(電子結構用來描述電子所處的位置)

①主量子數n:電子所處殼層(一個省)

②軌道角動量量子數li(角量子數):電子在同一殼層所處位置(一個市)

③軌道磁量子數mi(磁量子數):每個電子亞層的軌道數量(一個小區(qū))，s,p,d,f

④自旋角動量子數si:電子的自旋方向(上下箭頭，南門或北門)

①能量最低原理:電子排布從低到高

②泡利不相容原理:不能有四個量子數都相同的兩個電子，最多容納2n2

③洪特規(guī)則:電子排布盡可能分占不同能級

金屬中自由電子和金屬正離子相互作用構成的鍵合，無方向性飽和性，密堆結構，良好的延展性，因具有自由電子有良好的導電和導熱性能

正負離子通過靜電引力結合，(以離子為結合單元)無方向性飽和性，配位數較高，熔點硬度較高，良好絕緣體，

相鄰原子通過共用電子對，形成穩(wěn)定八電子結構，有方向性和飽和性，配位數小，導電能力差，結構穩(wěn)定，熔點高，質硬脆

次價鍵，形成氫橋，有方向性和飽和性，

次價鍵，無方向性飽和性，近鄰原子相互作用形成偶極子，借助微弱的瞬時的電偶機矩將原子或分子結合，包括靜電力，誘導力，色散力

共價鍵和氫鍵有方向性和飽和性

物理性能:結合鍵越強，熔點越高，熱膨脹系數越小，密度也越大，金屬具有導電性和導熱性

力學性能:晶體材料的硬度與晶體的結合鍵有關。結合鍵能高，強度也高一些。金屬鍵結合材料有良好的塑型。