NMOS選型

常用作電子開關(guān)于DCDC開關(guān)電源，反激電源，（非）同步整流BUCK降壓電路，鋰電池保護(hù)板，無人機(jī)電調(diào)板，防反接電路，無橋PFC，單相逆變，三相逆變，變頻，無線充電等。

屹晶微：EG1162

高電壓大電流降壓型開關(guān)電源芯片

捷微， JMSH1006AG

NMOS

耐壓：100V

導(dǎo)阻：5.3毫歐

封裝：PDFN5*6

Cellwise-CW1274

鋰電池管理芯片

華潤(rùn)微，CRSS052N08N

NMOS

耐壓：85V

導(dǎo)阻：4.6毫歐

封裝：TO263貼片

4個(gè)BLDC，各需要6個(gè)NMOS，共計(jì)24個(gè)NMOS。

萬代 AOS-AON7934

NMOS

30V，Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS

R004, 4毫歐，取樣電阻

每個(gè)橋臂一個(gè)

TI, DRV8313

三個(gè)半H橋驅(qū)動(dòng)器集成電路（IC）

Active-Semi- PAC5223

電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 （4顆）

ALPHA&OMEGA, AON7934

不對(duì)稱n通道AlphaMOS芯片（12顆）

STC32G12K128

TPN2R703NL, NMOS

FD6288Q, 柵極驅(qū)動(dòng)

TPN2R703NL， NMOS

電壓：30V

電流：90A

TPH4R008NH，NMOS

18片，3片并聯(lián)

63V330uF電解電容，兩個(gè)并聯(lián)

TPH1R403NL， NMOS

漏源電壓(Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流(Id)：150A

功率(Pd)：64W

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mOhm@10V,30A

閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.3V@500uA

IR2104/IR2184, 驅(qū)動(dòng)器

IRLR7843, NMOS

NMOS等效電路

K閉合時(shí)：

Vgs(th) < Vgs < Vgss

導(dǎo)通時(shí)管壓降：Id*RDS(on)

功耗：Id2 *RDS(on)

提示：

1. RDS(on) 越小越好；
2. RDS(on)和Vgs相關(guān)，Vgs越大，RDS(on)越??；
3. Id越大，RDS(on)也會(huì)越大；
4. 溫度T越大，RDS(on)也會(huì)變大。

• Vds: Drain-source voltage
• Id: Drain current (DC)
• Tc=25°C
• Tc=100°C 更可靠
• Rds(on): Drain-source on-resistance
• Vgss: Gate-source voltage
• Vgs(th): Gate threshold voltage
• Qg: Total gate charge (gate-source plus gate-drain)
• Footprint

Vge=Vcc - Vd = 12V-0.35V=11.65V

• Vd：自舉二極管(肖特基)的管壓降

Cg=Qg/Vge = 21nC/11.65V = 1.8nF

Cboot > 10*Cg = 18nF，22nF,47nF,68nF ...470nF都可以選取。

實(shí)例中：4.7uF值太大，每次電容未充滿就給柵極供電，會(huì)導(dǎo)致Vgs太小，Rds(on)上升，并導(dǎo)致NMOS管發(fā)熱。

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