臺積電3nm今年下半年量產(chǎn)，2nm預計2025年量產(chǎn)
9月18日，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工廠臺積電 2nm 制程將于 2025 年量產(chǎn)，市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。目前臺積電先進制程進展順利，3nm 將在今年下半年量產(chǎn)，升級版 3nm（N3E）制程將于 3nm 量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即 2023 年量產(chǎn)，2nm 預計于 2025 年量產(chǎn)。
臺積電將在2024年正式取得ASML（阿斯麥）的下世代極紫光微影設備（High-Na EUV）。
媒體認為，這將對臺積電推進2nm制程工藝量產(chǎn)提供巨大的幫助。臺積電業(yè)務開發(fā)副總裁張曉強曾表示，臺積電在取得High-NA EUV光刻設備后初期將會與合作伙伴用于共同研究。
除去臺積電以外，三星也有計劃引進該設備，英特爾也宣布已與ASML簽署合同購買5臺該設備。媒體預計2nm制程工藝可能會在2025年左右正式量產(chǎn)。
據(jù)悉，High-NA EUV光刻機的預估單價為4億美元（約合人民幣27.94億元），是目前現(xiàn)有EUV光刻機單價的2倍以上。
臺積電 2nm 廠將落地竹科寶山二期擴建計劃，“竹科管理局”已展開公共設施建設，臺積電 2nm 廠也開始進行整地作業(yè)。
臺積電 2nm 首次采用納米片架構(gòu)，相較 N3E 制程，在相同功耗下頻率可提升 10% 至 15%。在相同頻率下，功耗降低 25% 至 30%。
臺積電總裁魏哲家日前在技術(shù)論壇中強調(diào)，臺積電 2nm 將會是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。市場也看好，臺積電 2nm 進度將領先對手三星及英特爾。
此前消息稱，雖然在 3nm 世代略有保守，但無論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經(jīng)接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸，所以外資法人預估臺積電 2nm 先進制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體 GAAFET 高端架構(gòu)生產(chǎn) 2nm 芯片。
