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realme真我GT5 外觀公布:一體熱鍛玻璃,液態(tài)金屬質(zhì)感,驍龍8Gen2,240瓦超級(jí)快充

2023-08-24 15:24 作者:首發(fā)課代表  | 我要投稿

8 月 24 日消息,realme 官方今日公布了,真我GT5的真機(jī)圖片。8 月 28 日發(fā)布,定位“安卓性能之王”。

配色名為“流銀幻鏡”,擁有液態(tài)金屬質(zhì)感,據(jù)了解,該機(jī)后蓋采用了 realme 和比亞迪聯(lián)合研發(fā)的“奇跡玻璃”,官方稱擁有行業(yè)最大面積熱鍛曲面。

——realme 中國(guó)區(qū)營(yíng)銷總監(jiān) 楚楚_Jessie 預(yù)熱稱,新機(jī)為全球首款“奇跡玻璃”手機(jī)。

具體ID設(shè)計(jì)方面,真我GT5,采用橫向超大三攝矩陣模組 + 覺(jué)醒光環(huán) RGB 燈帶。

詳細(xì)配置,據(jù)現(xiàn)有爆料及其工信部入網(wǎng)消息匯總?cè)缦拢?/p>

【realme GT 5】

◇ 處理器:3.2GHz驍龍 8 Gen 2,X7獨(dú)顯芯片,配備LPDDR5x 內(nèi)存和 UFS 4.0閃存。

◇ 存儲(chǔ)規(guī)格:最高24GB超大物理內(nèi)存+1TB存儲(chǔ);

◇ 屏幕:6.74英寸1.5K 2772x1240 分辨率 OLED窄邊框直屏 ,支持144Hz 超高刷,2160Hz PWM 調(diào)光;

◇ 后置:50MP主攝(IMX890 OIS)+8Mp+2Mp。

◇ 前置:16Mp

◇ 電池容量:4600mAh,支持240W快充,搭配全鏈路電源管理芯片;

◇ 電池容量:5240mAh,支持150W快充;

◇ 機(jī)身尺寸:163.13x75.38×8.86mm,205克。

◇ 其他配置:NFC,RGB 燈,紅外遙控,X軸馬達(dá)。

——該機(jī)采用,無(wú)屏幕塑料支架+塑料中框+玻璃機(jī)身設(shè)計(jì)。

ID設(shè)計(jì)方面,從工信部證件照上可以看到,該機(jī)配備了矩形超大相機(jī)模組,相機(jī)與后殼連接處進(jìn)行了弧度處理,正面配備一塊居中單孔直屏。

細(xì)節(jié)方面,真我 GT5 手機(jī)除了量產(chǎn) 240W 長(zhǎng)壽版快充外,還將提供新一代 150W 光速秒充版本,為用戶提供雙版本選擇。

此外,真我 GT5 手機(jī),將首發(fā)“極客性能面板”。

——支持多核心調(diào)度以及自定義頻率,可跑滿 3.2GHz。在超大核調(diào)節(jié)頁(yè)面,可以看到有 2.5GHz、2.6GHz、2.7GHz 等多個(gè)頻率可選。開(kāi)啟后,CPU 各個(gè)內(nèi)核將在選擇的頻率區(qū)間運(yùn)行。

真我 GT5 采用 24 GB LPDDR5X?超大物理內(nèi)存?和1TB UFS4.0 超大存儲(chǔ),搭載“旋風(fēng)內(nèi)存引擎 2.0”,官方宣稱“后臺(tái)保活 App 至高達(dá) 76 個(gè)”。

——支持“游戲?qū)賰?nèi)存”,官方宣稱實(shí)現(xiàn)至高 6 款游戲“常駐保活”,支持系統(tǒng)優(yōu)先調(diào)度、資源智能預(yù)更新等。

搭載了超獨(dú)顯芯片 X7,支持 110 款熱門游戲 144Hz 刷新率 + 1.5K 分辨率雙開(kāi),號(hào)稱“全面引領(lǐng)高幀高畫(huà)質(zhì)時(shí)代”。?

realme 副總裁、中國(guó)區(qū)總裁徐起在預(yù)熱海報(bào)中表示:“發(fā)布超 30 款第二代驍龍 8 旗艦,為什么沒(méi)有一款真正觸及性能極限?”。

據(jù)了解,除真我 GT 5外,該系列還將配備Pro 版,預(yù)計(jì)搭載驍龍 8 Gen 3 處理器。

驍龍 8 Gen 3方面,根據(jù)此前爆料匯總?cè)缦拢?/p>

◇ 制成工藝:臺(tái)積電N4P

◇ CPU:采用1×3.3GHz±*X4 超大核(樣片主頻最高3.7Ghz)+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置,(驍龍 8 Gen 2:1+4+3)

◇ GPU:Adreno 750

◇ 三級(jí)緩存:10MB(驍龍 8 Gen 2:8MB)

——具體規(guī)格配置基于,Geekbench 6平臺(tái),三星 Galaxy S24 Plus現(xiàn)有跑分,如下圖所示:

對(duì)比,此前收錄的三星 Galaxy S23?Plus,驍龍 8 Gen 2,跑分可以看出,驍龍 8 Gen 3,CPU單核提升約?11.4%,多核提升約?26.3%。

◇ CPU跑分:GB5(單核1700±/多核6600±)/GB6 (單核2200±/多核7000±)

◇ GPU跑分:GFX ES3.1?280FPS±(驍龍 8 Gen 2:220FPS±)

◇ 發(fā)布日期:高通已經(jīng)宣布了 2023 年 Snapdragon 峰會(huì),將于 10 月 24 日至 26 日舉行,預(yù)計(jì)將發(fā)布全新的驍龍 8 Gen 3 芯片。

5 月 29 日消息,Arm 公司今天發(fā)布了 2023 年的移動(dòng)處理器核心設(shè)計(jì):Cortex-X4、A720 和 A520。

——以上核心基于 Arm v9.2 架構(gòu),僅支持 64 位指令集,不再兼容 32 位應(yīng)用。

【Cortex-X4超大核】

◇ 定位旗艦,相較前代的 X3 核心性能平均提高了 15%,同頻功耗降低了 40% !

◇ 物理尺寸?進(jìn)一步增加,但不足10%。?

◇ L2 緩存大小來(lái)到2MB,進(jìn)一步提高實(shí)際性能收益。

◇ IPC 改進(jìn)平均為 +13%。

◇ 算術(shù)邏輯單元 (ALU) 從 6 個(gè)增加到 8 個(gè),添加了一個(gè)額外的分支單元(總共 3 個(gè)),添加了一個(gè)額外的乘法累加器單元,以及流水線浮點(diǎn)和平方根運(yùn)算。

【Cortex-A720性能核】

◇ 相較前代?A715 相同的功率下,核心的效率提高 20%。

◇ 同屏性能提高15%,極限性能提升4.5%。

◇ 縮短流水線長(zhǎng)度,優(yōu)化分支預(yù)測(cè),以及流水化了浮點(diǎn)除法和平方根運(yùn)算。

【Cortex-A520能效核】

◇ 相較前代?A510 核心在相同性能下,運(yùn)行效率提升?22%。

◇ 極限性能提高8%

◇ A520 核心采用合并核架構(gòu),可以在一個(gè)復(fù)合體中共享 L2 緩存、L2 轉(zhuǎn)換后備緩沖區(qū)和向量數(shù)據(jù)通路。A520 核心在前端也優(yōu)化了分支預(yù)測(cè),并移除或縮減了一些性能特性。

Arm 公司表示,這些新的 CPU 核心設(shè)計(jì)是為了應(yīng)對(duì)移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的需求變化,不僅要追求更高的性能,還要考慮更好的效率、安全性和可擴(kuò)展性。隨著 Android 系統(tǒng)對(duì) 64 位應(yīng)用的要求越來(lái)越嚴(yán)格,Arm 公司認(rèn)為 64 位過(guò)渡已經(jīng)“完成任務(wù)”,不再需要支持 32 位應(yīng)用。


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