等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)真空鍍膜設(shè)備是在微波或射頻的幫助下，電離出含有薄膜成分原子的氣體，并在局部形成等離子體，等離子體具有很強(qiáng)的化學(xué)活性，容易發(fā)生反應(yīng)，并將所需的薄膜沉積在基板上。為了使化學(xué)反應(yīng)能夠在較低的溫度下進(jìn)行，等離子體的活性被用來促進(jìn)反應(yīng)。因?yàn)樗膬?yōu)點(diǎn)是基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔少、不易開裂。

PECVD真空鍍膜設(shè)備需要每隔幾天保養(yǎng)一次，包括清潔MASK、更換支架等。因?yàn)樾枰鍧嵲O(shè)備內(nèi)部，所以在清潔過程中，有可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部的密封性失效，如果鍍膜設(shè)備密封性失效了，那么鍍出來的產(chǎn)品的膜就會(huì)厚度不一，相關(guān)的參數(shù)也是不合格的。

在真空鍍膜工藝中，由于等離子體中的高速運(yùn)動(dòng)電子與中性反應(yīng)氣體分子相碰撞，會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片，或者是處于激活狀態(tài)，這種情況下是非常容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的。因此真空鍍膜設(shè)備對(duì)內(nèi)部管道的泄漏要求非常高，必須使用華爾升的氦質(zhì)譜檢漏儀來檢測漏點(diǎn)。

完成一次氦質(zhì)譜檢漏，就能保證真空鍍膜設(shè)備的完好性，從而避免產(chǎn)生很多不良品，進(jìn)而為企業(yè)節(jié)約了生產(chǎn)成本。

那么以上就是氦質(zhì)譜檢漏儀在PECVD鍍膜設(shè)備工藝中是如何應(yīng)用的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助，如有需要，歡迎咨詢。

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