美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY參數(shù)分析儀4200-SCS
商品型號(hào)：4200-SCS
商品價(jià)格：面議或電議
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY參數(shù)分析儀4200-SCS研究應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體材料和器件的研發(fā)—傳統(tǒng)的半導(dǎo)體和微電子專業(yè)
器件和工藝的參數(shù)監(jiān)控—半導(dǎo)體工藝線，生產(chǎn)
器件的建模（Modeling)—半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，集成電路的設(shè)計(jì)
可靠性和壽命測(cè)試—半導(dǎo)體器件可靠性研究
高功率MOSFET，
BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析
納米器件研究；
光電子器件的研究（LED，OLED等）；
非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器測(cè)試—Flash閃存，相變存儲(chǔ)器（PRAM），鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM)，阻變存儲(chǔ)器（RRAM)等；
有機(jī)半導(dǎo)體特性分析
太陽(yáng)能電池及光伏電池特性分析
確定樣品的電阻率和Hall載流子濃度
氧化層厚度、柵面積、串聯(lián)電阻、平帶電容、電壓、開(kāi)啟電壓、體摻雜、有效氧化層電荷密度、可動(dòng)電荷、金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)、德拜長(zhǎng)度、體電勢(shì)等。
標(biāo)準(zhǔn)C-V掃描：普通MOSFET，二極管和電容器；
MOScap：測(cè)量MOS電容器上的C-V，提取參數(shù)包括氧化層電容，氧化層厚度，摻雜濃度，耗盡深度，德拜長(zhǎng)度，平帶電容，平帶電壓，體電勢(shì)，閾值電壓，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，有效氧化層電荷；
MOSFET：對(duì)一個(gè)MOSFET器件進(jìn)行一個(gè)C-V掃描。提取參數(shù)包括：氧化層厚度，氧化層電容，平帶電容，平帶電壓，閾值電壓，摻雜濃度與耗盡深度的函數(shù)關(guān)系；
壽命：確定產(chǎn)生速度并進(jìn)行壽命測(cè)試（Zerbst圖）；
可動(dòng)離子：使用BTS方法確定并提取平帶電壓參數(shù)確定可動(dòng)電荷。包括對(duì)Hot Chuck熱吸盤的控制。在室溫下測(cè)試樣品，然后加熱后測(cè)試，然后再恢復(fù)至室溫下以確定平帶漂移電壓，從而確定可動(dòng)電荷；
電容：在金屬-絕緣-金屬（MIM）電容器上進(jìn)行C-V掃描和C-f掃描，并計(jì)算出標(biāo)準(zhǔn)偏差；
PN結(jié)：測(cè)量P-N結(jié)或肖特及二極管的電容與其尖端片置電壓的函數(shù)關(guān)系；
光伏電池：測(cè)量一個(gè)發(fā)光太陽(yáng)電池的正向和反向DC特性，提取參數(shù)，最大功率，最大電流，最大電壓，短路電流，開(kāi)路電壓，
效率。同時(shí)執(zhí)行C-V和C-f掃描特性；
BJT：在端-端之間測(cè)量電容（OV偏置情況下），Cbe，Cbc，Cec；
接線電容：測(cè)量晶圓上小的互相接線之間的電容；
納米線：在兩端的納米線器件上進(jìn)行C-V掃描；
閃存：在一個(gè)典型的柵極懸浮閃存器件上進(jìn)行C-V測(cè)量。
碳納米管、生物芯片/器件、碳納米管FET、納米線、分子線、分子晶體管、多管腳納米格
超快I-V的源和測(cè)量在很多技術(shù)領(lǐng)域變得越來(lái)越重要，包括化合物半導(dǎo)體，中功率器件，中功率器件，非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器，MEMS（微機(jī)電器件），納米器件，太陽(yáng)電池和CMOS器件。
脈沖I-V對(duì)器件進(jìn)行特性分析可以實(shí)現(xiàn)用傳統(tǒng)DC方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)的任務(wù)，比如，對(duì)納米器件的自熱效應(yīng)的克服，對(duì)于高K柵極電介質(zhì)器件中因電荷陷阱效應(yīng)而導(dǎo)致的磁滯效應(yīng)般的電流漂移。
瞬態(tài)I-V測(cè)試使得科研人員來(lái)獲取高速的電流或電壓波形。脈沖信號(hào)源可用于器件可靠性中的應(yīng)力測(cè)試，或者以多階梯脈沖模式對(duì)存儲(chǔ)器件的擦、寫操作
通用的脈沖I-V器件測(cè)試
CMOS器件特性分析：電荷泵，自熱效應(yīng)，電荷陷阱，NBTI/PBTI分析
非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器：閃存，相變存儲(chǔ)器
化合物半導(dǎo)體器件和材料：LED等
納米器件和MEMS等?
