編輯-Z

MOS管7N60一般為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管7N60的源極（source）和漏極（drain）是可以對調(diào)的，都是形成在P型背柵中的N型區(qū)。大多數(shù)情況下，這兩個區(qū)域是相同的，即使兩端接反也不會影響器件的性能，7N60這種器件被認為是對稱的。

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7N60參數(shù)描述

型號：7N60

封裝：TO-220

特性：高效MOS管

電性參數(shù)：7A 600V

連續(xù)二極管正向電流(IS)：7A

脈沖二極管正向電流(ISM)：28A

漏源電壓(VDSS)：600V

二極管正向電壓(VSD)：1.5V

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：1uA

反向恢復(fù)時間(trr)：648NS

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：3

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場效應(yīng)管7N60通過在絕緣層上投射電場來影響流過晶體管的電流。事實上，沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流很小。最常見的 FET 使用二氧化硅薄層作為 GATE 極下的絕緣體。這種類型的晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (MOSFET)。由于MOS管7N60更小、更節(jié)能，因此在許多應(yīng)用中已取代雙極型晶體管。

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MOS管7N60優(yōu)勢：

1、可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管7N60放大器的輸入阻抗很高，耦合電容可以有更小的容量，不必使用電解電容。

2、非常高的輸入阻抗很適合做阻抗轉(zhuǎn)換。7N60常用于多級放大器輸入級的阻抗轉(zhuǎn)換。

3、可用作可變電阻器。

4、可方便地作為恒流源使用。

5、可作為電子開關(guān)使用。

6、電路設(shè)計靈活性大。柵極偏壓可正可負或為零，三極管只能在正偏壓下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外7N60輸入阻抗高，可以減少信號源的負載，容易與前級匹配。