瑞禧多種化合物CuCrP2S6/Fe3GeTe2/GeBi4Te7/CuInS2晶體的大小種類純度表征介紹
CuCrP2S6晶體:
晶體大小:5~10 mm
晶體種類:Magnetic semiconductor,鐵電材料
純度:>99.999 %
表征方法:EDS,SEM,Raman
禁帶寬度:?0.96 eV
Fe3GeTe2晶體:

GeBi4Te7晶體/CuInS2晶體:
材料名稱:CuInS2
性質(zhì)分類:Electrical? ?properties
拓撲材料,半金屬,紅外材料
禁帶寬度;0.05 eV
合成方法;CVT
剝離難易程度:Medium
保存注意事項:晶體穩(wěn)定,但表面容易氧化

瑞禧生物可以提供以下二維納米材料:Mxene、過渡金屬碳化物和氮化物(MXenes)、MAX相陶瓷材料、石墨烯、石墨炔、拓撲絕緣體、過渡族金屬硫化物(TMDs)、六角氮化硼(h-BN)、磷烯、銻烯、鉍烯 智能黑磷水凝膠納米醫(yī)藥載體、鈣鈦礦二維材料、二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)、黑磷納米材料、C3N4納米片、二維鍺烯量子點、酞菁納米片、卟啉納米片、碳納米管定制。
GeBi2Te4晶體
GeBi4Te7粉體
GeBi4Te7晶體
GePbS3 晶體
GeS 硫化鍺晶體
GeSb4Te7晶體
GeSe 硒化鍺
GeTe晶體
HfS2 硫化鉿
HfS3晶體
HfSe2 硒化鉿
HfTe2 碲化鉿晶體
HfTe5晶體
HgPSe3晶體
In2GaBi2S6晶體
In2P3S9晶體
In2P3Se9 晶體
In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相
In2Te5晶體
In3SbTe2晶體
InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體
InBi晶體
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