ROHM?Semiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。

　　特性

　　》650V E模式GaN FET

　　》低導(dǎo)通電阻

　　》高速開關(guān)

　　》內(nèi)置ESD保護(hù)

　　》高度可靠的設(shè)計

　　》幫助減少電源轉(zhuǎn)換效率和尺寸

　　》出色的散熱性能

　　》符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

　　應(yīng)用

　　》高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器

　　》高密度轉(zhuǎn)換器

　　規(guī)范

　　》GNP1070TC-Z

　　》DFN8080K封裝類型

　　》連續(xù)漏極電流范圍：7.3A至20A

　　》脈沖漏極電流范圍：24A至66A

　　》漏源電壓：650V

　　》瞬態(tài)漏源電壓：750V

　　》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

　　》瞬態(tài)柵源電壓：8.5V

　　》+25℃時功耗：56W

　　》柵極輸入電阻：0.86Ω(典型值)

　　》輸入電容：200pF(典型值)

　　》輸出電容：50pF(典型值)

　　》輸出電荷：44nC

　　》總柵極電荷：5.2nC(典型值)

　　》典型接通延遲時間：5.9ns

　　》典型上升時間：6.9ns

　　》典型關(guān)閉延遲時間：8.0ns

　　》典型下降時間：8.7ns

　　》GNP1150TCA-Z

　　》DFN8080AK封裝樣式

　　》連續(xù)漏極電流范圍：5A至11A

　　》脈沖漏極電流范圍：17A至35A

　　》漏源電壓：650V

　　》瞬態(tài)漏源電壓：750V

　　》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

　　》瞬態(tài)柵源電壓：8.5V

　　》+25℃時功耗：62.5W

　　》柵極輸入電阻：2.6Ω(典型值)

　　》輸入電容：112pF(典型值)

　　》輸出電容：19pF(典型值)

　　》輸出電荷：18.5nC

　　》典型總柵極電荷：2.7nC

　　》典型接通延遲時間：4.7ns

　　》典型上升時間：5.3ns

　　》典型關(guān)閉延遲時間：6.2ns

　　》典型下降時間：8.3ns

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