近日

中建一局中標(biāo)

武漢長飛第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目

助力武漢打造

集成電路芯片和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

△項(xiàng)目效果圖

項(xiàng)目位于武漢市東湖高新區(qū)

建筑總面積約25.15萬平方米

建設(shè)內(nèi)容包括廠房、綜合樓等

建成后將打造從外延生長、器件設(shè)計(jì)

晶圓制造到模塊封測的全產(chǎn)業(yè)鏈能力

預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片

功率器件模塊6100萬個(gè)

廣泛覆蓋新能源汽車、光伏

儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域

△項(xiàng)目總平圖

該項(xiàng)目是響應(yīng)國家

“創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略”的重大舉措

建成后將成為國內(nèi)最大的

SiC功率半導(dǎo)體制造基地

推動長飛先進(jìn)半導(dǎo)體成為

中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭羊

助力武漢打造世界級化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

為高科技產(chǎn)業(yè)新升級貢獻(xiàn)央企力量

（中建一局）