手把手帶你玩轉(zhuǎn)ZEN4，7900X+C9G BIOS分享 首發(fā)?。?！ V1.0
29號上午收到主板，經(jīng)過整整24小時瘋狂輸出，從裝機到熟悉BIOS再到摸清楚手上這顆7900X的脾氣再到內(nèi)存小參的簡單優(yōu)化，一刻沒有停歇?，F(xiàn)在終于可以跟大家第一時間分享全新的ZEN4 CPU+ROG C9系列主板的BIOS設(shè)定了。
作為全新的支持DDR5的ZEN4處理器，玩法其實整體上跟ZEN3沒有太大差異，同時也得益于去年Z690的DDR5打下的基礎(chǔ)，面對既熟悉又陌生的BIOS還算比較順利的快速上手，當然這里也要感謝群里熱心的小伙伴給我的一些分享。眾人拾柴火焰高。感謝~~~
還記得2017年玩第一代ZEN的時候，當時的痛點也是內(nèi)存，正好趕上芝奇神作8X2 DDR4 3200 BDIE，這也是第一代ZEN大家目標，還記得當年為了達成DDR4 3200，那代AMD也是我目前為止買的最多的一代X370 B350各種品牌買了一堆，包括當年的旗艦C6H C6E X370鈦金等等，最終在得益于新微碼在華擎主板上達成了DDR4 3333還小小的激動了一把。反正當時都不怎么會玩，就是互相討論分享嘗試。
到了第二代ZEN，2018年又無腦入手了2700X，由于X370買的太多了，X470又是擠牙膏就沒買，還記得當時內(nèi)存超的最好的是MSI的X470 M7，BDIE可以達成DDR4 3600 ，我繼續(xù)用C6E可以做到3466，也非常滿足了。
不知不覺又到了第三代ZEN，2019年AMD發(fā)布了X570 也是目前最為長壽的一代，至今仍然在服役，支持3950X/5950X兩代銳龍，這一代在內(nèi)存上終于從8X2 BIDE玩到了8X4和16X2，從5950X開始FCLK也提升到2000以上，多買買甚至可以買到16x2 FCLK=2133 內(nèi)存同步4266 CL14非常舒服的配置。、
現(xiàn)在終于來到了第四代ZEN，第一次支持DDR5的全新一代，到底應(yīng)該如何玩轉(zhuǎn)，跟我一起來看看吧
先介紹下我的測試平臺：可以看我開箱貼
CPU:7900X 國行零售版
主板：ROG C9G 國行零售版+官網(wǎng)最新BIOS
內(nèi)存：海盜船 6200 XMP 海力士顆粒
顯卡：ROG 3080猛禽 首發(fā)大雕
散熱：ROG 龍神2 360+A12X25
機箱：ASUS 冰立方
電源：ROG 雷神2 850W
系統(tǒng)：Z690 APEX上的日常使用的win11
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首先看全AUTO狀態(tài)下，可以看得到全AUTO狀態(tài)下，電壓給的會比較激進，其實性能已經(jīng)表現(xiàn)相對于ZEN3來說提升已經(jīng)不錯，溫度逼近95度溫度墻 同時AUTO狀態(tài)下FCLK會自動設(shè)置2000，幾乎已經(jīng)說明FCLK=2000 應(yīng)該ZEN4的基本盤。
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第二步只打開DOCP 然后進系統(tǒng)
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XMP打開以后，注意影響內(nèi)存方面的性能，其他方面影響不大。
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第三次跑把FCLK提升到2100,再跑可以看到FCLK的提升對帶寬的提升還是比較明顯的，但是整個AIDA64測試是不準確的，每次測完AIDA64也會彈窗，就跟Z690那個時候一樣的，說沒有針對改平臺進行優(yōu)化~~~
下面開始進行BIOS設(shè)定
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X670的BIOS跟X570相比 整體沒有太大變化，最大的變化就是可以看到AMD的SP分了，但是這個分數(shù)跟INTEL不一樣，不會隨著BIOS輸入倍頻的變化而變化，它是一個相對固定的，比如我這顆7900X顯示5256的頻率，我也不太清楚這個頻率是怎么來的，還是BIOS預(yù)測全核最穩(wěn)的頻率？
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內(nèi)存還是熟悉的DOCP，現(xiàn)在DDR5用的最多無法就是海力士顆粒，所以沒必要刻意買針對AMD優(yōu)化的新內(nèi)存，第一代足夠了，F(xiàn)CLK默認就是2000，最高我這顆可以提升到2200，但是畢竟也是第一次玩，我這里還是鎖定ZEN3時代用的比較多的2133.。。
內(nèi)存頻率我這顆選擇6400，這里我感覺微碼限制的比較厲害，選6400以上不像intel那樣無限重啟或者卡55，直接就是CPU拒絕自檢的感覺，直接卡代碼。不知道新微碼會不會有所改善。
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其他電壓我目前只動了內(nèi)存電壓，熟悉的SOC電壓還在，其他IOD VDDG等電壓不見了，也不知道是不是沒有開放還是取消了
，多了MC相關(guān)電壓，等待下一步繼續(xù)研究。
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這個界面是不是跟Z690很像？只是不見了IVR和MCV吧
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防掉壓暫時先這樣設(shè)置
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下面來設(shè)置PBO，這次PBO不僅僅可以做加法還是可以做減法了，哈哈，反向操作？最大還是200，以7900為例+200以后單核可以到5.9G,多核可以到5.2G。
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curve-最大可以設(shè)置超過30，但是這個還是看體質(zhì)，我這顆似乎剛好可以卡在-30，這個降壓就是為了提升高頻狀態(tài)下的持續(xù)時間，電壓越低越不容易裝溫度墻能持續(xù)的時間也就越長效能也就越好。
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可以看到使用PBO2模式以后，單核逼近5.9G，同時R23的時候溫度也會所以降低回落到90度以內(nèi)，等于免費贈送的性能。。舒服~~~
內(nèi)存小餐分享下
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你以為這樣就結(jié)束了？
還是記得C8DH當年的黑科技混合超頻嘛？下面進入SHOW TIME
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所謂的混合超頻就是利用電流和溫度控制，在AUTO狀態(tài)下 ，這個標準是電流35A，溫度80度，這個可以手動設(shè)定，時間緊張我還沒深入研究，一般AUTO足夠了，
1、當電流大于35A，系統(tǒng)判斷為多核應(yīng)用，當全核狀態(tài)溫度低于80度時則維持BIOS設(shè)定的全核頻率和電壓進一步提升全核頻率在，高于80度切回正常PBO2模式
2、當電流低于35A，系統(tǒng)判斷為單核應(yīng)用，這個時候即使溫度大于等于80度仍然維持PBO2狀態(tài)下的單核頻率，進一步延長單核頻率持續(xù)時間達到提升單核性能的目的直到撞機溫度墻
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由于PBO2狀態(tài)下，觀察7900X全核大致在5.2G附近，我這里小試牛刀 先鎖個全核5.3G，電壓給1.15v
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驚喜來了有木有 有木有 單核5.9g滿血，全核5.3g R23直接突破3w分大關(guān)，最關(guān)鍵由于全核狀態(tài)下電壓降到到1.15v，CPU溫度爆降15度+，現(xiàn)在溫度墻徹底掌握在自己手里，可以利用黑科技邊提升全核頻率邊提升溫度，怎么跑我做主
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再稍微提升下電壓和頻率再來
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多核畢竟3萬1，溫度僅僅是接近90度。相比PBO2模式，不僅性能更好，溫度更低，最關(guān)鍵的是主動權(quán)完全掌握自己手里，什么95度 85度統(tǒng)統(tǒng)不存在，自己結(jié)合自己散熱控溫控頻，真正實現(xiàn)隨心控的效果。。
ENJOY！
