書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：激光金屬有機合成氮化鎵技術(shù)工藝

編號：JFKJ-21-054

作者：炬豐科技

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介紹

? 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的支柱。從發(fā)光二極管 (LED)到構(gòu)成計算機芯片的晶體管，半導(dǎo)體材料幾乎在日常生活的方方面面都發(fā)揮著作用。一組特定的半導(dǎo)體，稱為 III-V 族半導(dǎo)體，因其寬、直接的帶隙和高載流子遷移率而特別受追捧，用于光電子學(xué)。

標(biāo)簽“III-V”來自于這些材料是由化合物制成的

一種元素來自元素周期表第三列，一種元素來自元素周期表

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? 在 III-V 族半導(dǎo)體中，氮化鎵 (GaN) 因其獨特的物理和光學(xué)特性而引起了科學(xué)家和工程師的興趣。

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1.1?氮化鎵的特性

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? GaN 是一種 III-V 族半導(dǎo)體，由過渡后金屬鎵和非金屬氮組成。GaN 具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，見圖 1.1 。GaN 具有高熱容量、5×106 V/cm 的高擊穿場和 2.3 W/(cm×K)的高熱導(dǎo)率。這意味著 GaN 在物理上是一種非常堅固的材料可用于涉及高溫和功率的應(yīng)用。它還具有優(yōu)異的光電性能。

? GaN 在 300 K 時具有 3.39 eV?的寬直接帶隙。纖鋅礦GaN的能帶結(jié)構(gòu)見圖1.2。具有直接帶隙的材料可以發(fā)射光子，因為當(dāng)電子在價帶和導(dǎo)帶之間移動時沒有動量變化?？梢源_定帶隙GaN 的波長為 365 nm。這意味著純 GaN 可以發(fā)射的最短波長為 365 nm，處于光譜的紫外線 (UV) 范圍內(nèi)。

1.1?應(yīng)用???略

?1.2?合成???略

??1.4動機和目標(biāo)??略

?實驗實現(xiàn)???略

?2.1 實驗設(shè)置??略

2.2樣品實驗???略

2.2樣品制備???略

2.3實驗執(zhí)行???略

?2.4表征技術(shù)??略

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