在學(xué)習(xí)基準(zhǔn)電路的時候，我們會用到“自偏置”這樣的一個定義。

可以發(fā)現(xiàn)，每個“自偏置”電路中，都有這么一個環(huán)，那么為什么會有這個環(huán)呢？

首先，這個環(huán)一定是正反饋環(huán)嗎？不一定，正負(fù)反饋環(huán)都可以。比如下圖，左邊的是正反饋，右邊的是負(fù)反饋（峰值型，需設(shè)置好R）。

先說結(jié)論：這個環(huán)源自于“自偏置”的定義。

為什么需要自偏置？我們希望基準(zhǔn)與PVT無關(guān)，自偏置就是為了應(yīng)對V。定義“敏感度”（Sensitivity）為基準(zhǔn)電壓百分比關(guān)于VDD百分比的變化。

（這里的Sensitivity應(yīng)該區(qū)別于PSR，PSR包含頻率響應(yīng)，而Sensitivity只有dc量。）

敏感度越低越好。

再來說說基準(zhǔn)源的產(chǎn)生。

我們知道電路的每一條支路都不可避免地要從VDD獲取供電，那么一定會有從地到電源的串聯(lián)分壓。

觀察小信號的ΔVb，這個量如果要趨于0，那么就需要r1/r2趨于無窮大，也就是說r1越大越好，r2越小越好。

這對應(yīng)的其實就是電流源+電壓源的搭配（小信號中）。

電壓源的特性是很小的ΔV產(chǎn)生很大的ΔI，無論是MOS管的平方律，還是Bipolar管的指數(shù)律，都可以近似滿足。

但是電流源就沒那么好產(chǎn)生了，一般MOS電流源都需要一個偏置電壓，而為了更好的Sensitivity，我們希望這個偏置電壓與VDD無關(guān)。

那么從哪兒產(chǎn)生這個偏置電壓呢？要肯定的是，這個偏置電壓的產(chǎn)生電路不可避免地還要經(jīng)過VDD，還是會有一個分壓，那么我們接著采用電壓源+電流源的分壓形式。問題又來了，這兒又有一個電流源，它還需要一個電壓來偏置。

這時我們想到，我第一步不就產(chǎn)生了這個很好的基準(zhǔn)嗎，我拿它來偏這個電流源豈不是更好？

自偏置電路就這么產(chǎn)生了，我們再理一下邏輯：

所有的電路都必須經(jīng)過VDD的供電，必須由VDD的一個分壓提供。當(dāng)這個分壓是電壓源與電流源搭配的時候，基準(zhǔn)的敏感度最小。但電流源需要偏置，偏置電路也是由VDD分壓產(chǎn)生的，我們也希望它對VDD的敏感度小，所以也是電壓源+電流源。那就又出現(xiàn)了一個電流源，又需要偏置，正好我們第一步就產(chǎn)生了一個很好的基準(zhǔn)電壓，拿它來偏這個電流源最合適不過了。

于是，這里必有一個反饋環(huán)路的存在。所謂“自偏置”，就是有個環(huán)在這里，才能“自己偏置自己”。

有個有疑問的地方，baker的教材中說以下這個圖中的差分對是自偏置：

我們看它的共模：

下面那個管子的漏極與柵級之間就插了一個MOS管的VDS進(jìn)去，還是可以看成一個二極管。那這其實不就是兩個二極管的串聯(lián)嗎？何來自偏置一說呢？

我覺得這里“自偏置”的概念可能跟前面“自偏置”的概念不一樣。這里指的是運放的偏置從運放本身產(chǎn)生，而不借助于外部電路。兩個二極管串起來的電路肯定受VDD的影響大一些，但是它并不是產(chǎn)生基準(zhǔn)的，而是提供放大倍數(shù)，所以只需要增益夠大就行。

像下面這種我覺得才是真正的“自偏置”運放。M8到M2到M4到M7，形成了一個“自偏置”的回路。