12月28日，“2021硬核中國芯評選頒獎盛典”在線上舉行。掌握核“芯”技術(shù)、堅持自主創(chuàng)新，比亞迪半導(dǎo)體斬獲“2021年度最具影響力IC設(shè)計企業(yè)獎”。同時，參評的IGBT 5.0芯片依靠出色的性能、精妙的布局設(shè)計等優(yōu)勢奪得“2021年度最佳功率芯片獎”！

本次評選匯聚百余家國內(nèi)半導(dǎo)體知名企業(yè)，由40萬工程師、40位專家評委在線評分/投票決出，采取“五大維度+雙審制”的嚴謹評審制度，共同發(fā)掘最具實力的優(yōu)秀中國芯企業(yè)與產(chǎn)品。

比亞迪半導(dǎo)體主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體、制造及服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、能源、工業(yè)、消費電子等領(lǐng)域。得益于國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的大力推動，近幾年國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展增速。比亞迪半導(dǎo)體專注產(chǎn)品設(shè)計，于細微處見精湛技藝，只為造就一流產(chǎn)品。卓越設(shè)計能力、高水準(zhǔn)服務(wù)及專業(yè)化品質(zhì)，使其繼連續(xù)多年榮獲2021中國IC設(shè)計成就獎之“十大中國IC設(shè)計公司”之后，再度榮膺行業(yè)獎項“2021年度最具影響力IC設(shè)計企業(yè)獎”。

據(jù)Omdia數(shù)據(jù)統(tǒng)計，功率器件市場規(guī)模在2024年將增長到172億美元，相比2020年將近有18%的增長率，國產(chǎn)功率器件廠商迎來新機遇。

自2002年進入半導(dǎo)體領(lǐng)域以來，比亞迪半導(dǎo)體在2009年便推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內(nèi)中高端車用IGBT新標(biāo)桿。

本次參評的IGBT5.0——Trecnch FS IGBT采用了微溝槽結(jié)構(gòu)及復(fù)合場中止技術(shù)，實現(xiàn)了超低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，并且由于經(jīng)過極致調(diào)教的復(fù)合場終止技術(shù)，實現(xiàn)了軟關(guān)斷。該產(chǎn)品性能與國際同類型產(chǎn)品性能相當(dāng)，Vcesat、Eoff、可靠性等參數(shù)均國內(nèi)領(lǐng)先。IGBT5.0晶元厚度低于75μm，電流密度超過260A/cm2，VCEsat低于1.4V，關(guān)斷損耗低于0.04A/mJ，模塊產(chǎn)品最大輸出功率高達180KW。目前，其已批量應(yīng)用于內(nèi)、外部新能源汽車以及國內(nèi)知名商業(yè)空調(diào)、變頻空調(diào)領(lǐng)域。

IGBT5.0的優(yōu)異性能來源于其將溝槽柵密度提升了5倍以上，并對元胞進行了精妙的布局設(shè)計，結(jié)合優(yōu)化的復(fù)合場終止結(jié)構(gòu)，使得其綜合特性及能耗接近國際上最先進的微溝槽IGBT。