚合型是最為初級的材料類型，通過烯類單體在光作用下可產(chǎn)生自由基，生成聚化物的特性，常用于制造正型光刻膠。光分解型光刻膠采用含有重氮醌類化合物材料作為感光劑，光線照射后發(fā)生光分解反應(yīng)，由油性變?yōu)樗匀軇?，可制造正性光刻膠。光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯作為光敏材料，光線照射后形成一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的不溶物，可起到抗蝕作用，適用于制成負性光刻膠。化學(xué)放大型光刻膠使用光致酸劑作為光引發(fā)劑，光線照射后，曝光區(qū)域的光致酸劑會產(chǎn)生一種酸，并在后熱烘培工序期間作為催化劑移除樹脂的保護基團，使樹脂變得可溶?；瘜W(xué)放大光刻膠對深紫外光源具有良好的光敏性，具有高對比度、分辨率等優(yōu)點。

根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠，這也是通常使用的分類方式，其中，PCB光刻膠壁壘相對較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)最先進水平。

（1）半導(dǎo)體光刻膠

半導(dǎo)體光刻膠根據(jù)曝光光源波長可以進一步分類為紫外光刻膠（300-450nm）、深紫外光刻膠（DUV，160-280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠。光刻膠波長越短，加工分辨率越高。其中常用曝光光源一共有六種，分別是紫外全譜（300～450nm）、g線（436nm）、i線（365nm）、DUV（包括 248nm 和 193nm）和EUV，相對應(yīng)于各曝光波長的光刻膠也應(yīng)運而生。電子束光刻技術(shù)（電子束光刻機）則是利用聚焦電子束對電子束光刻膠進行曝光并通過顯影獲得圖形的過程，按照工作方式可分為直接曝光和投影曝光。傳統(tǒng)電子束光刻主要用于掩膜版制作，隨著技術(shù)發(fā)展則廣泛應(yīng)用于新材料（如超材料、表面工程）、前沿物理研究（如超導(dǎo)、量子）、仿生（功能性表面）、光子（微納光學(xué)、光波導(dǎo)、光子晶體）、生物（DNA測試、納流控）、微電子等研究領(lǐng)域，以及3D結(jié)構(gòu)光器件、光子芯片、高功率芯片等加工領(lǐng)域。不同的光刻膠中，根據(jù)不同的需求，關(guān)鍵配方成份如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑等也有所不同，使得光刻膠有不同的性能，進而能夠滿足相應(yīng)的需求。

以上光刻膠中，主要應(yīng)用在集成電路制造中的包括紫外、深紫外和極紫外光刻膠。隨著IC集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。為適應(yīng)集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠的波長由紫外寬譜向G線(436nm)→I 線(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)→EUV（<13.5nm） 的方向轉(zhuǎn)移，并通過分辨率增強技術(shù)不斷提升光刻分辨率。

（2）面板光刻膠

面板光刻膠是用于平板顯示、顯示器、LCD彩色濾波片制作等光刻工藝中的光刻膠，按照應(yīng)用可以進一步細分為LCD光刻膠和OLED光刻膠。由于兩者的結(jié)構(gòu)都為三明治結(jié)構(gòu)，制作工藝也有相似之處，因此所使用的光刻膠也大體相似，有所區(qū)別的是濾光片ITO光刻膠是LCD所獨有、像素界定光刻膠則為OLED所獨有。

在顯示面板行業(yè)，按工藝看光刻膠主要應(yīng)用于TFT-陣列制造，濾光片制造和觸摸屏制造三個應(yīng)用領(lǐng)域。種類繁多的光刻膠也可以按應(yīng)用工藝主要分為TFT-Array光刻膠、彩色和黑色光刻膠，以及觸摸屏用光刻膠等。其中TFT-Array正性光刻膠主要應(yīng)用于TFT-LCD或AMOLED制造中的Array段，包括TFT的圖案化光刻膠，保護絕緣層光刻膠，ITO圖案化光刻膠，OLED Array中平坦層光刻膠，OLED中PDL像素界定層光刻膠和Yocta制程用光刻膠。彩色&黑色負性光刻膠主要用于彩色濾光片（由玻璃基板、黑色矩陣、顏色層、保護層、ITO導(dǎo)電層等構(gòu)成）的制造，彩色光刻膠(RGB)分為紅、綠、藍三原色光刻膠，經(jīng)過涂抹、曝光、顯影等工序組成了顏色層；黑色光刻膠則用于形成黑色矩陣(BM)，起到防止漏光的作用，其中彩膠在FPD光刻膠中占比超過50%。觸摸屏用光刻膠主要用于制造觸摸屏，包括ITO傳感器光刻膠、絕緣搭橋光刻膠等。

（3）PCB光刻膠

PCB光刻膠主要用于PCB板的圖案化工藝，這一工藝已經(jīng)從早期的絲網(wǎng)銅板印刷轉(zhuǎn)變?yōu)楦鼮榫_和高效的光刻工藝，占比超過90%。PCB光刻膠主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠、阻焊油墨。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)，在PCB制造成本中，光刻膠和油墨的占比約為3%-5%。

干膜光刻膠是由配置好的液態(tài)光刻膠均勻涂抹在載體PET薄膜上，經(jīng)過烘干、冷卻后，蓋上PE薄膜，收卷而成的薄膜光刻膠。在使用時，將干膜光刻膠壓在覆銅板上，經(jīng)過曝光顯影將電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上。通過后續(xù)對覆銅板刻蝕加工，形成PCB上的銅線路，主要用于75-100μm制程。濕膜光刻膠又稱為感光線路油墨，分為抗電鍍油墨和抗蝕刻油墨，與干膜工序相似，液態(tài)光刻膠均勻涂抹在覆銅板上，經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工序形成銅線路，雖然材料成本比干膜要低，但是加工設(shè)備成本較高，主要用于25-75μm制程。阻焊油墨用于在線路上形成永久的絕緣保護層，防止在焊錫過程中造成的短路，保證PCB在運輸、存放、使用時安全性。進一步可以細分為UV固化阻焊油墨和液態(tài)感光阻焊油墨，UV固化油墨可用在對精度要求不高的PCB上，附著力較差； 感光阻焊油墨則精密度較高。

干膜和濕膜的區(qū)別主要在于涂敷方式：濕膜光刻膠直接以液態(tài)的形式涂敷在待加工基材的表面；干膜光刻膠則是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠涂布在載體薄膜上，經(jīng)處理形成固態(tài)光刻膠薄膜后再被直接貼附到待加工基材上。從總體上來說，濕膜具有分辨率高，成本低廉，顯影與刻蝕速度更快等優(yōu)勢。因此，在PCB應(yīng)用中，濕膜正逐漸實現(xiàn)對干膜的替代。但是干膜在特定應(yīng)用場景下，如在淹孔加工場景中，濕膜光刻膠會浸沒基材上的孔洞，造成后期加工和清理的不便。而干膜光刻膠就不存在這個問題。

光刻膠早在1826年就已形成雛形，彼時法國發(fā)明家涅普斯利用涂在拋光錫板上的“猶太瀝青”（石油去除揮發(fā)性組分后的殘留物）拍攝了世界上第一張照片。隨后1839年蘇格蘭發(fā)明家龐東發(fā)現(xiàn)了重鉻酸鹽明膠的感光潛力，英國科學(xué)家塔爾博特據(jù)此開發(fā)了世界上第一套“光刻系統(tǒng)”，即凹版印刷的先驅(qū)。1950s柯達開發(fā)出環(huán)化橡膠-雙疊氮體系光刻膠，并將其命名為Kodak Thin Film Resist（柯達薄膜抗蝕劑），也即KTFR光刻膠，成為光刻膠工業(yè)的開創(chuàng)者。同一時代，重氮萘醌-酚醛樹脂印刷材料（DNQ/Novolac）由德國Kalle公司推向市場，貝爾實驗室在一次意外嘗試中發(fā)現(xiàn)重氮萘醌-酚醛樹脂具有優(yōu)良的抗刻蝕性能，由此開啟了重氮萘醌?-酚醛樹脂光刻膠體系在半導(dǎo)體工業(yè)中的大規(guī)模應(yīng)用，亦即“AZ光刻膠”，其曝光光源可以采用g線、i線。

20世紀80年代，DUV光刻系統(tǒng)開始逐步投入使用，隨著光刻系統(tǒng)所用波長的逐步降低，IBM突破了KrF光刻膠。隨后，東京應(yīng)化于1995年研發(fā)出KrF正性光刻膠并實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化，打破IBM壟斷迅速占據(jù)市場，標志著光刻膠正式進入日本廠商稱霸時代。此后隨著光刻技術(shù)持續(xù)進步，ArF、EUV光刻膠先后問世。2000年JSR的ArF光刻膠成為半導(dǎo)體工藝開發(fā)聯(lián)盟認證的下一代半導(dǎo)體0.13μm工藝抗蝕劑。2001年東京應(yīng)化也推出ArF光刻膠產(chǎn)品。2002年，東芝開發(fā)出分辨率22nm的低分子EUV光刻膠。2011年JSR與SEMATECH聯(lián)合開發(fā)出用于15nm工藝的EUV光刻膠。

光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈可以分為上游原材料，中游制造和下游應(yīng)用三個環(huán)節(jié)。上游包括感光樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑等原材料，為基礎(chǔ)化工材料和精細化學(xué)品行業(yè)，中游包括PCB光刻膠、面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的制備，為光刻膠制備環(huán)節(jié)，下游是各種光刻膠的應(yīng)用，為電子產(chǎn)品應(yīng)用終端。

光刻膠的具體生產(chǎn)流程遵循著單體-樹脂-光刻膠的基本路徑，其性能主要通過靈敏度、對比度、抗刻蝕比、黏度、保質(zhì)期等指標來衡量。在實際生產(chǎn)過程中，光刻膠的性能指標往往需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求進行調(diào)整。比如在用作刻蝕保護時，需要光刻膠有一定的粘度和抗刻蝕比；在用于剝離工藝時，要考慮到光刻膠顯影后的階梯性；在先進制程中為了保證關(guān)鍵尺寸和剖面控制，對光刻膠的高刻蝕選擇比要求高。因此，生產(chǎn)廠商往往會在一種型號的光刻膠目錄下，有十個甚至幾十個品種，以滿足各方需求。在改進光刻膠性能時，則需要調(diào)整光刻膠的組成成分。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度來看，由于光刻膠本身就是一種配方型的經(jīng)驗學(xué)科，又高度影響光刻環(huán)節(jié)的精度和良率，因此在產(chǎn)業(yè)鏈三個環(huán)節(jié)都存在較高壁壘。首先是原材料及光刻膠配方壁壘高，對于我國而言，半導(dǎo)體光刻膠的上游核心原材料仍被國外廠商壟斷，高度依賴進口。此外作為光刻膠的核心技術(shù)，光刻膠配方需要不斷反饋調(diào)試，對研發(fā)單位基礎(chǔ)化工能力、研制經(jīng)驗積累要求極高。從單體、樹脂、PAG、原膠等等配方的設(shè)計研究，每一步的可變因素都很多，每一個的地方細微變化都會對最終產(chǎn)品性能造成很大影響。因此化學(xué)反應(yīng)的連鎖性、步驟繁瑣性以及要求嚴苛性共同導(dǎo)致了光刻膠配方設(shè)計的高難度，以及對研發(fā)人員長期經(jīng)驗積累的依賴。

其次是生產(chǎn)質(zhì)量管控壁壘高，在于下游應(yīng)用對光刻膠產(chǎn)品的精細度和一致性要求極高。在整個生產(chǎn)過程中，金屬離子雜質(zhì)控制、微粒子粒徑控制、產(chǎn)品批次一致性控制等質(zhì)量管控非常嚴苛，包括來料檢查，設(shè)備清潔，工序設(shè)計等各工序?qū)夹g(shù)人員產(chǎn)線建設(shè)和生產(chǎn)經(jīng)驗都提出很高的要求。此外光刻膠需要通過相應(yīng)的光刻機進行測試和調(diào)整，光刻機的購置和測試成本高昂，資金投入要求極高。對于我國而言，目前國際光刻機龍頭廠商所在地區(qū)對我國實施技術(shù)封鎖，國產(chǎn)光刻機產(chǎn)品較少，且技術(shù)水準與海外龍頭有較大差距，可供光刻膠廠商測試的資源較少。

最后是下游客戶的認證壁壘高，由于光刻膠的品質(zhì)會直接影響芯片性能、良率等，試錯成本高，在產(chǎn)品驗證通過及工廠（產(chǎn)線）資質(zhì)驗證通過后，才可實現(xiàn)對客戶的正式供貨，客戶驗證周期通常在兩年以上。產(chǎn)品方面的驗證需要經(jīng)過PRS（基礎(chǔ)工藝考核）、STR（小批量試產(chǎn)）、MSTR（中批量試產(chǎn)）、RELEASE（量產(chǎn)）四個階段。工廠（產(chǎn)線）資質(zhì)的驗證主要在質(zhì)量體系、供貨穩(wěn)定性、工廠（產(chǎn)線）產(chǎn)能等幾方面。此外光刻膠廠商的原材料供應(yīng)商也必須得到下游晶圓廠的認可，如光刻膠單體驗證周期通常為6-24個月。因此下游晶圓廠與光刻膠供應(yīng)廠商的粘性較強，光刻膠產(chǎn)品替代驗證的時間成本極高。

從市場規(guī)模來看，根據(jù)Data Bridge和Reportlinker數(shù)據(jù)，2021年全球光刻膠市場規(guī)模91.8億美元，預(yù)計2026年將達到123億美元。從下游分布來看，根據(jù)Research in China數(shù)據(jù)，PCB占比?23.6%，平板顯示占比25.9%，半導(dǎo)體占比23.3%。

根據(jù)Research and Markets和TECHCET數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模逐年增長，2016年為15億美元，2021年為19.9億美元，預(yù)計到2025年將達到24.7億美元。其中g(shù)&i線/KrF/ArF/ArFi/EUV光刻膠市場規(guī)模分別為2.92/6.9/1.96/7.59/0.51億美元，占比分別為14.7%/34.7%/9.9%/38.2%/2.6%；預(yù)計到2025年將分別增長至2.9/9.07/1.88/8.84/1.97億美元，EUV光刻膠占比將從2.6%提升至8%，先進制程光刻膠占比將持續(xù)提升。

從競爭格局來看，光刻膠市場主要由日美韓公司壟斷，大陸企業(yè)市占率不足10%，其中在全球半導(dǎo)體光刻膠市場中，日本企業(yè)牢牢占據(jù)龍頭地位，至少占據(jù)60%以上。在我國面板光刻膠市場主要由外資企業(yè)占領(lǐng)，占比達65%，由日韓企業(yè)占據(jù)主要市場。在全球PCB光刻膠市場則由我國占據(jù)主導(dǎo)地位，2019年的市場份額達93.35%。在國內(nèi)市場中，國內(nèi)企業(yè)的市場份額也過半，使得PCB光刻膠成為了國產(chǎn)替代率最高的光刻膠產(chǎn)品。目前我國半導(dǎo)體光刻膠進展較快的公司包括彤程新材、華懋科技、晶瑞電材、上海新陽等。

3、掩膜版

掩膜版（?Photomask），又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。在光刻過程中，掩膜版是設(shè)計圖形的載體。通過光刻，將掩膜版上的設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕，將圖形刻到襯底上，從而實現(xiàn)圖形到硅片的轉(zhuǎn)移，功能類似于傳統(tǒng)照相機的“底片”。

掩膜版是光刻過程中的重要部件，其性能的好壞對光刻有著重要影響，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、電路板、觸控屏等領(lǐng)域。以TFT-LCD制造為例，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，將設(shè)計好的TFT陣列和彩色濾光片圖形按照薄膜晶體管的膜層結(jié)構(gòu)順序，依次曝光轉(zhuǎn)移至玻璃基板，最終形成多個膜層所疊加的顯示器件；以晶圓制造為例，其制造過程需要經(jīng)過多次曝光工藝，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，在半導(dǎo)體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。相比較而言，半導(dǎo)體掩模版在最小線寬、CD精度、位置精度等重要參數(shù)方面，均顯著高于平板顯示、PCB等領(lǐng)域的掩模版產(chǎn)品。

掩膜版通常由基板、遮光層及保護膜三部分組成，其中最重要的原材料是掩膜基板?；逡r底在透光性及穩(wěn)定性等方面性能要求較高，須做到表面平整，無夾砂、氣泡等微小缺陷。遮光層位于透明基板上，通過蝕刻加工了電路圖案，成為對硅晶圓復(fù)刻電路時的原版，光刻中紫外線透過掩膜版，遮光膜上的圖案在經(jīng)過透鏡縮小之后投射到硅晶圓上，便形成了微細圖案。保護膜通常為鋁合金框架上的一層透明薄膜，起到對掩膜的保護作用。掩膜版成本構(gòu)成包括直接材料、制造費用和直接人工費用，分別占比67%、29%和4%，其中直接材料中掩膜版基板占比超過90%。

掩膜版可以通過基板種類、遮光膜種類和下游應(yīng)用領(lǐng)域進行分類。按基板劃分，主要的種類有玻璃基板（石英玻璃、蘇打玻璃和硼硅玻璃）和其他基板（菲林等），石英玻璃和蘇打玻璃是主流掩膜版基板，其中石英玻璃具有化學(xué)性能較穩(wěn)定、熱膨脹率低等突出優(yōu)點，已經(jīng)成為中高端掩膜版基板的主流材料；按遮光膜劃分，主要的種類有乳膠遮光膜和和硬質(zhì)遮光膜（主要包括鉻、硅、氧化鐵），目前中高端掩膜版的遮光膜以硬質(zhì)遮光膜中的鉻材料為主；按下游應(yīng)用劃分，主要種類有半導(dǎo)體（IC）掩膜版、平板顯示（FPD）掩膜版、電路板（PCB）掩膜版和觸控（TP）掩膜版，其中平板顯示和半導(dǎo)體掩膜版為最主要的兩類產(chǎn)品。

掩膜版誕生至今約70多年歷史，技術(shù)演變節(jié)奏相對較慢，其下游運用廣泛，且不同行業(yè)對掩膜版的性能、成本等要求不同，因此不同代別產(chǎn)品存續(xù)交疊期長。如第二代掩膜版誕生于二十世紀60年代初，但其至今仍在PCB、FPC、TN/STN等行業(yè)使用。另一方面，掩膜版產(chǎn)品的優(yōu)勢主要是其在轉(zhuǎn)移電路圖形過程中的精確性和可靠性，未來潛在的替代風險是無掩膜技術(shù)的大規(guī)模使用，但現(xiàn)階段無掩膜技術(shù)因僅能滿足精度要求相對較低的行業(yè)（如?PCB）中圖形轉(zhuǎn)移的需求，且其生產(chǎn)效率低下，無法滿足對圖形轉(zhuǎn)移精度要求高以及對生產(chǎn)效率有要求的行業(yè)運用，故掩膜版行業(yè)現(xiàn)階段技術(shù)更迭仍然較慢，暫不存在技術(shù)快速迭代的風險。

掩膜版的前四代產(chǎn)品中，有的已經(jīng)被淘汰，有的仍在部分行業(yè)小范圍使用，目前常用的掩膜版產(chǎn)品主要包括石英掩膜版、蘇打掩膜版、菲林、凸版、干版等，其產(chǎn)品圖例和特點如下表所示。

從產(chǎn)業(yè)鏈來看，光掩膜版產(chǎn)業(yè)鏈分為上游的圖形設(shè)計、光掩膜設(shè)備和材料行業(yè)（其中材料又分為基板、遮光膜、光學(xué)膜及化學(xué)試劑等輔助材料），中游的光掩膜版制造和下游的應(yīng)用領(lǐng)域。掩膜版的引入使得下游半導(dǎo)體、平板顯示等產(chǎn)品具備了量產(chǎn)條件，從而推動半導(dǎo)體和平板顯示等領(lǐng)域的快速發(fā)展，為其技術(shù)迭代創(chuàng)造條件。

上游原材料中最重要的是掩模基板，被用來制作掩膜版的玻璃包括合成石英、硼硅玻璃和蘇打玻璃，其中合成石英最為化學(xué)穩(wěn)定，具有高硬度、低膨脹系數(shù)和透光性強等優(yōu)勢，適用于較高精度要求的產(chǎn)品生產(chǎn)。但是石英成本高，現(xiàn)在傾向于發(fā)展高質(zhì)量的合成石英材料，它能夠提供寬的光投射區(qū)域、低的雜質(zhì)含量和少的物理缺陷，并且隨著低膨脹率和深UV的要求變得逐漸廣泛。

合成石英的制造難度大，主要是用SiCI4作為原料，采用CVD生產(chǎn)合成，其原理是將易揮發(fā)的液體SiCI4在載料氣體的帶動下，進入氫氣/氧氣燃燒氣中與水蒸氣反應(yīng)生成不定型二氧化硅，并沉積在高溫旋轉(zhuǎn)的靶材上，最終熔化形成高純石英玻璃。合成石英具有寬的光投射鋁區(qū)域，低的雜質(zhì)含量和少的物理缺陷的特性。

中游制造流程包括材料準備、CAD圖形設(shè)計，CAD?圖形設(shè)計、鍍鉻、涂膠、 光刻、顯影、蝕刻、脫模、清洗、貼光學(xué)膜、 關(guān)鍵參數(shù)測量、檢測、修補等核心關(guān)鍵步驟。

材料準備是指對基板進行拋光、清洗，并在表面覆蓋鉻膜；光刻是將處理好的圖形數(shù)據(jù)文件傳遞給激光光繪機，對勻膠鉻版進行非接觸式曝光；顯影是將曝光處理的光刻膠層去除，顯露鉻層；蝕刻是把曝露處鉻層腐蝕去除；脫膜即將剩下的光刻膠去除。其中涂膠、?光刻為制造中的核心工藝，通常以130nm為分界，130nm以上的光刻設(shè)備采用激光直寫設(shè)備，但隨著掩膜版的線寬線距越來越小，曝光過程中就會出現(xiàn)嚴重的衍射現(xiàn)象，導(dǎo)致曝光圖形邊緣分辨率較低，圖形失真， 因此130nm及以下通常需采用電子束光刻完成。

關(guān)鍵參數(shù)量測及檢測環(huán)節(jié)對掩膜版的質(zhì)量及良率至關(guān)重要，其中需對掩膜版關(guān)鍵尺寸、套刻精度（Overlay）等關(guān)鍵參數(shù)進行測量，同時需使用自動光學(xué)檢測設(shè)備（AOI，Automatic Optical Inspection）檢測掩膜版制造過程產(chǎn)生的缺陷以及通過激光等對掩膜版生產(chǎn)過程中的缺陷及微粒進行修復(fù)。

下游應(yīng)用環(huán)節(jié)，從全球市場來看，光掩膜版主要應(yīng)用在IC、LCD領(lǐng)域，占比近90%。具體地，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年掩膜版中約60%應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，28%應(yīng)用于平板顯示領(lǐng)域，其中23%為液晶顯示（LCD），5%為OLED顯示。

此外從商業(yè)模式觀察掩膜版產(chǎn)業(yè)鏈可以發(fā)現(xiàn)，與傳統(tǒng)晶圓制造耗材不同，半導(dǎo)體掩模版生產(chǎn)廠商可以分為晶圓廠自建配套工廠（In-house模式）和獨立第三方掩模廠商兩大類。 由于28nm以下的先進制程晶圓制造工藝復(fù)雜且難度大，各家用于芯片制造的掩模版涉及晶圓制造廠的重要工藝機密且制造難度較大，因此先進制程晶圓制造廠商所用的掩模版大部分由自己的專業(yè)工廠內(nèi)部生產(chǎn)，如英特爾、三星、臺積電、中芯國際等公司的掩模版均主要由自制掩模版部門提供。

對于較為成熟的制程所用的掩模版，芯片制造廠商為了降低成本，一般會采用向獨立第三方采購的模式，如臺積電近年來已將28nm掩膜版開放至向獨立第三方采購。由于掩膜版制造為重資產(chǎn)投資，每條產(chǎn)線需要獨立采購光刻、檢測、涂膠顯影等設(shè)備，其復(fù)雜難度無異于晶圓制造廠，而第三方半導(dǎo)體掩模版廠商能充分發(fā)揮技術(shù)專業(yè)化、規(guī)?；瘍?yōu)勢，具有顯著的規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)， 因此在結(jié)合降成本及市場效率的情況下，晶圓廠一般更傾向于向獨立第三方掩膜版廠商進行采購。這也涉及到第三方廠商的認證問題，與其他耗材相比，由于掩膜版與光刻環(huán)節(jié)相關(guān)性較強，因此對芯片成品良率影響較大，認證時間通常更久（一般會超過12個月），同時一旦通過認證后，晶圓廠也不會輕易更換供應(yīng)商，客戶粘性也更強。此外，為降低原材料采購成本和控制終端產(chǎn)品質(zhì)量，掩膜版制造企業(yè)也在沿著產(chǎn)業(yè)鏈逐步向上游延伸。

從市場規(guī)模來看，全球范圍來看，半導(dǎo)體掩膜版市場規(guī)模近年來穩(wěn)步增長，2021年達49.9億美元，2023年預(yù)計可增長至53.9億美元，2020-2023年CAGR近7%。分制程來看，2022年130nm以上成熟制程占據(jù)主要市場份額，出貨量占比約54%，28-90nm占比約33%，22nm以下先進制程出貨量占比僅13%。

平板掩膜版方面，根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2016年全球平板顯示掩膜版市場規(guī)模約為671億日元，2019年增長至1010億日元，CAGR為14.6%，2020年受益疫情影響下滑至903億日元，隨著市場逐漸復(fù)蘇，預(yù)計2022年將達到1026億日元。2016年至2019年的年均復(fù)合增長率達14.58%。

從競爭格局來看，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體掩膜版市場規(guī)模最大的國家/地區(qū)分別為中國臺灣、韓國和北美，2018年占比分別為37.7%/21.2%/19.1%，主要原因在于全球主要晶圓廠/IDM廠包括臺積電、三星、SK海力士、英特爾、格芯、聯(lián)電、美光等，產(chǎn)能主要集中在這些地區(qū)。各廠商市場規(guī)模占比中，晶圓廠/IDM?廠占比穩(wěn)步提升，2022年達到66%，獨立第三方掩膜廠商占比34%。獨立第三方掩膜市場主要被Toppan、Photronics和DNP三家公司主導(dǎo)。在獨立第三方掩膜版廠商市場格局中，Toppan/Photronics/DNP三大廠商合計占比82.9%，行業(yè)集中度高。國內(nèi)企業(yè)主要有路維光電、清溢光電、龍圖光罩等。

平板掩膜版方面，根據(jù)Omdia，2020年全球平板顯示面板供應(yīng)商龍頭為Photronics，占據(jù)市場?21%份額，其次為SKE、LG-IT與Hoya，分別占據(jù)市場19%份額，中國大陸供應(yīng)商為清溢光電及路維光電，占比6.4%、4.6%，合計占有約10%市場份額，其中G11代線參與供應(yīng)商全球僅5家企業(yè)，其中路維光電占據(jù)市場14%份額。