編輯-Z

ASEMI高壓MOS管4N65SE參數(shù)：

型號(hào)：4N65SE

漏極-源極電壓（VDS）：650V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：4A

功耗（PD）：50W

儲(chǔ)存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：2.5Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.4V

輸入電容（Ciss）：560pF

二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：393nS

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4N65SE封裝規(guī)格：

封裝：TO-220F

總長(zhǎng)度：28.8mm

本體長(zhǎng)度：15.87mm

寬度：10.16mm

高度：4.7mm

腳間距：2.54mm

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4N65SE特征：

低固有電容。

出色的開(kāi)關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的門電荷：Qg=14nC（典型值）。

BVDSS=650伏，ID=4A

R DS（開(kāi)）:2.50? （最大值）@V G=10V

100%雪崩測(cè)試