書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：光刻膠反應剝離機理研究

編號：JFKJ-21-029

作者：炬豐科技

抽象的

反應性剝離劑現(xiàn)在廣泛用于半導體制造中以去除光刻膠。本文描述了使用軌道顯影監(jiān)測和法布里-珀羅干涉測量方法來定量評估從硅基板上去除硬烤和等離子體處理的光刻膠。Fabry-Perot 干涉測量系統(tǒng)允許將剝離劑與抗蝕劑接觸時發(fā)生的過程可視化。很明顯，這些剝離劑不會簡單地溶解光刻膠，而是通過在氧化硅-抗蝕劑界面或本體抗蝕劑內(nèi)產(chǎn)生微小氣泡而產(chǎn)生裂紋和破壞抗蝕劑聚合物來促進去除。

介紹

半導體制造密切依賴于光刻技術的有效使用，以在構成電路的材料層中生成各種特征。生產(chǎn)設施使用光刻膠，這些光刻膠在等離子體和溶劑蝕刻、離子注入以及金屬和氧化物沉積工藝步驟中會發(fā)生顯著的化學改性。等離子體蝕刻和離子注入工藝會導致交聯(lián)、降解和抗蝕劑改性......有效去除工藝改性抗蝕劑需要詳細了解剝離機制。

詳細了解剝離機制。

實驗性的

光刻膠溶解速率監(jiān)測——光刻膠層建模。- 由于半導體制造的影響，可以顯著改變抗蝕劑剝離率?？刮g劑涂覆期間使用的工藝參數(shù)（例如軟烘烤、顯影、硬烘烤時間和溫度）、使用的后續(xù)工藝步驟（例如離子注入、等離子體蝕刻等）、剝離劑化學和工藝參數(shù)（例如溫度、時間） 、攪拌等）可以改變抗蝕劑的溶解速率。在剝離過程中，隨著溶劑界面移動通過抗蝕劑，剝離劑的濃度從剝離劑/抗蝕劑界面變化到抗蝕劑本體。形成的各種層的示意圖，取決于上述參數(shù)。對于硬烤抗蝕劑，可以使用僅涉及一層的等角反射強度（CARIS）方法。

TDRM硬件，— 來自寬帶光源的光通過分叉光纖束傳送到安裝在晶片夾具上的透鏡。晶片表面中心的區(qū)域......

結論

光刻膠剝離有幾種不同的機制......較高粘度的材料可能被認為對抗蝕劑具有較低的滲透性，在高溫下會產(chǎn)生較高的剝離速率。當考慮用于產(chǎn)生亞微米特征的反應性剝離材料的相對優(yōu)點

?

文章全部詳情，請加V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁

如有侵權，請聯(lián)系作者刪除