????????前面我們分析了FOC中SVPWM的底層操作原理，再怎么復(fù)雜的定時(shí)器架構(gòu)最終也是輸出脈沖信號(hào)到IO口，也就是高低電平最終用來(lái)控制MOS管的完全導(dǎo)通，因?yàn)椴煌耆珜?dǎo)通相當(dāng)于接觸不良，時(shí)間長(zhǎng)了就容易內(nèi)阻發(fā)熱，最終燒壞MOS，所以IO口的高低電平信號(hào)經(jīng)過(guò)光耦、預(yù)驅(qū)、限流電阻等等，最終是一個(gè)MOS管完全導(dǎo)通信號(hào)，比如把電機(jī)三相線換成電阻，就可以看到一個(gè)個(gè)的方波電壓，其電流也是方波。

????????由于我們的無(wú)刷電機(jī)線圈相當(dāng)于電感、電阻串聯(lián)體，而電阻極小，所以可以把無(wú)刷看成是電感，由于電感不允許電流突變，所以每一次SVPWM的MOS開關(guān)操作相當(dāng)于給電感續(xù)流，使其穩(wěn)定在每一個(gè)時(shí)刻的正弦位置。

? ? ????比如0時(shí)刻MOS全開或全關(guān)，這時(shí)候完全沒(méi)有電流，就是正弦在坐標(biāo)軸的0位置，隨著時(shí)間推進(jìn)，MOS增大PWM中開的時(shí)刻，慢慢增大到正弦波下一個(gè)時(shí)刻應(yīng)該保持的電流大小，比如1位置處占空比就應(yīng)該為sin(1)，約等于0.841471，即84.1%的占空比，而pi/2處則應(yīng)該100%占空比導(dǎo)通MOS。

????????SVPWM中MOS管給相線同母線電壓、地線間做導(dǎo)通給線圈續(xù)流，因此隨著定時(shí)器給IO口輸出高低電平，最終到MOS管的導(dǎo)通，每一次開關(guān)(藍(lán)線)都影響著電機(jī)相線(黃線)的電流，即做著微小的曲線變化，像這樣。

????????接著縮放波形

????????再縮小

????????就像前面說(shuō)的，電感不允許電流像PWM一樣做方波一樣的開關(guān)變化，所以電流只跟著MOS的開關(guān)做微小的變化，逐漸調(diào)整占空比使電流宏觀上整體按照正弦變化。

????????其實(shí)DCDC開關(guān)電源也是一樣的原理，MOS通斷給電感、二極管續(xù)流，電流不會(huì)突變，電流&電壓上升到設(shè)定值，通過(guò)反饋電阻又控制MOS的關(guān)斷，整體保持著設(shè)定的輸出電壓&電流值，DCDC一般為了保持穩(wěn)定的電壓開關(guān)頻率都比較快，幾十K到幾百K不等。只不過(guò)電源IC是保持一個(gè)設(shè)定值，而FOC是根據(jù)電機(jī)需求的電流動(dòng)態(tài)保持正弦設(shè)定值。

????????可能有的小伙伴迷惑了，這么說(shuō)SVPWM占空比變化規(guī)律按照正弦變化，那不就是SPWM了嘛，主要是無(wú)刷沒(méi)有公共端引出。這個(gè)我們后面再說(shuō)。（你也可以先想想）

????????前面我們說(shuō)了，F(xiàn)OC甚至六步中，MOS都必須完全打開，而電機(jī)的相電阻都很小，這不相當(dāng)于短路了嘛，因此必須控制PWM也就是IO口也就是MOS開關(guān)的頻率不能太低，當(dāng)然也不能太高。選用的MOS管內(nèi)阻不能太高，(要么耐壓低，要么電流低，要么太貴)，實(shí)在沒(méi)辦法就只能加散熱片或者風(fēng)扇了。

????????一般電源IC為了電源更穩(wěn)定會(huì)使用比較高的開關(guān)頻率，比如mp2144達(dá)到了變態(tài)的1.2MHz開關(guān)頻率。手冊(cè)來(lái)源：https://www.monolithicpower.com/en/documentview/productdocument/index/version/2/document_type/Datasheet/lang/en/sku/MP2144/document_id/436

????????說(shuō)一下前面SVPWM占空比變化規(guī)律的問(wèn)題，其實(shí)變化規(guī)律確實(shí)是沒(méi)問(wèn)題的，是要按著正弦的變化來(lái)調(diào)節(jié)PWM占空比，不過(guò)還有一些細(xì)節(jié)問(wèn)題，比如無(wú)刷電機(jī)一般都是直流驅(qū)動(dòng)，即用一個(gè)比較高的直流母線電壓，通過(guò)三組半橋來(lái)驅(qū)動(dòng)，因此不能按照規(guī)范的正弦波一樣輸出負(fù)壓，所以正弦波中的波峰波谷對(duì)應(yīng)母線電壓和地（0電壓）。

????????另外鑒于NMOS結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)能力比PMOS強(qiáng)，所以無(wú)刷驅(qū)動(dòng)板都是雙NMOS結(jié)構(gòu)的半橋，而由于NMOS的導(dǎo)通條件，又需要一個(gè)比母線電壓更高的電壓來(lái)導(dǎo)通上半橋的NMOS，因此又需要自舉升壓的預(yù)驅(qū)芯片來(lái)做橋接，即連接在隔離后的IO信號(hào)和MOS管限流電阻之間，不過(guò)雙NMOS結(jié)構(gòu)又需要避免上下橋同時(shí)導(dǎo)通造成短路，所以預(yù)驅(qū)芯片一般也都有保護(hù)功能，防止上下橋MOS同時(shí)導(dǎo)通，以及死區(qū)功能等。當(dāng)然也有一些MCU自帶的預(yù)驅(qū)電路，可以減少驅(qū)動(dòng)板layout面積。

????????其實(shí)有SVPWM疑問(wèn)的小伙伴應(yīng)該是忘記了SVPWM的六步和零矢量的特殊性，所以即便是SVPWM要按照正弦計(jì)算，那么鑒于SVPWM六步和零矢量的特殊性，也需要進(jìn)一步做矢量計(jì)算，最終才能得到MOS導(dǎo)通的占空比，最終根據(jù)開關(guān)頻率計(jì)算到定時(shí)器的比較寄存器，輸出IO高低電平驅(qū)動(dòng)光耦、預(yù)驅(qū)、MOS，最終帶著無(wú)刷電機(jī)做FOC旋轉(zhuǎn)。