目前阿斯加特已經(jīng)發(fā)布2款DDR5內(nèi)存，并在線上開啟了預(yù)購(gòu)。今天我們來(lái)簡(jiǎn)單的了解一下DDR5。

DDR5相比上代內(nèi)存的主要差異在于采用全新的內(nèi)存模組架構(gòu)，在容量、頻率、穩(wěn)定性、節(jié)能上均都有著巨大的提升。

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DDR5新架構(gòu)要點(diǎn)

DRAM：DDR5 DRAM與DDR4 DRAM相比，顆粒大小基本一致，芯片針腳設(shè)計(jì)不同。DDR5 DRAM擁有更高的工作頻率，以及更高的存儲(chǔ)密度，單Die容量更大。

通道帶寬：DDR5擁有2通道DIMM，單Die擁有8個(gè)Groups，每個(gè)Groups 4個(gè)bank，32個(gè)bank（無(wú)獨(dú)立RECC），帶來(lái)更大的帶寬。

突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Lengths,簡(jiǎn)稱BL)：同一行中相鄰的存儲(chǔ)單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?連續(xù)傳輸所涉及到存儲(chǔ)單元(列)的數(shù)量就是突發(fā)長(zhǎng)度。早期的DDR、DDR2突發(fā)長(zhǎng)度為4,DDR3 、DDR4為 8，DDR5 的BL增加到了 16。

金手指：DDR5金手指仍為288個(gè)針腳，為了適應(yīng)雙通道設(shè)計(jì)，DDR5的針腳布局和DDR4有所不同。

On-DIMM PMIC：DDR5擁有一個(gè)PMIC芯片。相對(duì)于上代內(nèi)存，電壓調(diào)節(jié)從主板轉(zhuǎn)移到單個(gè)DIMM上，讓DIMM負(fù)責(zé)自己的電壓調(diào)節(jié)需求。這降低了電路板的復(fù)雜性，同時(shí)也增加了供電的穩(wěn)定、效能。

On-Die ECC:DDR5 擁有On die ?ECC(芯片集成ECC）。主要用來(lái)提高先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的良率，從而降低 DRAM 芯片成本。On die ?ECC檢測(cè)在刷新期間發(fā)生在cell或Row的錯(cuò)誤。和獨(dú)立芯片RECC不同，當(dāng)數(shù)據(jù)從cell移動(dòng)到緩存或 CPU 時(shí)，如果有位翻轉(zhuǎn)或數(shù)據(jù)損壞，它不會(huì)被On die ?ECC 糾正。

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DDR5參數(shù)規(guī)格

容量：DDR5容量更大，16GB起步,單根可做到128GB。

電壓：相比DDR4，DDR5 電壓 降低到 1.1V，降低了功耗。

頻率：3200/4800起步，最高頻率可超10000MHZ。

03

DDR5穩(wěn)定性

DDR5不僅有On-Die ECC，還加入了多種RAS功能有利于內(nèi)存在高速運(yùn)行情況下保持穩(wěn)定性。

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DDR5答疑

1、為什么DDR5時(shí)序比DDR4時(shí)序大很多？

由于相比DDR4，DDR5的架構(gòu)改變、通道增加、頻率提升、電壓降低等，使得DDR5的時(shí)序相比DDR4更大。拋開內(nèi)存本身的差異單獨(dú)去看時(shí)序大小毫無(wú)意義。

2、影響DDR5產(chǎn)能的因素是什么？

目前DDR5產(chǎn)能低，價(jià)格較高，影響DDR5產(chǎn)能的主要因素是PMIC芯片供應(yīng)、DDR5 DRAM產(chǎn)能、DDR5成品測(cè)試。

3、12代CPU必須搭配DDR5嗎？

12代CPU也可搭配DDR4，看主板是否支持。

4、DDR5支持XMP嗎？

DDR5支持XMP 3.0，SPD可寫入5組XMP信息(比DDR4多3組)。