?NZXT C750 BRONZE特色：

●14公分短機身設計，80PLUS銅牌認證轉換效率

●半模塊化設計，直出線組采用黑色編織網包覆，模塊化線組采用帶狀線路

●處理器12V供電提供2組EPS 4+4P接頭，支持Intel/AMD最新處理器/主板平臺

●采用APFC主動功率因數(shù)修正及雙晶順向構架，單組12V同步整流輸出，搭配3.3V/5V DC-DC轉換設計，使12V可用功率最大化，并改善各輸出電壓交叉調整率

●靜音12公分風扇以溫控方式運轉，兼顧靜音及散熱

●提供5年產品保固

●提供輸出電壓/電流監(jiān)控完整保護

NZXT C750 BRONZE輸出接頭數(shù)量：

ATX 20+4P:1個

EPS 4+4P:2個

PCIE 6+2P:6個

SATA:6個

大4P:3個

▼外盒正面有產品名稱及外觀圖

▼外盒背面有中文產品資訊貼紙、商標、產品名稱、3種語言的產品特色/尺寸/重量/效率認證/線組數(shù)量/保固、輸入/輸出規(guī)格表、80PLUS銅牌認證標章

▼外盒上下側面有商標、產品名稱、條形碼、安規(guī)認證標章、廠商信息

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▼外盒左右側面有11種語言特色說明

▼包裝內容有包在印上商標的白色不織布套內的電源本體、模塊化線組、3×0.75mm2 7A交流電源線、固定螺絲、電子說明書連接QR碼紫色紙卡

編輯

▼本體尺寸為150mm（W）x86mm（H）x141mm（D）

▼本體外殼側面有商標及型號印刷

▼直接在外殼沖壓加工圓孔風扇護網

▼后方出風口處設有電源總開關及交流輸入插座

▼電源本體背面外殼凹陷處粘貼標簽，標簽印上商標、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規(guī)/BSMI認證標章、80PLUS銅牌認證標章、警告信息、產地、條形碼

▼本體直出線旁的模塊化線組輸出插座有標示，左上方印上”請勿使用其他電源供應器的模塊化線組”英文警語

▼一組主板電源黑色編織網包覆直出線路，提供1個ATX 20+4P接頭，長度為54公分

▼一組處理器電源黑色編織網包覆直出線路，提供1個EPS 4+4P接頭，長度為64公分。一組處理器電源黑色帶狀模塊化線路，提供1個EPS 4+4P接頭，長度為65公分。總共提供2個EPS 4+4P接頭

▼一組雙頭顯卡電源黑色編織網包覆直出線路，每組提供2個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭線路長度為55公分，接頭間線路長度為15公分。兩組雙頭顯卡電源黑色帶狀模塊化線路，每組提供2個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭線路長度為55公分，接頭間線路長度為15公分?？偣蔡峁?個PCIE 6+2P接頭

▼一組SATA接頭黑色帶狀模塊化線路，提供2個直式SATA接頭，至第一個接頭線路長度為50公分，接頭間線路長度為15公分。一組SATA接頭黑色帶狀模塊化線路，提供4個直式SATA接頭，至第一個接頭線路長度為50公分，接頭間線路長度為15公分?？偣蔡峁?個SATA接頭

▼一組大4P接頭黑色帶狀模塊化線路，提供3個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭線路長度為50公分，接頭間線路長度為14.5公分?？偣蔡峁?個大4P接頭，未提供小4P接頭或轉接線

▼將所有模塊化線路插上的樣子

▼NZXT C750 BRONZE內部結構及使用元件說明簡表

▼NZXT C750 BRONZE為CWT代工，采APFC、雙晶順向、二次側SBD+MOSFET同步整流輸出12V，并經由DC-DC轉換3.3V/5V

▼風扇采用Huizhou Flyalpine DF1202512RFHN 12公分12V/0.32A，有設置氣流導風片

▼電路板背面，焊點整體做工良好

▼交流輸入插座接點焊上2個Y電容（CY1/CY2）及1個X電容（CX1），所有焊點均未包覆套管，僅磁芯包覆絕緣套管

▼電路板交流輸入端EMI濾波電路有2個共模電感（CM1/CM2），1個X電容（CX2），2個Y電容（CY3/CY4），直立安裝的保險絲（右上）及突波吸收器（左）都有包覆套管

▼EMI電路背后有Power Integrations CAP200DG X電容放電IC

▼單顆橋式整流安裝在散熱片上，APFC電感采用封閉式磁芯，外面包覆套管的NTC熱敏電阻用來抑制輸入涌浪電流

▼APFC電容采用Nichicon 400V 470μF GG系列105度電解電容

▼固定在散熱片上的APFC及一次側MOSFET，APFC使用2顆GREATPOWER GP28S50G全絕緣封裝MOSFET及1顆ON SEMI FFSP0665A二極管，一次側使用2顆Advanced Power AP65SA190DP全絕緣封裝MOSFET

▼APFC及一次側雙晶順向電路控制用Champion CM6800TX及Champion CM03X安裝在主電路板背面

▼輔助電源電路一次側采用Power Integrations TNY287PG整合電源IC，輔助電源電路變壓器外包復綠色聚酯薄膜膠帶

▼主變壓器外包復綠色聚酯薄膜膠帶

▼面向主變壓器的二次側散熱片上面有1顆PFC Device PFR40V60CT二極管，是負責整流輸出12V的元件之一

▼二次側散熱片另一面有1顆PFC Device PFR40V60CT二極管及2顆Wayon WMK025N06HG2 MOSFET，是負責整流輸出12V的另外3顆元件。中間環(huán)狀12V/-12V輸出電感下面有Elite電解電容

▼主電路板背面的Sync Power SP6019負責二次側12V同步整流MOSFET控制

▼3.3V/5V DC-DC子板正面配置環(huán)狀電感及Elite固態(tài)電容

▼3.3V/5V DC-DC子板背面，上方4顆UBIQ QM3016D MOSFET分成2組，每組采1HS+1LS配置。下方有3.3V/5V DC-DC控制用μPI μP3861P

▼IN1S429I-DCG電源管理IC，提供輸出過電壓/欠電壓/過電流保護、接受PS-ON信號控制及產生Power Good信號

▼電源供應器輸出線直接焊在主電路板上，線路末端處使用不同顏色的套管包覆

▼模塊化輸出插座電路板正面設置3顆APAQ固態(tài)電容提升輸出濾波效果

接下來就是上機測試

測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南

▼NZXT C750 BRONZE于20%/50%/100%下效率分別為88.92%/89.3%/84.84%，符合80PLUS銅牌認證要求20%輸出82%效率、50%輸出85%效率、100%輸出82%效率

從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異，會對效率產生0.03%至0.3%的影響

▼NZXT C750 BRONZE于10%、20%、50%、100%的交流輸入波形（黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率）。50%輸出下功率因數(shù)為0.9897，符合80PLUS銅牌認證要求50%輸出下功率因數(shù)需大于0.9的要求

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▼綜合輸出負載測試，輸出48%時3.3V/5V電流達13A以后就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

▼綜合輸出7%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為24.8mV

▼綜合輸出7%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為24.3mV

▼綜合輸出7%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為63mV

▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載（CL1）、5V滿載（CL2）、3.3V/5V滿載（CL3）的3.3V/5V/12V電壓變化，并無出現(xiàn)超出±5%范圍情形（3.3V:3.135V-3.465V，5V:4.75V-5.25V，12V:11.4V-12.6V）

▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表

▼純12V輸出5%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為14.2mV

▼純12V輸出5%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為12.9mV

▼純12V輸出5%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為70mV

▼電源PS-ON信號啟動后直接3.3V/13A、5V/13A、12V/53A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點（0.000s）時，12V上升時間為27ms，5V與3.3V上升時間為6ms

▼3.3V/13A、5V/13A、12V/53A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點（0.000s）時，12V于15ms降至11.4V（圖片中數(shù)據點標簽）

以下波形圖，CH1黃色波形為動態(tài)負載電流變化波形，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形

▼當輸出無負載時，12V/3.3V無明顯漣波，5V有間歇產生的漣波

▼于3.3V/13A、5V/13A、12V/53A（綜合全負載）輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為42.8mV/26.8mV/12.8mV，高頻漣波分別為34.8mV/27.2mV/12.8mV

▼于12V/62A（純12V全負載）輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為46.8mV/19.2mV/10.4mV，高頻漣波分別為38.4mV/20.4mV/10.4mV

▼3.3V（上）啟動動態(tài)負載，變動范圍5A至15A，維持時間500微秒，最大變動幅度580mV，同時造成5V產生256mV、12V產生268mV的變動。5V（下）啟動動態(tài)負載，變動范圍5A至15A，維持時間500微秒，最大變動幅度為666mV，同時造成3.3V產生342mV、12V產生424mV的變動

▼12V啟動動態(tài)負載，變動范圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為476mV，同時造成3.3V產生48mV、5V產生52mV的變動

▼電源供應器滿載輸出下內部（上圖）及橋式整流/APFC電感/NTC（下圖）的紅外線熱圖像圖（附注：安裝位置環(huán)境溫度會影響測試結果）

▼電源供應器滿載輸出下APFC MOSFET/一次側MOSFET（上圖）及主變壓器/二次側/12V輸出電感（下圖）的紅外線熱圖像圖（附注：安裝位置環(huán)境溫度會影響測試結果）

本體及內部結構心得小結：

◆采用半模塊化設計，直出線組（ATX 20+4P/EPS 4+4P/PCIE 6+2P）采用黑色編織網包覆，模塊化線組（EPS 4+4P/PCIE 6+2P/SATA/大4P）采用帶狀線路。提供2個EPS 4+4P，6個PCIE 6+2P，6個直式SATA，3個省力易拔大4P。未提供小4P接頭或轉接線

◆直接在外殼沖壓圓孔風扇護網

◆交流輸入插座接點直接安裝X/Y電容，交流輸入插座及總開關焊點未包覆套管，磁芯、保險絲、突波吸收器有包覆套管

◆電路板背面焊點整體做工良好

◆采用APFC、雙晶順向構架、SBD+MOSFET同步整流輸出12V，并透過DC-DC轉換3.3V/5V

◆APFC MOSFET使用GREATPOWER，APFC二極管使用ON SEMI，一次側MOSFET使用Advanced Power，二次側同步整流MOSFET使用Wayon，二極管使用PFC Device，DC-DC MOSFET使用UBIQ。APFC/一次側MOSFET使用全絕緣封裝

◆僅APFC電容采用日系品牌

◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓與電流是否在正常范圍

◆主電路板線組輸出端有包覆套管，模塊化插座板與主電路板透過線組連接

各項測試結果簡單總結：

◆NZXT C750 BRONZE于20%/50%/100%下效率分別為88.92%/89.3%/84.84%，符合80PLUS銅牌認證要求20%輸出82%效率、50%輸出85%效率、100%輸出82%效率

◆NZXT C750 BRONZE的功率因數(shù)修正，滿足80PLUS銅牌認證要求輸出50%下功率因數(shù)需大于0.9

◆偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均無出現(xiàn)超出±5%范圍情形

◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態(tài)，12V上升時間為27ms，3.3V/5V上升時間為6ms

◆綜合全負載輸出狀態(tài)切斷AC輸入模擬電力中斷，12V于15ms后降至11.4V

◆當輸出無負載時，12V/3.3V無明顯漣波，5V有間歇產生的漣波；于綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為42.8mV/26.8mV/12.8mV；于純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為46.8mV/19.2mV/10.4mV

◆3.3V/5V動態(tài)負載測試，變動范圍5A至15A，維持時間500微秒，最大變動幅度分別為580mV/666mV

◆12V動態(tài)負載測試，變動范圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為476mV

◆熱機下3.3V過電流截止點在29A（145%），5V過電流截止點在29A（145%），12V過電流截止點在67A（107%）

報告完畢，謝謝收看

2022-02-23 18:17發(fā)布

?作者：港都狼仔

原文：https://m.mobile01.com/topicdetail.php?f=501&t=6544995