場發(fā)射掃描電鏡(SEM)

設(shè)備型號(hào):Hitachi,Regulus8100
設(shè)備特點(diǎn):1.SE分辨率15 KV:<0.7 nm(工作距離4 mm,非減速模式);
? ? ? ? ? ? ? ? ? 2.SE分辨率1KV:<0.8 nm (減速模
? ? ? ? ? ? ? ? ? 3.100 mm窗口能譜儀 (EDS)
? ? ? ? ? ? ? ? ? 4.倍率:20~1,000,000倍
掃描電鏡(SEM)廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工)和非金屬材料(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析,各種材料的形貌組織觀察,材料斷口分析和失效分析,材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面掃描和線掃描分布測量,晶體、晶粒的相鑒定,晶粒尺寸、形狀分析,晶體、晶粒取向測量。
可做測試項(xiàng)目有:
形貌、能譜點(diǎn)掃、能譜線掃、能譜面掃(mapping);可鍍金,非磁、弱磁樣品均可拍攝。
1、形貌:儀器放大倍數(shù)范圍是100倍-20W倍,常規(guī)樣品可以拍攝到8-10W倍,導(dǎo)電性不好或磁性樣品大于8W倍可能會(huì)不清晰。
2、能譜: SEM能譜一般只能測C (含C) 以后的元素,(B元素也能做,但是不準(zhǔn),不建議做) 如果需要打能譜,需要備注好測試位置以及能譜打哪些元素,需要注意的是制樣時(shí)待測元素不能與基底成分有重合,如果要測C元素,樣品不要分散到含C的基底上,可以分散到硅片,錫紙上,如果要測Si元素,注意不要制樣到硅片上。
3、鍍金:為了保證拍攝效果,一般導(dǎo)電差的樣品都需要鍍金之后進(jìn)行拍攝。