美光(Micron)1100 2TB 2.5英寸SATA固態(tài)硬盤評測(MTFDDAK2T0TBN)(附顆粒對照表和固件)
最近隨著記錄出行、MMD和攝影攝像素材越來越多，硬盤剩余空間漸漸告急。今天便準(zhǔn)備用美光1100 2TB款替換掉960G的M500。
看了一圈，265應(yīng)該是現(xiàn)在能找到比較低的價(jià)格（2023.08）。70%健康度的寫入量應(yīng)該在400TB左右，買來做倉儲可能就寫入個(gè)幾TB，剩余壽命夠用了：
硬件介紹：
硬盤正面標(biāo)簽貼，可見型號（MTFDDAK2T0TBN）、容量（2048GB）、出廠固件版本（M0MU020）等信息，這個(gè)綠色的點(diǎn)暫不知道是干什么用的：
硬盤背面有賣家貼的保修貼紙，隨后拆解時(shí)被我撕了:D
硬盤外殼通過四周卡扣固定，沒有螺絲（圖中三個(gè)銀色的點(diǎn)位并不固定外殼），非常非常難拆：
拆開后蓋可以看到一小塊硅膠墊蓋在電容中間，這覆蓋也沒覆蓋完，相較散熱可能主要作用是緩沖減震。
電路板一側(cè)各能看到一顆內(nèi)存顆粒和四顆閃存，翻過面則能看到Marvell?88SS1074主控。AIDA64顯示顆粒為美光32層3D TLC：
但這顆粒怎么是混用的？一塊硬盤出現(xiàn)了4種編號的顆粒：
作為對比，給大家看一下之前拆過的M500顆粒情況，這就很規(guī)整：
為了數(shù)據(jù)安全著想，還是來查詢一下這些顆粒的信息吧，它們分別是：6VB22NW849、6VB2DNW852、6SB22NW853、6TB22NW853。
首先我們找到美光官方料號查詢網(wǎng)址：https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga，在“FBGA Code”這一行填入第二行的編碼，如“NW853”，隨后點(diǎn)擊“SEARCH”即可查詢顆粒料號：
由此我們可以得知這幾枚顆粒的料號分別為：
6VB22NW849：MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
6VB2DNW852：MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
6SB22NW853、6TB22NW853：MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
接著我們找到美光的命名規(guī)則對照表，按照查詢到的料號核對顆粒信息：
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B（NW849）逐字解析為：
MT =?Micron Technology
29F = NAND Flash（普通閃存顆粒，區(qū)別于企業(yè)級）
3T = 3072Gb（顆粒容量，1B=8b，即384GB）
08 = 8 bits（位寬）
E = MLC-3（即TLC，“真”MLC為“MLC-2”）
U = Die8 nCE4?RnB4?IO Channels2（內(nèi)部構(gòu)造，大意為分了幾個(gè)區(qū)域，不深究）
H = VCC: 3.3V (2.50–3.60V), VCCQ: 1.2V (1.14–1.26) or 1.8V (1.70–1.95V)（工作電壓）
B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)（看不懂，原文“Generation Feature Set”）
B = Sync/Async（支持同步或異步工作）
M4 =無對應(yīng)編號，應(yīng)為封裝錫球數(shù)與尺寸規(guī)格
3?= 667 MT/s（每秒傳輸多少次數(shù)據(jù)，百萬次/每秒）
R?= FortisFlash features（某種特征，看不懂）
B?=Design Revision（翻譯為“設(shè)計(jì)修訂”，無實(shí)義）
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B（NW852）與前者不同的有：
768G =無對應(yīng)編號，推測為768Gb（96GB）
E（第二處）?=?Die2?nCE2?RnB2?IO Channels2（內(nèi)部區(qū)域數(shù)量不同）
J4 = 132-ball VBGA, 12 x 18 x 1.0 (SDP, DDP)（封裝規(guī)格不同）
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B（NW853）與前者不同的有：
1T2 = 1152Gb（144GB）
C?=無對應(yīng)編號，推測為內(nèi)部Die等數(shù)量不同
綜上所述，在查表半天后我們可以得出結(jié)論：這塊美光1100混用了三種容量相去甚遠(yuǎn)的顆粒，由于不是一條生產(chǎn)線下來的，所以生產(chǎn)時(shí)間也橫跨數(shù)周（6T、6S、6V）。盡管工作電壓等影響運(yùn)作的參數(shù)保持了一致，如果不是買到假貨，那這塊硬盤用料可以說非?！半S性”了。
查完閃存顆粒，我們再來看一下剩下的內(nèi)存和主控。
1100這塊硬盤的兩顆內(nèi)存顆粒批次、型號倒是一致的。同樣在料號查詢網(wǎng)站查詢D9STQ，可知其料號為MT41K512M16HA-125:A
隨后我們找到美光的DRAM顆粒命名規(guī)則對照表（美光官網(wǎng)表格直接下載為.xlsx格式，此為手動截圖）：
MT41K512M16HA-125:A（D9STQ）逐字解析為：
MT = Micron Technology
41 = DDR3 SDRAM（第幾代內(nèi)存、什么類型）
K = 1.35V VDD（工作電壓）
512M16 = 顆粒容量512Mb*16=2048Gb=1024GB
HA = DRAM Package Codes（封裝代碼，詳細(xì)信息須查閱具體顆粒的手冊）
-125?= 800 MHz 11-11-11（內(nèi)存頻率）
A?=?Die Revision Designator（翻譯為“模具修訂指示符”，無實(shí)義）
綜上所述，可知1100這塊盤共搭載了兩顆DDR3 1G 800MHz的內(nèi)存。
最后再來看看主控，Marvell?88SS1074屬于Marvell第五代主控，28nm工藝，主打低功耗，支持Marvell 第三代NAND Edge糾錯(cuò)。同主控的產(chǎn)品有比如浦科特M7VC、金士頓Now UV400、閃迪X400等：
至此1100的內(nèi)部構(gòu)造及硬件部分便看完了，接下來裝到電腦上看看。
固件升級：
上機(jī)打開DiskInfo，我購買的這塊盤寫入量約300TB，在美光的官方文檔中1100系列2TB的壽命應(yīng)為400TBW以上，商家宣稱的“健康度70%”以上指的是軟件中硬盤預(yù)設(shè)的壽命，一般會比標(biāo)稱長不少。從通電時(shí)間高達(dá)5W小時(shí)來看也并非“礦盤”，應(yīng)該是正兒八經(jīng)服務(wù)器更換下來的：
美光官方的1100技術(shù)文檔還未公開，不注冊賬號查看不了，找了個(gè)像銷售手冊里的表格，將就看一下吧?！癊ndurance”一行即為壽命，1TB與2TB一樣是400TBW：
這塊硬盤拿到手的固件版本號為M0MU030，比標(biāo)簽上出廠時(shí)的M0MU020新，應(yīng)該是更新過。但最新的固件為M0MU033，遂使用美光官方的“Storage Executive”工具嘗試升級，提示“已安裝最新固件”，只能手動更新：
手動更新的工具和固件我放這里了：
鏈接：https://pan.baidu.com/s/1kc2VdrhePQOTykB3rzOxNg?pwd=wy97?
提取碼：wy97
工具是從美光官方的“Storage Executive”里提取出來的，和需要刷入的固件一起放在壓縮包里。壓縮包里有兩個(gè)固件，是2TB的盤就刷2TB的，不是就刷另一個(gè)：
解壓壓縮包后，將對應(yīng)容量文件夾里的“1.bin”復(fù)制到和“msecli.exe”同一目錄，如圖：
然后按住鍵盤上的“Shift”，同時(shí)單擊鼠標(biāo)右鍵，選擇“在終端中打開”（或者“命令提示符（管理員）”）：
在打開的窗口中輸入“msecli -F”并按一下回車鍵（不含引號，有空格），會列出電腦中所有硬盤，并識別出使用Marvell主控硬盤的固件版本號。接下來需要記住1100這塊盤對應(yīng)的是第幾行，如圖中“M0MU033”（升級前應(yīng)為M0MU030或者M(jìn)0MU020）的便是美光1100，對應(yīng)“Drive0”：
隨后輸入“msecli -F -U 1.bin -n Drive0”并按一下回車鍵（不含引號，有空格，“Drive0”可替換，你電腦上對應(yīng)Drive幾就輸Drive幾），會出現(xiàn)“Are you sure you want to continue(Y|N):”字樣，輸入y后按回車即可確認(rèn)刷入新固件：
等待數(shù)秒后出現(xiàn)“Success”字樣即更新成功：
DiskInfo版本號更新為M0MU033：
性能部分：
先來看一下空盤狀態(tài)下的跑分。
AS SSD 1G：
CDM 1G：
AS SSD 10G：
CDM 16G：
美光1100的測試成績比較一般，尤其是4K性能，確實(shí)符合上一代硬盤的水平。其中隨機(jī)讀寫成績（IOPS）剛剛踩線越過官方文檔的標(biāo)稱值（92000/83000IOPS），連續(xù)讀寫甚至比標(biāo)稱值略低（530/500MB/s）。想著我測的上一塊美光硬盤M500都是全面超過標(biāo)稱，給我留下了不少好感，幾年不見這就開始偷奸耍滑了。
再來看一下連續(xù)讀寫測試的溫度和速度表現(xiàn)（HDTune 200GB文件基準(zhǔn)、混合模式）：
可以看到在測試過程中，1100的最高溫度出現(xiàn)在寫入完成時(shí)，為63°C。這個(gè)表現(xiàn)對固態(tài)硬盤主控來說完全可以接受，也算是應(yīng)證了Marvell?88SS1074介紹頁對低功耗的宣傳。
1100的緩存SLC Cache似乎不大，空盤僅在26GB左右便出緩降速，此時(shí)寫入速度由約500MB/s降至約270MB/s，讀取速度未受影響，一直保持在500MB/s。
接下來將舊硬盤的數(shù)據(jù)遷移到1100，數(shù)據(jù)量約850GB，并測試1100半盤狀態(tài)下的性能。
在整個(gè)遷移過程中，850GB數(shù)據(jù)遷移（寫入）的均速約為140MB/s。由于舊硬盤接在硬盤盒上，測試成績可能偏低（硬盤盒讀取能400+MB/s，盤里大文件居多，可能也沒有慢多少）。同時(shí)也可以看出實(shí)際使用的負(fù)載遠(yuǎn)沒有測試場景來的高，連續(xù)寫入一個(gè)多小時(shí)溫度也不過57°C。
但在遷移完成后的數(shù)十分鐘里靜置不操作，會發(fā)現(xiàn)1100溫度并沒有下降，反而越來越高：一開始我認(rèn)為是在釋放緩存，但想想遷移寫入速度也沒測試那么高，不至于還占用了SLC?Cache吧？
此時(shí)跑一個(gè)CDM的測試，主控閑置時(shí)的后臺操作被打斷，硬盤溫度反而下降，并在隨后的數(shù)十分鐘里再未觸發(fā)升溫的情況：
既然它不發(fā)熱了，那就按計(jì)劃繼續(xù)半盤測試吧。
AS SSD 1G：
CDM 1G：
AS SSD 10G：
CDM 16G：
1100在1GB測試中空盤/半盤沒有顯著差距，10/16GB測試中4K多線程性能出現(xiàn)了下滑，但降幅不是很大，總體而言幾乎不會對體驗(yàn)造成影響。
半盤HDTune?200GB文件基準(zhǔn)、混合模式：
在半盤狀態(tài)下，1100的SLC?Cache減少到了僅10G左右，緩內(nèi)緩?fù)馑俣?、溫度則與空盤差別不大。
以上便是本篇評測的所有項(xiàng)目了。綜上所述，美光1100 2TB這款硬盤以今天的眼光看性能平庸但勝在價(jià)格低廉，唯一的疑點(diǎn)是顆粒混用是否是常態(tài)？在測試過程中并未出現(xiàn)突然掉速或者掉盤的情況，如果大家都是混用且相對穩(wěn)定，那1100還是可以購買的。
