臺(tái)積電2nm芯片生產(chǎn)或推后一年,三星英特爾不放過(guò)任何機(jī)會(huì)
臺(tái)積電(TSMC)是全球最大的代工芯片制造商,為蘋(píng)果、高通等眾多客戶(hù)提供先進(jìn)的芯片解決方案。然而,最近有傳言稱(chēng),臺(tái)積電原定于2025年啟動(dòng)的2nm芯片生產(chǎn)計(jì)劃可能會(huì)延遲到2026年。
2nm芯片是臺(tái)積電的重要技術(shù)突破,將采用全新的環(huán)繞柵極(GAA)晶體管結(jié)構(gòu),取代目前的FinFET結(jié)構(gòu)。GAA晶體管可以在更小的面積內(nèi)集成更多的晶體管,提高芯片的性能和效率,降低功耗和成本。
據(jù)臺(tái)灣媒體TechNews報(bào)道5,導(dǎo)致臺(tái)積電2nm生產(chǎn)計(jì)劃延遲的原因之一是其位于新竹寶山的Fab 20工廠(chǎng)建設(shè)進(jìn)度放緩。
該工廠(chǎng)是臺(tái)積電在臺(tái)灣建設(shè)的三個(gè)2nm工廠(chǎng)之一,也是其最重要的研發(fā)中心所在地。報(bào)道稱(chēng),臺(tái)積電客戶(hù)對(duì)2nm芯片的需求不夠旺盛,導(dǎo)致臺(tái)積電管理層對(duì)投資規(guī)模和速度有所保留。
如果傳言屬實(shí),那么臺(tái)積電可能會(huì)面臨來(lái)自競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的壓力。三星代工(Samsung Foundry)已經(jīng)在3nm芯片上采用了GAA晶體管技術(shù),并計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2nm芯片。
英特爾(Intel)也在加快其芯片制造技術(shù)的升級(jí),計(jì)劃在2024年推出18A或1.8nm工藝,并為其芯片增加背面供電(Power Via)功能,以提升性能。
臺(tái)積電對(duì)外表示,其工廠(chǎng)建設(shè)仍按照計(jì)劃進(jìn)展,并沒(méi)有出現(xiàn)任何延誤。臺(tái)積電還宣布將在未來(lái)三年內(nèi)投資1000億美元擴(kuò)大產(chǎn)能和研發(fā)。
臺(tái)積電目前在全球代工市場(chǎng)占有53%的份額,并擁有眾多忠實(shí)客戶(hù)。不過(guò),在芯片技術(shù)日新月異的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下,臺(tái)積電是否能保持其領(lǐng)先地位,仍需拭目以待。