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特征尺寸:半導體器件最小尺寸(CMOS表示柵寬即溝道長),一般特征尺寸(溝道長)小、性能高、功耗低,但是過小會導致短溝道效應(MOS關不斷(柵壓失去控制能力):柵壓去掉,源極、漏極之間還存在漏電流),而漏電流存在會導致靜態(tài)功耗增大,為了降低此效應帶來的負面影響需要在器件結構、工藝方面改進。
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特征尺寸:半導體器件最小尺寸(CMOS表示柵寬即溝道長),一般特征尺寸(溝道長)小、性能高、功耗低,但是過小會導致短溝道效應(MOS關不斷(柵壓失去控制能力):柵壓去掉,源極、漏極之間還存在漏電流),而漏電流存在會導致靜態(tài)功耗增大,為了降低此效應帶來的負面影響需要在器件結構、工藝方面改進。