經(jīng)常關(guān)注存儲技術(shù)的朋友，可能或多或少地聽說過幾種可讓 RAM 和?SSD?運行更快、更密集、更節(jié)能的新技術(shù)。

另有一些研究試圖推動“內(nèi)存中計算”的方法，從根本上消除了數(shù)據(jù)在處理器、內(nèi)存等部件之間往返所導(dǎo)致的性能滯后。

上述想法都基于如下事實，即將數(shù)據(jù)寫入 DRAM，是一種快速且節(jié)能的方案?？梢坏嚯?，數(shù)據(jù)的完整性也難以維持。此外系統(tǒng)必須不斷刷新數(shù)據(jù)，導(dǎo)致效率不是很高。

另一方面，NAND 是一種相對健壯的數(shù)據(jù)存儲方式，只是寫入和擦除的速度太慢，導(dǎo)致存儲單元性能下降，難以取代現(xiàn)有的 DRAM 。

好消息是，英國蘭開斯特大學(xué)的研究人員稱，他們已經(jīng)打造了一種新型的非易失性存儲器 —— 速度可與 DRAM 媲美，寫入能耗卻僅為百分之一。

這項技術(shù)被稱作 UK III-V 存儲器，其基于 20nm 光刻工藝制造，寫入時間僅為 5ns（與 DRAM 相當(dāng)），且提供了類似閃存的簡單讀取特性。

更棒的是，這是一種非易失性存儲，能夠在斷電時保持數(shù)據(jù)的完整性。

（UK III-V 原型晶體管）

截至目前，原型裝置已能夠通過 2.1V 的電壓來擦除和編程數(shù)據(jù)。相比之下，典型 NAND 單元需要施加 3V 的擦除電壓。

通過使用交替的 GaSb（銻化鎵）和InAs（砷化銦）層，研究團隊打造出了所謂的“雙阱共振隧道結(jié)”，并達成了這一目標。

新型存儲單元的工作方式與閃存類似，使用“浮柵”來存儲“0”或“1”，但此處 InAs 浮柵被不連續(xù)的 GaSb 和 AlSb 大導(dǎo)帶所隔離。

簡單來說，UK III-V 存儲器中使用的晶體管，具有更好的開關(guān)狀態(tài)。它們被設(shè)計為利用兩種材料來確保將信息存儲特別長的一段時間。

盡管沒有披露讀取操作所需的功耗等細節(jié)，但首席研究員 Manus Hayne 表示：在重復(fù)讀取“1”的時候，新型存儲器無需重建或不斷刷新來確保數(shù)據(jù)的完整性。

當(dāng)然，最讓我們感興趣的，莫過于即使在斷電的情況下，UK III-V 內(nèi)存亦可保留數(shù)據(jù)、并在通電后瞬時返回上上次工作中斷的位置。

Manus Hayne 稱，團隊正在為新技術(shù)申請專利，未來有望攪動 1000 億美元的 DRAM 和閃存市場。