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2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域、產(chǎn)銷量、市場(chǎng)規(guī)模及市場(chǎng)單價(jià)分析[圖]

2023-04-19 13:49 作者:共研產(chǎn)業(yè)研究院  | 我要投稿


以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,被稱為第三代半導(dǎo)體材料。

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與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的導(dǎo)熱率,以及更強(qiáng)的抗輻射能力等諸多優(yōu)勢(shì),在高溫、高頻、強(qiáng)輻射等環(huán)境下被廣泛應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體特性

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第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度更寬、電子漂移飽和速率更高、絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)更高、熱導(dǎo)率更高等特點(diǎn),適用于高溫、高頻、高壓、高功率器件,應(yīng)用于通信基站、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、光伏逆變器、高鐵、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域?;谛乱淮畔⒓夹g(shù)應(yīng)用與融合的新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)將極大帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,具有廣闊的發(fā)展前景。

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第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅(ZnO),其中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。

第三代半導(dǎo)體行業(yè)典型代表應(yīng)用領(lǐng)域分析

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2022年第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)量從2017年的0.12億個(gè)增長(zhǎng)到了2.66億個(gè),第三代半導(dǎo)體需求量從2017年的2.71億個(gè)增長(zhǎng)至28.16億個(gè),預(yù)計(jì)2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)量、需求量分別為4.74億個(gè)、38.91億個(gè)。

2017-2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)銷量情況

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2017年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模13.56億元,均價(jià)為5.01元/個(gè);到2022年第三代半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模達(dá)到了111.79億元,均價(jià)為3.97元/個(gè);預(yù)計(jì)2023年第三代半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模達(dá)到152.15億元,均價(jià)為3.91元/個(gè)。

2017-2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)總體規(guī)模及市場(chǎng)單價(jià)情況

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2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域、產(chǎn)銷量、市場(chǎng)規(guī)模及市場(chǎng)單價(jià)分析[圖]的評(píng)論 (共 條)

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