說來慚愧，作為一名熱愛折騰的硬件玩家，過去的我確實對“長鑫存儲”知之甚少。在我的心中，它是熟悉而又陌生。

說它熟悉，因為長鑫曾是各大新聞中的頭條、是打破技術(shù)壟斷的希望。在內(nèi)存行業(yè)物價飛漲的時代，它是消費者們翹首以盼的救星。

長鑫確實沒有辜負(fù)人們的期盼，短短數(shù)年便已初具規(guī)模?？晌覍λ漠a(chǎn)品印象，卻也停留在了那時價格低廉的普條之上。

眼下正是DDR4內(nèi)存的最后時刻，長鑫存儲卻依然發(fā)布著新款產(chǎn)品。代號為“CJ-A”的高頻顆粒，便在近期迎來首秀。“最好的內(nèi)存之一”口號響亮，而我的心中不免有所遲疑——過去和“性能”近乎絕緣的長鑫內(nèi)存，當(dāng)下竟以“超頻”作為賣點，如今的長鑫顆粒 表現(xiàn)到底如何？

是時候重新認(rèn)識它了———煥然一新的長鑫內(nèi)存，究竟是徒有虛名，抑或令人刮目相看？

參數(shù)分析

高頻長鑫顆粒的首次亮相，便是在這套光威天策“弈”系列內(nèi)存之上。

這是一款3200Mhz、單條16G容量的內(nèi)存條，目前的售價為419元。在它的商品介紹中，不乏有“最高規(guī)格的長鑫顆粒”等字樣。

作為DRAM行業(yè)的新入局者，外界對長鑫產(chǎn)品的參數(shù)知之甚少。也正因此，這套內(nèi)存的ThaiphoonBurner數(shù)據(jù)特別值得一提。

軟件準(zhǔn)確辨認(rèn)出了制造商“CXMT長鑫存儲”與A-Die的顆粒編號，2Ranks的規(guī)格則表明這是一套雙面內(nèi)存，單顆粒容量為8Gbit。但是，臺風(fēng)卻在“22nm”的技術(shù)制程上犯了錯誤——公開資料顯示，長鑫使用的是更為先進的19nm工藝。

除此以外，“SPEED GRADE（速度等級）”的識別結(jié)果也引起了我的注意。為了確保穩(wěn)定與性能，光威宣稱使用了“原廠長鑫顆?！?，然而?臺風(fēng)此處竟赫然寫著“DDR4-2400 Downbin”？！

“Downbin”，意為“降級片”。它們本是以更高“速度等級”制造的產(chǎn)品，卻在層層篩選中被淘汰下來。為了保證成本收益，這些芯片往往會降級使用——這與光威所宣傳的“原廠原字，最高規(guī)格”相去甚遠(yuǎn)。

這是什么情況？到底是臺風(fēng)軟件識別錯誤，還是光威玩起了“文字游戲”？真正的答案或許就藏在散熱片之下。我決定拆開內(nèi)存，一探究竟。

如你所見，光威所言非虛。這套內(nèi)存確實使用了如假包換的原廠原片，“CXMT”的絲印清晰可見。

而“DDR4最高規(guī)格”的說法，也在第二行那“CJ-A”的編號上得到了印證。這代表著長鑫顆粒的“原生頻率”。

“CQ”意味著2133Mhz，“CG”表示2666Mhz，而光威所使用的“CJ”標(biāo)號，則是長鑫產(chǎn)品中最為強大的原生3200Mhz顆粒——這是DDR4 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中的最高頻率！

此前市售的“長鑫內(nèi)存”中，顆粒的原生頻率多為2133/2666Mhz等較低值。廠商需借助多重技術(shù)手段，方能挑選出少量高頻的產(chǎn)品。

而光威“弈”所采用的CJ-A高頻顆粒，正是CXMT多年心血的技術(shù)結(jié)晶。長鑫存儲或在工藝與良率上取得了突破，如今已能穩(wěn)定生產(chǎn)出更高頻率的DRAM產(chǎn)品。

“原生高頻”，不但代表著更出色的穩(wěn)定性、更優(yōu)秀的質(zhì)量，更意味著廣闊的超頻空間。長鑫CJ-A顆粒初次登場，光威“弈”系列的表現(xiàn)令人期待。

純白色的散熱片平平無奇，或許不會讓人聯(lián)想到太多性能。但可不要因此輕視長鑫的實力——就讓我們在測試中見真章吧。

內(nèi)存測試

測試CPU：AMD Ryzen R7-3800X

主板平臺：ASUS PRIME X570-PRO

“為了確保同老舊設(shè)備的兼容性”，光威將內(nèi)存的基礎(chǔ)頻率降低至2400Mhz——這樣的做法有些令人費解。用戶需在主板BIOS內(nèi)開啟“XMP”或“D.O.C.P”功能，方可發(fā)揮出3200Mhz的全部實力。

比起普條內(nèi)存，光威的CL16 XMP時序要低得多，性能的提升是顯而易見的，延遲表現(xiàn)因此好上不少。

可見，相比3200Mhz普條內(nèi)存，原廠XMP有效提高了3DMark Timespy測試的CPU分?jǐn)?shù)。但對玩家們而言，3200Mhz只是起點——“原生高頻”的長鑫CJ-A顆粒，性能潛力如何？

對單條16GB的雙面內(nèi)存來說，“極限超頻”絕非易事。雙面顆粒是一把雙刃劍，在一方面，它有著更高的同頻帶寬、在相同時序下有更優(yōu)秀的性能表現(xiàn)；而在另一方面，更多的內(nèi)存顆粒 也意味著更大的發(fā)熱、更復(fù)雜的電氣參數(shù)、更多的不確定性，超頻難度因此成倍地上漲。

在我的印象中，過去的長鑫雙面內(nèi)存很難觸及高頻，3600Mhz已是奢望。然而，光威“弈”系列產(chǎn)品顛覆了我的認(rèn)知——僅需1.4V電壓，長鑫CJ-A顆粒 便能工作在3800Mhz的同步頻率之下。穩(wěn)定時序則是CL18-17-17-35-55，各項小參堪稱驚艷。

對比同為1.4V的美光E-Die內(nèi)存，光威與長鑫棋逢對手。盡管受限于雙面內(nèi)存的掣肘，但是長鑫A-Die顆粒仍在tRFC（行地址刷新周期）tRCD-RD（行至列讀取延遲）等重要參數(shù)上明顯領(lǐng)先。

在AIDA測試的博弈中，長鑫顆粒先發(fā)制人。如前所述，在相同的頻率下，雙面內(nèi)存的帶寬有著明顯優(yōu)勢，拷貝速度高達53GB/S。即使是第一時序更低的單面內(nèi)存，卻也依舊望塵莫及。

與此同時，縱是雙面布局，長鑫顆粒也有著優(yōu)異的小參表現(xiàn)。低至420T的tRFC時序，大幅降低了內(nèi)存的時延；而tRCD更是僅有17T，這讓雙面長鑫的延遲表現(xiàn) 幾乎與單面內(nèi)存持平。

帶寬顯著更優(yōu)、延遲幾乎一致，長鑫Adie自然有著無可爭議的性能優(yōu)勢。

“最好的DDR4顆粒之一”，此刻并非空穴來風(fēng)。士別三日，當(dāng)刮目相待。如今的長鑫早已蛻變，確實和我過去的印象大不相同。

后記

打破重重技術(shù)壟斷而來，長鑫存儲與光威科技共同交上了令人滿意的答卷。被長鑫A-die的優(yōu)異表現(xiàn)深深震撼之時，我的心中也難免有一絲惋惜。

DDR4內(nèi)存的最后時刻，長鑫的高頻產(chǎn)品方才姍姍來遲；DDR5走向普及的當(dāng)下，“CJ-A”的生命周期注定短暫。盡管如此，其性能表現(xiàn)正如天策星般耀眼。

我惋惜它的姍姍來遲，而驚嘆它的優(yōu)異潛質(zhì)。長鑫顆粒有如最燦爛的流星，劃破了DDR4末期的寂靜夜空。雖然注定稍縱即逝，卻也已經(jīng)足夠輝煌。

多年的努力終見回報，何愁不能攀登下一座高峰？不要忘記我們所取得的成就，愿長鑫能在探索的道路上越行越遠(yuǎn)。