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DDR電路的PCB布局布線要求

2023-08-16 14:52 作者:華秋電路  | 我要投稿

上期和大家聊的電源PCB設(shè)計(jì)的重要性,那本篇內(nèi)容小編則給大家講講存儲(chǔ)器的PCB設(shè)計(jì)建議,同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例,詳細(xì)介紹一下DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)要如何布局布線。


由于RK3588 DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps,PCB設(shè)計(jì)難度大,所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠提供的DDR模板和對(duì)應(yīng)的DDR固件,DDR模板是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的仿真和測(cè)試驗(yàn)證后發(fā)布的。


在單板PCB設(shè)計(jì)空間足夠的情況下,優(yōu)先考慮留出DDR電路模塊所需要的布局布線空間,拷貝瑞芯微原廠提供的DDR模板,包含芯片與DDR顆粒相對(duì)位置、電源濾波電容位置、鋪銅間距等完全保持一致。


如下8張圖分別為:L1-L8層DDR電路走線示意圖。


如果自己設(shè)計(jì)PCB,請(qǐng)參考以下PCB設(shè)計(jì)建議,強(qiáng)烈建議進(jìn)行仿真優(yōu)化,然后與瑞芯微原廠FAE進(jìn)行確認(rèn),確認(rèn)沒(méi)問(wèn)題以后再進(jìn)行打樣調(diào)試。


1、CPU管腳,對(duì)應(yīng)的GND過(guò)孔數(shù)量,建議嚴(yán)格參考模板設(shè)計(jì),不能刪減GND過(guò)孔。8層通孔的PCB模板,CPU管腳GND過(guò)孔設(shè)計(jì)如下圖所示,黃色為DDR管腳信號(hào),地管腳為紅色。


2、信號(hào)換層前后,參考層都為GND平面時(shí),在信號(hào)過(guò)孔25mil(過(guò)孔和過(guò)孔的中心間距)范圍內(nèi)需要添加GND回流過(guò)孔(黃色為DDR信號(hào),紅色為GND信號(hào)),改善信號(hào)回流路徑,GND過(guò)孔需要把信號(hào)換層前后GND參考平面連接起來(lái)。


一個(gè)信號(hào)過(guò)孔,至少要有一個(gè)GND回流過(guò)孔,盡可能增加GND回流過(guò)孔數(shù)量,可以進(jìn)一步改善信號(hào)質(zhì)量,如下圖所示。


3、GND過(guò)孔和信號(hào)過(guò)孔的位置會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量,建議GND過(guò)孔和信號(hào)過(guò)孔交叉放置,如下圖所示,雖然同樣是4個(gè)GND回流過(guò)孔,4個(gè)信號(hào)過(guò)孔在一起的情況要避免,這種情況下過(guò)孔的串?dāng)_最大。


4、8層板建議DDR信號(hào)走第一層、第六層、第八層,DQ、DQS、地址和控制信號(hào)、CLK信號(hào)都參考完整的GND平面,如果GND平面不完整,將會(huì)對(duì)信號(hào)質(zhì)量造成很大的影響。


5、如下圖所示,當(dāng)過(guò)孔導(dǎo)致信號(hào)參考層破裂時(shí),可以考慮用GND走線優(yōu)化下參考層,改善信號(hào)質(zhì)量。


6、繞線自身的串?dāng)_會(huì)影響信號(hào)延時(shí),走線繞等長(zhǎng)時(shí),注意按下圖所示。


7、在做等長(zhǎng)時(shí),需要考慮過(guò)孔的延時(shí),如下圖所示。


8、非功能焊盤(pán)會(huì)破壞銅皮,以及增大過(guò)孔的寄生電容,需要?jiǎng)h除過(guò)孔的非功能焊盤(pán),做無(wú)盤(pán)設(shè)計(jì)。


9、走線距離過(guò)孔越近,參考平面越差,走線距離過(guò)孔鉆孔距離建議≧8mil,有空間的地方增大間距。


10、調(diào)整過(guò)孔位置,優(yōu)化平面的裂縫,不要造成平面割裂,起到改善回流路徑的作用,如下圖所示。


11、DQS、CLK、WCLK信號(hào)需要做包地處理,包地線或銅皮建議間隔≦400mil,打一個(gè)GND過(guò)孔,如下圖所示。


12、對(duì)于VDD_DDR電源,DCDC區(qū)域電源換層時(shí),建議打≧6個(gè)0503過(guò)孔。


13、對(duì)于VDDQ_DDR電源,DCDC區(qū)域電源換層時(shí),建議打≧6個(gè)0503過(guò)孔。


14、對(duì)于VDD2_DDR電源,DCDC區(qū)域電源換層時(shí),建議打≧6個(gè)0503過(guò)孔。


15、對(duì)于VDD1_1V8_DDR電源,電源平面換層時(shí),建議至少打≧2個(gè)0402過(guò)孔。


16、每個(gè)電容焊盤(pán)建議至少一個(gè)過(guò)孔,對(duì)于0603或者0805封裝的電容建議一個(gè)焊盤(pán)對(duì)應(yīng)兩個(gè)過(guò)孔,過(guò)孔的位置要靠近管腳放置,減小回路電感。


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基本可涵蓋所有可能發(fā)生的制造性問(wèn)題,能幫助設(shè)計(jì)工程師在生產(chǎn)前檢查出可制造性問(wèn)題,且能夠滿(mǎn)足工程師需要的多種場(chǎng)景,將產(chǎn)品研制的迭代次數(shù)降到最低,減少成本。


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