提起宏碁的Predator掠奪者，相信不少玩家第一時間想到的是各種高刷電競顯示器和游戲筆記本，最近Predator掠奪者推出了自家的超頻定位內(nèi)存Apollo，最主要特點是采用三星B-die顆粒和RGB燈效，管家也整了一套3600套條來玩玩，在這里給大家分享一下~

開箱部分

在包裝部分，Predator掠奪者Apollo DDR4 RGB 3600（下文簡稱掠奪者Apollo RGB）的包裝配色以黑色為主，包裝風(fēng)格簡潔且特點突出，其主要賣點除了高頻低時序外，內(nèi)存本身支持RGB燈效，可支持市面上各大主板品牌的RGB同步燈效功能。

包裝正面

支持臺系4家的RGB同步功能

全稱Apollo DDR4 RGB

相比常規(guī)的內(nèi)存產(chǎn)品，掠奪者Apollo RGB特性更加符合超頻玩家的口味，內(nèi)存本身采用10層PCB+15μm金手指觸點，搭配三星B-die顆粒和強(qiáng)化散熱馬甲，并支持英特爾/AMD最新平臺以及RGB功能，內(nèi)存產(chǎn)地為中國臺灣。

主要特點

中國臺灣生產(chǎn)

CL14參數(shù)相當(dāng)誘人

打開內(nèi)包~沒有附件

和之前管家測試的大多數(shù)內(nèi)存一樣，掠奪者Apollo RGB除了產(chǎn)品本體外并沒其他附件，不過話說回來，內(nèi)存產(chǎn)品除了基本箱說外還需要什么附件呢~

產(chǎn)品細(xì)節(jié)

和大多數(shù)超頻定位的高端內(nèi)存一樣，掠奪者Apollo RGB內(nèi)存本身在散熱馬甲部分下了不少功夫，增強(qiáng)散熱的帶凹槽散熱片以及酷炫的RGB一樣沒少，整體造型風(fēng)格有點像科幻游戲中的槍械造型，搭配RGB部分的金屬配飾略顯硬朗。

內(nèi)存本體

掠奪者Apollo RGB

頂部掠奪者LOGO

掠奪者Apollo RGB使用10層PCB設(shè)計，管家手上這套的XMP頻率為3600MHz，內(nèi)存時序為CL14-15-15-35，內(nèi)存工作電壓為1.45V，時序部分比市售大多數(shù)DDR4 3600內(nèi)存CL18要低不少。

單條規(guī)格DDR4 3600 CL14-15-15-35 8G

掠奪者Apollo RGB的散熱馬甲相比一般無馬甲內(nèi)存高出不少，玩家在選擇散熱器的時候需要注意，為了燈光效果和兼容問題，管家個人建議選擇性能較好且無兼容性問題的單塔散熱器或者一體式水冷散熱。

內(nèi)存高度特寫

在打料和細(xì)節(jié)方面，掠奪者Apollo RGB作為超頻內(nèi)存來說是相當(dāng)下本的，除了采用超頻性能不錯的三星B-die顆粒外，內(nèi)存散熱馬甲部分和顆粒之間使用了導(dǎo)熱墊，相比市售某些牌子的塑料馬甲+雙面膠組合實在不少。

三星B-die顆粒

內(nèi)存為單面設(shè)計，顆粒和散熱片之間帶導(dǎo)熱墊

大概就這樣~

唔姆~上機(jī)上機(jī)~

尾部細(xì)節(jié)

掠奪者LOGO

換一個角度

頂部logo特寫

未點亮狀態(tài)下頗有金屬質(zhì)感一點

RGB燈效展示

掠奪者Apollo RGB主要特點之一是RGB燈效，這方面和往常一樣，管家就不多說什么了，畢竟看圖總比管家吹水來得實在吧~值得一說的是，掠奪者Apollo RGB的默認(rèn)燈效是固定配色循環(huán)+閃耀，比一般RGB漸變來得酷炫一些。~

成功點亮（開燈環(huán)境下）

默認(rèn)燈效

熄燈下挺酷炫的

再來一張

發(fā)光區(qū)域較大

換了角度康康

尾部燈效細(xì)節(jié)，導(dǎo)光還算均勻

大概就這樣了

超頻性能&穩(wěn)定性測試

經(jīng)過網(wǎng)友們多次抱怨和詢問后，管家決定在內(nèi)存測試部分使用雙平臺進(jìn)行測試，這樣針對各家的內(nèi)存表現(xiàn)都更加直觀，也方便大家抄作業(yè)。在本次上機(jī)測試中，管家分別使用來自英特爾的10700K+Z490 UNIFY以及AMD的5800X+X570 CARBON，測試系統(tǒng)為WIN 20H1

AMD部分

5800X+X570 CARBON這個老組合在早前測試時就使用過，設(shè)定方面，CPU關(guān)閉PBO并超至全核4.6G，解鎖功耗限制同時禁用CPPC，電壓方面，CPU核心電壓為1.25V，NB/SOC電壓為1.175V，BIOS的AGESA版本為1.2.0.0。

CPUZ截圖

從臺風(fēng)軟件讀取的數(shù)據(jù)我們可以看到，管家手上這套掠奪者Apollo RGB使用顆粒來自三星的B-die顆粒，在未開啟XMP下默認(rèn)頻率為2133MHz，內(nèi)存生產(chǎn)日期為2020年46周。

臺風(fēng)軟件截圖

具體顆粒信息和生產(chǎn)日期

XMP詳細(xì)信息

未開啟XMP默認(rèn)2133MHz狀態(tài)，從AIDA64的內(nèi)存和緩存性能中我們可以看到，2133MHz默認(rèn)頻率下搭配4.6GHz的5800X內(nèi)存讀寫速度比較一般，讀取在30829MB/s，由于5800X單核心die設(shè)計，寫入只有17066MB/s。AMD內(nèi)存延遲短板雖然這兩代有所改善，但還是不太理想，即使在UCLK=MEMCLK的情況下內(nèi)存延遲也高達(dá)85.2ns，毫無疑問的是，AMD平臺下內(nèi)存超頻還是很有必要的。

默認(rèn)關(guān)閉XMP狀態(tài)

AIDA64（4.6G+默認(rèn)內(nèi)存狀態(tài)）

在BIOS中開啟XMP功能，內(nèi)存頻率順利超至3600，F(xiàn)CLK頻率會自動設(shè)置成1800，得益于三星B-die的優(yōu)秀兼容性（從1000系列首發(fā)到5000系列都完美兼容的顆粒類型）和MSI的BIOS優(yōu)化，成功進(jìn)系統(tǒng)后內(nèi)存時序部分沒有被AMD gear down mode調(diào)整，時序維持在XMP超頻檔的CL14-15-15-35。

開啟XMP

在XMP超頻后，5800X的內(nèi)存性能得到較大提升，內(nèi)存讀取和復(fù)制提升到50859MB/s和46875MB/s，內(nèi)存延遲也從85.2ns提升到58.6ns，提升幅度相當(dāng)明顯，基本上接近英特爾平臺的表現(xiàn)了。而相對的，內(nèi)存寫入僅為28792MB/s，這問題和5800X的單核心die構(gòu)造有關(guān)系，更換5900X和5950X才會得到緩解。

此時IOD FCLK維持在1800MHz

AIDA64（4.6G+內(nèi)存XMP 3600狀態(tài)）

通過MemtestPRO軟件進(jìn)行內(nèi)存烤機(jī)3小時22分鐘后，內(nèi)存跑了451%穩(wěn)定無報錯；另外，即使負(fù)載3小時后內(nèi)存馬甲表面溫度還是很低，三星顆粒這方面表現(xiàn)還是挺不錯。

XMP下MemtestPRO跑了3小時22分451%無報錯

通過BIOS中開啟MSI預(yù)設(shè)內(nèi)存超頻檔memory try it功能，掠奪者Apollo RGB成功超頻至4000MHz，時序則是CL16-16-16-36 1T，內(nèi)存工作電壓為1.45V，由于AGESA版本更新至1.2.0.0，CPU的FCLK也能穩(wěn)定在2000MHz上。

開啟主板自帶Memory Try It選項

DDR4 4000 CL16+IOD FCLK 2000MHz√

當(dāng)內(nèi)存超頻至4000MHz/FCLK 2000MHz后，5800X的內(nèi)存性能得到進(jìn)一步提升，內(nèi)存讀取和復(fù)制提升至55242MB/s和51617MB/s，內(nèi)存延遲進(jìn)一步縮小至54.8ns，內(nèi)存寫入提升至31944MB/s，通過MemtestPRO烤機(jī)2小時281%無報錯，常規(guī)穩(wěn)定運行是沒問題的（AMD平臺下也能有這個成績，屬實不易?。?。

成功開機(jī)進(jìn)系統(tǒng)

AIDA64（4.6G+FCLK 2000MHz+內(nèi)存4000MHz狀態(tài)）

FCLK 2000MHz+4000MHz CL16下MemtestPRO 2小時284%無報錯

英特爾平臺

來到英特爾平臺部分，在CPU設(shè)定方面，管家手動鎖定CPU頻率為全核5GHz，ring頻率為4.7Ghz，解鎖功耗限制至最大值，此時CPU核心電壓為1.25V。

XMP部分（10700K）

在XMP超頻后，10700K的內(nèi)存性能表現(xiàn)略比5800X好一點，內(nèi)存讀取和復(fù)制提升到53306MB/s和47947MB/s，內(nèi)存延遲為42.8ns，相比市面上CL16/CL18延遲的3600內(nèi)存延遲方面低了不少，不同于AMD平臺，內(nèi)存寫入和讀取基本一樣，達(dá)到了52880MB/s。

CPUZ截圖

AIDA64跑分截圖（10700K 5G+4.7G RING+XMP3600 CL14）

把ring調(diào)整到46

在Memory Try It中選擇4400MHz CL18

VCCSA調(diào)整至1.38V，VCCIO調(diào)整至1.25V，內(nèi)存電壓1.46V

成功進(jìn)系統(tǒng)

打開主板BIOS的memory try it功能并加載4400MHz CL18后，并手動設(shè)置VCCSA/VCCIO電壓，同時給內(nèi)存電壓補(bǔ)正到1.46V，同時把ring頻率下調(diào)至4.6G，一陣折騰以后F10重啟，順利重啟進(jìn)入系統(tǒng)，此時AIDA64內(nèi)存性能跑分有了顯著提升，內(nèi)存讀取達(dá)到59085MB/s，內(nèi)存寫入63006MB/s，而內(nèi)存延遲則降低至41.7ns；經(jīng)過memtestPRO跑了1小時153%無報錯。

考慮到部分玩家手上CPU體質(zhì)比管家的這顆要好，在全核5.3G+5G ring設(shè)定下，搭配這個4400MHz CL18設(shè)定下內(nèi)存延遲應(yīng)該能達(dá)到36~38左右。

AIDA64跑分截圖（10700K 5G+4.6G RING+XMP4400 CL18）

跑了1小時153%無報錯

在經(jīng)過一輪折騰之后，雖然成功超至4500MHz CL19并開機(jī)進(jìn)入系統(tǒng)完成跑分，內(nèi)存性能表現(xiàn)并沒有明顯提升，內(nèi)存延遲-0.2ns，而內(nèi)存穩(wěn)定性測試并不能順利通過，考慮到要無報錯需要大幅度放寬時序參數(shù)，就結(jié)果而言性能方面反而會得不償失，所以管家也因此停手了。

再挑戰(zhàn)一下4500MHz CL19

提升并不明顯了

總結(jié)：擁有卓越超頻潛能的RGB超頻條

在這次開箱測試中，管家手上這套掠奪者Apollo DDR4 RGB 3600的各方面表現(xiàn)都可圈可點的，單面三星B-die+10層PCB+帶導(dǎo)熱墊散熱馬甲+RGB燈效，這堆料堪稱豪華；實際超頻中在AMD平臺不分頻下能穩(wěn)超4000MHz CL16+FCLK 2000MHz，在10700K平臺下則能穩(wěn)超至4400MHz CL18，而在默認(rèn)XMP 3600MHz下則能實現(xiàn)CL14-15-15-35超低時序，可玩性十足。

管家認(rèn)為掠奪者Apollo DDR4 RGB是一款超頻潛能相當(dāng)不錯且?guī)в蠷GB燈效的內(nèi)存產(chǎn)品，適合那些對內(nèi)存性能和延遲有較高要求的硬核玩家選擇。