NPTB00004A

GaN 放大器 28 V，5 W，直流 - 6 GHz

NPTB00004A GaN HEMT 是一款寬帶晶體管，針對(duì) DC-6 GHz 操作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件專為 CW、脈沖和線性操作而設(shè)計(jì)，輸出功率水平高達(dá) 5W (37 dBm)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝 SOIC 塑料封裝。在低于 3GHz 的頻率下，NPTB00004A 是 NPTB00004 的替代品。

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特征

• 57% 漏極效率 @ 2.5 GHz

• GaN on Si HEMT D 模式晶體管

• 可調(diào)諧從 DC - 6 GHz

• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOIC 塑料封裝

• 28V操作

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產(chǎn)品規(guī)格

• 零件號(hào)

• NPTB00004A

• 描述

• GaN 放大器 28 V，5 W，直流 - 6 GHz

• 最小頻率(MHz)

• 0

• 最大頻率(MHz)

• 6000

• 電源電壓(V)

• 28

• PSAT(W)

• 5.0

• 增益（分貝）

• 17.0

• 效率

• >50

• 測(cè)試頻率(GHz)

• 2.50

• 包裹

• SOIC8NE

• 包裹類別

• 塑料

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